Rechtsprechung / BPatG / 2001
BPatG Beschluss vom 25.01.2001 – 11 W (pat) 18/00
11. Senat
BUNDESPATENTGERICHT
_______________
(Aktenzeichen)
Verkündet am
25. Januar 2001
…
B E S C H L U S S
In der Beschwerdesache
betreffend das Patent 40 30 434
… 6.70
hat der 11. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf
die mündliche Verhandlung vom 25. Januar 2001 unter Mitwirkung des Vorsitzenden Richters Dipl.-Ing. Niedlich sowie der Richter Dipl.-Ing. Dr. Henkel, Sekretaruk
und Dipl.-Phys. Skribanowitz, Ph.D. / M.I.T. Cambridge
beschlossen:
Die Beschwerde der Patentinhaberin gegen den Beschluß der
Patentabteilung vom 15. Dezember 1999 wird zurückgewiesen.
G r ü n d e
I.
Auf die am 26. September 1990 beim Deutschen Patentamt eingereichte Patentanmeldung,
für die die Priorität der Voranmeldung
in Japan vom
29. September 1989 (JP 1-252076) in Anspruch genommen ist, ist das Patent 40 30 434 mit der Bezeichnung "Verfahren zur Reinigung der Oberfläche eines festen Körpers" erteilt und die Erteilung am 17. August 1995 veröffentlicht
worden. Auf den Einspruch der L… AG in Wiesbaden hin hat die Patentabteilung 14 des Patentamts das Patent mit Beschluß vom 15. Dezember 1999 widerrufen, weil dem Gegenstand des Patentanspruchs 1
im Hinblick auf die
DE 25 43 019 A1 (4), US 4 627 197 (1) und US 3 676 963 (2) keine erfinderische
Tätigkeit zugrundeliege.
Gegen diesen Beschluß richtet sich die Beschwerde der Patentinhaberin. Das
Patent befasse sich mit der Herstellung von Halbleiter-Wafern und nicht mit mechanischen Strahlverfahren, wie sie aus (1), (2) und (4) bekannt seien. Der hier
zuständige Fachmann, ein Wafer-Spezialist, werde deshalb diese Druckschriften
nicht auf der Suche nach Verbesserungen für das aus der DE 38 04 694 A1 (3)
bekannte, auf die Reinigung von Halbleiter-Wafern gerichtete Verfahren in Betracht ziehen. (1) und (2) erwähnten zwar organische Substanzen, wie Kunststoffe
oder Farbschichten, aber diese seien von den im Patent gemeinten dünnen
Schichten aus Ölen oder Fetten auf Halbleiter-Wafern völlig verschieden. Dass
sämtliche Entgegenhaltungen in der selben IPC-Klasse zu finden seien, sei kein
hinreichender Nachweis dafür, dass der einschlägige Fachmann sie in Betracht
ziehen würde. Nächstkommend sei allein (3), der Hinweis in der Beschreibung des
Patents auf (4) sei nicht zutreffend, da in (4) keine Wafer erwähnt seien.
Die Patentinhaberin stellt den Antrag,
den Beschluß der Patentabteilung 14 vom 15. Dezember 1999
aufzuheben und das Patent beschränkt in der Weise aufrecht zu
erhalten, dass die Patentansprüche auf Wafer beschränkt werden
und deshalb aus dem Patentanspruch 1 die Worte "eines festen
Körpers, insbesondere" gestrichen werden.
Die Einsprechende stellt den Antrag,
die Beschwerde zurückzuweisen.
Der hier zuständige Fachmann für ein patentgemäßes Reinigungsverfahren werde
sämtliche im Verfahren genannten Druckschriften in Betracht ziehen, da sich alle
mit der Reinigung von Oberflächen mit aufgestrahlten, gefrorenen Teilchen befassten. Der Patentgegenstand ergebe sich aus einer Zusammenschau von (3) mit
(1) oder (2) und sei demnach nicht patentfähig.
Der geltende Patentanspruch 1 lautet:
"Verfahren zum Reinigen einer Oberfläche eines Wafers, wobei
eine organische Schicht, wie z. B. Öl, von der Oberfläche des
Körpers entfernt wird, wozu feine gefrorenene Teilchen einer Flüssigkeit durch Gefrieren der Flüssigkeit erzeugt und die Teilchen
gegen die zu reinigende Oberfläche des festen Körpers gestrahlt
werden, wobei das Gas, welches als Treibmittel zum Strahlen
verwendet wird, auf eine Temperatur abgekühlt wird, bei welcher
die Adhäsion zwischen der organischen Schicht und der Oberfläche des festen Körpers verringert wird, und wobei die Härte der
gefrorenen Teilchen durch Einstellung ihrer Temperatur und/oder
die Art der zu gefrierenden Flüssigkeit so eingestellt wird, dass sie
gleich der oder kleiner als die Härte der zu reinigenden Oberfläche
des festen Körpers ist."
Es liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der gattungsgemäßen Art dahingehend weiter zu bilden, dass eine verbesserte Reinigungsleistung erzielbar ist.
Bezüglich des Wortlauts der geltenden Ansprüche 2 und 3 sowie weiterer Einzelheiten wird auf den Akteninhalt verwiesen.
II.
Die zulässige Beschwerde der Patentinhaberin ist nicht begründet, da sich der
Gegenstand des Patentanspruchs 1 in naheliegender Weise aus dem einschlägigen Stand der Technik ergibt.
Fachmann ist ein Physiker oder Ingenieur der Verfahrenstechnik mit mindestens
Fachhochschulabschluß, der besondere Kenntnisse auf dem Gebiet der Herstellung von Wafern besitzt und bei Bedarf einen Fachmann der Reinigungstechnik
von Oberflächen heranzieht.
Der Einwand der Patentinhaberin, der zuständige Fachmann sei ausschließlich ein
Spezialist für die Herstellung von Halbleiter-Wafern, vermochte nicht zu überzeugen. Es geht offensichtlich um ein Reinigungsverfahren für Oberflächen fester
Körper, das den herangezogenen Reinigungstechnikern an sich bekannt ist. Zwar
ist der Patentinhaberin darin zu
folgen, dass bei Halbleitern besondere
Anforderungen bezüglich der Vermeidung von Verunreinigungen gestellt werden,
aber dies bedeutet nicht, dass nur ein Halbleiter-Spezialist sich mit der Reinigung
der Oberfläche befaßt. Vielmehr zieht dieser im Bedarfsfall einen Fachmann für
Reinigungsverfahren zu Rate, der die einschlägigen Techniken zur Reinigung fester Oberflächen kennt. Dem Reinigungsfachmann sind dazu die Druckschriften
(1), (2) und (4) bekannt, die alle, wie das Patent, zur IPC B24C gehören und die
Reinigung von Oberflächen mittels aufgestrahlter, gefrorener Teilchen betreffen,
wie sie auch nach (3) für Wafer Verwendung findet.
Durch die Reinigung von Wafer-Oberflächen mittels aufgestrahlter, gefrorener
Teilchen nach (3) ist der Fachmann angeregt, sich mit derartigen Reinigungsverfahren näher zu befassen, wie sie in den Druckschriften (1), (2) und (4) zu finden
sind. Dabei handelt es sich somit um einschlägigen Stand der Technik, wovon
schon die Patentabteilung zutreffend ausgegangen ist. Der Widerrufsbeschluß ist
diesbezüglich– entgegen der Auffassung der Patentinhaberin – nicht fehlerhaft.
Das Verfahren nach Anspruch 1 ist unbestritten neu, es beruht jedoch nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit.
Bei der Beurteilung der erfinderischen Tätigkeit ist von (3) auszugehen, die übereinstimmend als nächstkommender Stand der Technik zu sehen ist. Figur 2 mit
zugehöriger Beschreibung, ist ein Verfahren zur Reinigung der Oberfläche von
Halbleiter-Wafern 12, 62 von feinen Verunreinigungspartikeln 13 (Sp 9 Z 40-43) zu
entnehmen, bei dem feine gefrorene Teilchen einer Flüssikeit durch Gefrieren der
Flüssigkeit erzeugt (Sp 8 Z 62-67) und gegen die zu reinigende Oberfläche des
Wafers gestrahlt werden (Sp 9 Z 5-17). Als Treibmittel zum Strahlen wird Stickstoffgas verwendet, das aus flüssigem Stickstoff erzeugt oder zumindest mit diesem vermischt wird (Sp 7 Z 2-16). Dieses kalte Gas dient dabei zugleich als Gefriermittel und führt beim Auftreffen auf den zu reinigenden Halbleiter zwangsläufig
zu einer Abkühlung von dessen Oberfläche mit Verunreinigungen. Die Härte der
gefrorenen Teilchen lässt sich ua durch die Wahl von deren Temperatur oder Zusammensetzung so einstellen, dass entweder eine Verletzung der Oberfläche des
Wafers erzielt wird (Gettern, Sp 6 Z 53-56) oder dass nur eine Reinigung stattfindet, also die Härte der Teilchen die Härte der Oberfläche des Wafers nicht übersteigt.
Von diesem Stand der Technik unterscheidet sich das Verfahren nach Anspruch 1
dadurch,
dass die Verunreinigungen aus einer organische Schicht, wie zB
Öl, bestehen und
dass die Temperatur des abgekühlten Treibgases derart ist, dass
bei ihr die Adhäsion zwischen der organischen Schicht und der zu
reinigenden Oberfläche verringert ist.
Bei der Herstellung und Verarbeitung von Halbleiter-Wafern sind Verunreinigungen als verschiedene organische Substanzen, wie etwa Fette, Öle oder Lacke (zB
Photolacke für die Strukturierung von elektronischen Schaltungen) betriebsbedingt
vorgegeben. Sie müssen - nachdem sie ihren Zweck erfüllt haben – wieder entfernt werden. Dazu bedurfte es keiner erfinderischen Überlegungen, das aus (3)
bekannte Verfahren zur Reinigung mittels aufgestrahlter gefrorenener Teilchen
auch für die Entfernung von organischen Schichten von Wafer-Oberflächen anzuwenden.
Aus (1), Sp 1 Z 20-26, ist dabei dem Fachmann für die Reinigung von Oberflächen
mittels Strahlverfahren weiterhin geläufig, dass die Adhäsion organischer Schichten auf einem Substrat durch "embrittlement", worunter eine Versprödung oder ein
Bröckelig-werden zu verstehen ist, verringert werden kann. Dieser Effekt wird ua
mittels starker Abkühlung der Oberfläche durch ein aufgesprühtes verflüssigtes
Gas erzeugt (Sp 1 Z 27-31), und erlaubt es, die organische Schicht dort durch den
Aufprall von Sand oä, über ein Sandstrahlgerät, das mit Pressluft arbeitet (air gun)
zu entfernen (Sp 1 Z 31-36). Wichtig ist dabei, dass die Schicht unter die "embrittlement"-Temperatur abgekühlt wird (Sp 2 Z 33-36), also gerade unter die Temperatur, bei der die Ahhäsion zwischen der organischen Schicht und dem Substrat
vermindert ist.
Zwar sind keine Teilchen einer gefrorenen Flüßigkeit als Strahlmittel erwähnt, aber
dem Reinigungsfachmann ist aus (2), Sp 2 Z 54-68, bekannt, dass der embrittlement-Effekt auch bei der Verwendung von Eisteilchen in einem Strom von Kühlmedium (Sp 2 Z 20-31, nennt hierfür Gase oder flüssigen Stickstoff) auftritt und
vorteilhaft zur Entfernung von organischem Material (Sp 2 Z 59 nennt thermoplastic or elastomeric articles) durch Strahlverfahren eingesetzt werden kann. Hierdurch ist der deutliche Hinweis gegeben, bei Einsatz des aus (3) bekannten Verfahrens zum Entfernen speziell von organischen Schichten von der Oberfläche eines Wafers, die Temperatur des Kühl/Treibmittels zumindest so weit abzusenken,
dass die Adhäsion zwischen der organischen Schicht und der zu reinigenden
Oberfläche reduziert ist. Das führt unmittelbar ohne erfinderische Tätigkeit zum
Verfahren nach Anspruch 1.
Der Anspruch 1 hat somit keinen Bestand, da sein Gegenstand nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit beruht, wie schon die Patentabteilung zutreffend dargelegt
hat.
Die auf den Patentanspruch 1 rückbezogenen Ansprüche 2 und 3 müssen aus
formalen Gründen mit dem Hauptanspruch fallen.
Niedlich
Dr. Henkel
Sekretaruk
Skribanowitz
prö