Rechtsprechung / BPatG / 2001
BPatG Beschluss vom 20.11.2001 – 21 W (pat) 45/00
21. Senat
BUNDESPATENTGERICHT
_______________
(Aktenzeichen)
Verkündet am
20. November 2001
…
B E S C H L U S S
In der Beschwerdesache
betreffend das Patent 195 11 593
… 6.70
hat der 21. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf
die mündliche Verhandlung vom 20. November 2001 unter Mitwirkung des Vorsitzenden Richters Dr. Hechtfischer, der Richterin Dr. Franz sowie der Richter
Dipl.-Phys. Dr. Kraus und Dipl.-Phys. Univ. Dr. Strößner
beschlossen:
Die Beschwerde der Patentinhaberin gegen den Beschluß der
Patentabteilung 51 des Deutschen Patent- und Markenamts vom
16. Februar 2000 wird zurückgewiesen.
G r ü n d e
I.
Auf die am 29. März 1995 beim Deutschen Patentamt eingegangene Patentanmeldung wurde das Patent mit der Bezeichnung "Mikrooptische Vorrichtung" erteilt. Veröffentlichungstag der Patenterteilung ist der 13. Februar 1997.
Nach Prüfung eines Einspruchs hat die Patentabteilung 51 des Deutschen Patent-
und Markenamtes mit Beschluß vom 16. Februar 2000 das Patent widerrufen.
Gegen diesen Beschluß richtet sich die Beschwerde der Patentinhaberin, die beantragt,
den angefochtenen Beschluß aufzuheben und das Patent mit den
in der mündlichen Verhandlung überreichten Patentansprüchen 1
bis 6 und noch anzupassender Beschreibung beschränkt aufrechtzuerhalten und über die Frage der Zulässigkeit der Aufstellung von Nebenansprüchen im Einspruchsverfahren die Rechtsbeschwerde zuzulassen.
Die in der mündlichen Verhandlung überreichten, einander nebengeordneten Patentansprüche 1 bis 3 haben folgenden Wortlaut:
1. Mikrooptische Vorrichtung zum Umformen eines von einem
Laserdiodenbarren (6) in x-Richtung eines orthogonalen Bezugssystems (5) abgestrahlten ersten Laserstrahlenbündels
(8), bestehend aus mehreren streifenförmigen Einzelstrahlenbündeln (9) mit jeweils gleichem Querschnitt, deren
Längsmittelachsen des Querschnitts auf einer einzigen in y-
Richtung des Bezugssystems (5) verlaufenden geraden Linie
liegen, in ein zweites Laserstrahlenbündel aus parallel nebeneinander angeordneten streifenförmigen Einzelstrahlenbündeln (12) mit jeweils gleichem Querschnitt, bei der
-
eine Strahlenparallelisierungsoptik (11) die in z-Richtung des
Bezugssystems (5) divergenten streifenförmigen Einzelstrahlenbündel (9) des ersten Laserstrahlenbündels (8) parallelisiert, und
-
eine Umlenkspiegelanordnung (14, 15; 18, 21; 24; 26) das
aus den parallelisierten streifenförmigen Einzelstrahlenbündel (12) bestehende Laserstrahlenbündel (31) in das zweite
Laserstrahlenbündel (17, 30) umformt,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß
die Umlenkspiegelanordnung (14, 15; 18, 21; 24; 26) mittels eines
Ätzverfahrens der Halbleiterprozeßtechnik gefertigte Strukturen aufweist.
2. Mikrooptische Vorrichtung zum Umformen eines von einem Laserdiodenbarren (6) in x-Richtung eines orthogonalen Bezugssystems (5)
abgestrahlten ersten Laserstrahlenbündels (8), bestehend aus mehreren streifenförmigen Einzelstrahlenbündeln (9) mit jeweils gleichem
Querschnitt, deren Längsmittelachsen des Querschnitts auf einer
einzigen in y-Richtung des Bezugssystems (5) verlaufenden geraden
Linie liegen, in ein zweites Laserstrahlenbündel aus parallel nebeneinander angeordneten streifenförmigen Einzelstrahlenbündeln (12)
mit jeweils gleichem Querschnitt, bei der
-
eine Strahlenparallelisierungsoptik (11) die
in z-Richtung des
Bezugssystems (5) divergenten streifenförmigen Einzelstrahlenbündel (9) des ersten Laserstrahlenbündels (8) parallelisiert, und
-
eine Umlenkspiegelanordnung (14, 15; 18, 21; 24; 26) das aus den
parallelisierten streifenförmigen Einzelstrahlenbündel (12) bestehende Laserstrahlenbündel (31) in das zweite Laserstrahlenbündel
(17, 30) umformt,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß
die Umlenkspiegelanordnung eine erste und eine zweite Spiegelreihe
(14, 15) aufweist,
daß die erste Spiegelreihe (14) die parallelisierten streifenförmigen
Einzelstrahlenbündel (12) des ersten Laserstrahlenbündels (8) aus
der x-Richtung ablenkt und gleichzeitig in x-Richtung gegeneinander
versetzt, derart, daß die Längsmittelachsen der parallelisierten streifenförmigen Einzelstrahlenbündel (12) auf in einem Abstand zueinander parallel verlaufenden Geraden liegen, und daß die zweite
Spiegelreihe (15)die gegeneinander versetzten parallelisierten Einzelstrahlenbündel (12) parallel nebeneinander abbildet, und
daß die Einzelstrahlenbündel zwischen der Strahlenparallelisierungsoptik (11) und den Umlenkspiegeln der Umlenkspiegelanordnung in einem für die Wellenlänge des vom Laserdiodenbarren abgestrahlten Laserlichtes durchlässigen Medium geführt sind, wobei
die Grenzflächen zwischen dem durchlässigen Medium und Luft oder
einem anderen angrenzenden Medium die Spiegelflächen der Umlenkspiegelanordnung (14, 15; 18, 21; 24; 26) ausbilden.
3. Mikrooptische Vorrichtung zum Umformen eines von einem Laserdiodenbarren (6) in x-Richtung eines orthogonalen Bezugssystems (5)
abgestrahlten ersten Laserstrahlenbündels (8), bestehend aus mehreren streifenförmigen Einzelstrahlenbündeln (9) mit jeweils gleichem
Querschnitt, deren Längsmittelachsen des Querschnitts auf einer
einzigen in y-Richtung des Bezugssystems(5) verlaufenden geraden
Linie liegen, in ein zweites Laserstrahlenbündel aus parallel nebeneinander angeordneten streifenförmigen Einzelstrahlenbündeln (12)
mit jeweils gleichem Querschnitt, bei der
-
eine Strahlenparallelisierungsoptik (11) die
in z-Richtung des
Bezugssystems (5) divergenten streifenförmigen Einzelstrahlenbündel (9) des ersten Laserstrahlenbündels (8) parallelisiert, und
-
eine Umlenkspiegelanordnung (14, 15; 18, 21; 24; 26) das aus den
parallelisierten streifenförmigen Einzelstrahlenbündel (12) bestehende Laserstrahlenbündel (31) in das zweite Laserstrahlenbündel
(17, 30) umformt,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß
-
-
die Umlenkspiegelanordnung einen schrägen Spiegel und eine
Spiegelreihe aufweist,
der schräge Spiegel eine Spiegelflächennormale aufweist, die mit der
x-y-Ebene des Bezugssystems (5) einen Winkel von 45° und mit der
x-z-Ebene des Bezugssystems (5) einen Winkel ץ > 0° einschließt,
so daß
-
der schräge Spiegel die parallelisierten Einzelstrahlenbündel (12)
aus der x-Richtung ablenkt und gleichzeitig in x-Richtung gegeneinander versetzt, und
-
die Spiegelreihe die gegeneinander versetzten parallelisierten Einzelstrahlenbündel (12) parallel nebeneinander abbildet."
Die Einsprechende hat ihren Einspruch unter anderem auf eine mikrooptische Vorrichtung als Stand der Technik gestützt, die durch mündliche Beschreibung im
Rahmen eines Vortrags mit dem Titel "Epitaxie, Chiptechnologie und Aufbau von
Hochleistungslaserdioden im Wellenlängenbereich von 630 bis 1550 Nanometer"
der Öffentlichkeit zugänglich geworden sei. Dieser Vortrag wurde von J. Luft, Siemens AG, Regensburg, der am 28. März 1995 bei einer Tagung in Freiburg/Breisgau mit dem Thema "Hochleistungsdiodenlaser und diodengepumpte
Festkörperlaser" gehalten, in dessen Verlauf ein mit der Fig 1 der Patentschrift 195 11 593 bis auf die Bezugszeichen identisches Bild gezeigt und von
dem eine Kurzfassung ohne Bild (Anlage D4 zum Einspruchsschriftsatz) ausgehändigt worden sei.
Die Patentinhaberin erklärte in der mündlichen Verhandlung, sie bestreite nicht die
mündliche Beschreibung vor dem Anmeldetag des Patents, wodurch eine mikrooptische Vorrichtung der Öffentlichkeit zugänglich geworden sei, so daß diese als
vorveröffentlichter Stand der Technik zu berücksichtigen sei. Sie mache jedoch
geltend, daß dieser Stand der Technik der Patentfähigkeit der Gegenstände gemäß den nebengeordneten Patentansprüchen 1 bis 3 nicht entgegenstehe. Es sei
zwar eine mikrooptische Vorrichtung bekannt geworden, die mit der in Fig 1 der
Patentschrift gezeigten Vorrichtung übereinstimme, so daß diese Vorrichtung die
Merkmale gemäß dem jeweiligen gleichlautenden Oberbegriff der nebengeordneten Patentansprüche aufweise, es gebe aber keinen Hinweis auf die im jeweiligen
kennzeichnenden Teil der Patentansprüche angegebenen Maßnahmen. Denn die
mündliche Beschreibung beziehe sich nicht auf die Herstellung der Vorrichtung, so
daß jegliche Anregung fehle, die Strukturen der Umlenkspiegelanordnung, wie im
kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegeben, mittels eines Ätzverfahrens der Halbleiterprozeßtechnik zu fertigen. Die in der Kurzfassung des Vortrags
erwähnte Ionenstrahlätztechnik für 45° - und 90° - Spiegel betreffe die Integration
optischer Elemente auf einem Halbleitersubstrat bzw Halbleiterchip.
Es gebe auch keinen Hinweis, die einzelnen Laserstrahlenbündel zwischen der
Strahlenparallelisierungsoptik und den Umlenkspiegeln, wie im kennzeichnenden
Teil des Patentanspruchs 2 angegeben, zu führen oder für die Umlenkspiegelanordnung einen schrägen Spiegel und eine Spiegelreihe in der im kennzeichnenden
Teil des Patentanspruchs 3 spezifizierten Anordnung zu verwenden.
Im übrigen sei es zulässig, wenn der erteilte Patentanspruch 1 in der allgemeinen
Fassung keinen Bestand habe, den Gegenstand des Patentanspruchs 1 durch
Aufnahme von Merkmalen aus der Beschreibung zu beschränken, und wenn dafür
aufgrund der beschriebenen, unterschiedlichen Ausführungsformen entsprechend
alternative Merkmale in Frage kämen, mehrere nebengeordnete Patentansprüche
aufzustellen, um für die beschriebenen Ausführungsformen Schutz zu erhalten.
Die Einsprechende hat per Telefax vom 16. November 2001 mitgeteilt, daß sie an
der mündlichen Verhandlung am 20. November 2001 nicht teilnehmen werde, und
beantragt, die Beschwerde zurückzuweisen.
II.
Die zulässige Beschwerde führte in der Sache nicht zum Erfolg.
Zwar bestehen Bedenken bezüglich der Zulässigkeit der nebengeordneten Patentansprüche 1 bis 3, jedoch kann dies dahingestellt bleiben, da zumindest der
Gegenstand des Patentanspruchs 1 nicht patentfähig ist, so daß der Patentanspruch 1 und mit ihm auch die übrigen Patentansprüche 2 bis 6 keinen Bestand
haben.
Der Gegenstand nach Patentanspruch 1 ist zwar neu, beruht aber nicht auf einer
erfinderischen Tätigkeit.
Durch die von der Einsprechenden beigebrachten Unterlagen und die Aussagen
der Beteiligten steht zur Überzeugung des Senats fest, daß vor dem für das Patent maßgeblichen Anmeldetag durch mündliche Beschreibung in Verbindung mit
einem während des Vortrags gezeigten Bild, das bis auf die Bezugszeichen identisch mit der Fig 1 in der Patentschrift 195 11 593 war, eine mikrooptische Vorrichtung zum Umformen eines von einem Laserdiodenbarren in x-Richtung eines
orthogonalen Bezugssystems x-y-z abgestrahlten Laserstrahlenbündels bekannt
geworden ist. Gemäß Fig 1 und in Übereinstimmung mit der Kurzfassung des
Vortrags, vgl Anlage D4, weist der Laserdiodenbarren (6) sieben Einzellaserdioden auf, die in der x-y-Ebene nebeneinander angeordnet sind, wobei der
p-n-Übergang
jeder Diode parallel
zur
x-y-Ebene
liegt. Das erste
Laserstrahlenbündel
besteht
somit
aus mehreren
streifenförmigen
Einzelstrahlenbündeln (9) mit
jeweils gleichem Querschnitt. Die
jeweilige
Längsmittelachse dieser Querschnitte liegt in einer geraden Linie, die in
y-Richtung verläuft. Dem Laserdiodenbarren
ist
in Abstrahlrichtung eine
Strahlenparallelisierungsoptik
(11) nachgeordnet, die die
in z-Richtung
divergenten Einzelstrahlenbündel des ersten Laserstrahlenbündels parallelisiert.
Eine darauffolgende Umlenkspiegelanordnung
(14, 15)
formt das erste
Laserstrahlenbündel in ein zweites Laserstrahlenbündel aus parallel nebeneinanderliegenden, streifenförmigen Einzelstrahlenbündeln mit jeweils gleichem Querschnitt um. Die jeweilige Längsmittelachse dieser Querschnitte zeigt in z-Richtung,
während die jeweilige zur Längsmittelachse senkrechte Quermittelachse auf einer
geraden, in x-Richtung verlaufenden Linie liegt.
Demnach ist eine mikrooptische Vorrichtung mit sämtlichen Merkmalen gemäß
dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 bekannt.
Bezüglich der Herstellung einer solchen Vorrichtung weist die Kurzfassung des
Vortrags, vgl Anlage D4, lediglich darauf hin, daß erste Schritte zur Realisierung
einer Version eingeleitet wurden, die herstellungstechnisch als vielversprechend
erscheint, ohne jedoch geeignete Fertigungsmethoden, insbesondere auch zur
Fertigung der Strukturen der Umlenkspiegelanordnung, zu erwähnen.
Die im Vortrag mit dem gezeigten Bild vorgestellte Version einer mikrooptischen
Vorrichtung weist eine Umlenkspiegelanordnung mit zwei jeweils aus einem Materialstück hergestellten Spiegelreihen auf, wobei jede Spiegelreihe aus sieben
45°- Spiegelflächen in einer treppenförmigen Anordnung besteht. Der Fachmann,
der mit der Herstellung derartiger optischer Elemente befaßt ist, kennt selbstverständlich neben den rein mechanischen Verfahren sowie Spritz- und Gießverfahren zur Herstellung derartiger Strukturen auch die in der Halbleiterprozeßtechnik
angewandten Ätzverfahren zur Strukturierung von Halbleitermaterialien, insbesondere auch zur Fertigung optischer Elemente aus Halbleitermaterialien in einer integrierten Optik, was auch die Kurzfassung des Vortrags belegt, in der die Ionenstrahlätztechnik zur Herstellung von 45°- und 90°- Spiegeln erwähnt ist.
Hinsichtlich einer möglichst kostengünstigen Herstellung der Umlenkspiegelanordnung der bekannten mikrooptischen Vorrichtung liegt es jedenfalls bei Verwendung von Halbleitermaterialien für die Spiegelreihen nahe, die vorerwähnten
Strukturen mittels eines Ätzverfahrens der Halbleiterprozeßtechnik zu fertigen.
Der Gegenstand nach Patentanspruch 1 ist somit nicht patentfähig.
Mit dem Patentanspruch 1 haben auch die nebengeordneten Patentansprüche 2
und 3 keinen Bestand, da über einen Antrag nur einheitlich entschieden werden
kann.
Die von der Patentinhaberin angeregte Rechtsbeschwerde war nicht zuzulassen,
da es auf die Frage, ob für die Gegenstände der in der mündlichen Verhandlung
überreichten neuen nebengeordneten Ansprüche seitens der Patentinhaberin ein
Rechtsschutzbedürfnis vorliege (vgl auch BPatGE 43, 230; Entscheidung T 295/87
Technische Beschwerdekammer EPA Abl 1990, 470), nicht mehr ankam. Die
Beschwerde war, wie zuvor dargelegt, wegen fehlender Erfindungshöhe des
Gegenstands des Anspruchs 1 zurückzuweisen.
Dr. Hechtfischer
Dr. Franz
Dr. Kraus
Dr. Strößner
prö