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BPatG Beschluss vom 25.09.2002 – 19 W (pat) 15/01

19. Senat

BUNDESPATENTGERICHT

19 W (pat) 15/01 ________________ (Aktenzeichen)

Verkündet am 25. September 2002 …

B E S C H L U S S

In der Beschwerdesache

betreffend die Patentanmeldung 198 24 154.2-34

hat der 19. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts am

25. September 2002 unter Mitwirkung des Richters Dipl.-Phys. Dr. Mayer als

Vorsitzender und der Richter Knoll, Dr.-Ing. Kaminski und Dipl.-Ing. Groß

beschlossen:

Auf die Beschwerde der Anmelderin wird der Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 02 H des Deutschen Patent- und Markenamts vom 21. November 2000 aufgehoben und das Patent 198 24 154

mit folgenden Unterlagen erteilt.

Ansprüche 1 und 2, Beschreibungsseiten 1, 1a, 2, 3 und 4, diese

Unterlagen überreicht

in der mündlichen Verhandlung vom 6.70

25. September 2002 und eine Zeichnung, eingegangen am

14. November 2000.

Bezeichnung:

Schaltungsanordnung zum Schutz einer

Integrierten Schaltung.

Anmeldetag:

29. Mai 1998

G r ü n d e

I.

Das Deutsche Patent- und Markenamt – Prüfungsstelle für Klasse H 02 H – hat

die am 29. Mai 1998 eingereichte Anmeldung durch Beschluss vom

21. November 2000 zurückgewiesen mit der Begründung, dass der Gegenstand

des Patentanspruchs 1 nicht neu sei.

Gegen diesen Beschluss richtet sich die Beschwerde der Anmelderin vom

22. Dezember 2000.

Sie hat in der mündlichen Verhandlung vom 25. September 2002 neue Unterlagen

eingereicht und beantragt,

den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 02 H des Deutschen

Patent- und Markenamts vom 21. November 2000 aufzuheben und

das Patent mit folgenden Unterlagen zu erteilen:

Ansprüche 1 und 2, Beschreibungsseiten 1, 1a, 2, 3 und 4, diese

Unterlagen überreicht

in der mündlichen Verhandlung vom

25. September 2002, und eine Zeichnung, eingegangen am

14. November 2000.

Der geltende Patentanspruch 1 lautet:

„Schaltungsanordnung zum Schutz einer Integrierten Schaltung

(IC 1, IC 2, IC 3), die einer hohen Betriebsspannung und einer

niedrigen Betriebsspannung bedarf, gegen Beschädigung wegen

Nichteinhaltung der vorgesehenen Reihenfolge beim Anlegen der

Betriebsspannungen bei der

-

die Schaltung einen Anschluß für die hohe Betriebsspannung (VH) und einen Anschluß für die niedrige Betriebsspannung (VL) aufweist,

-

die Schaltung zumindest eine interne ESD-Diode oder eine

parasitäre Diode aufweist, die mit ihrer Kathode mit dem

Anschluß für die hohe Betriebsspannung und mit ihrer Anode

mit dem Anschluß für die niedrige Betriebsspannung verbunden ist,

dadurch gekennzeichnet, daß

außerhalb der Integrierten Schaltung eine Schottky-Diode (D) mit

ihrer Kathode mit dem Anschluß für die hohe Betriebsspannung

und mit ihrer Anode mit dem Anschluß für die niedrige Betriebsspannung verbunden ist.“

Mit den im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen soll die Aufgabe gelöst

werden, eine aufwandsarme Weiterbildung der eingangs umrissenen Schaltungsanordnung anzugeben, durch die eine Beschädigung der Schaltungsanordnung

durch Nichteinhaltung einer Einschaltreihenfolge auch dann vermieden wird, wenn

voneinander unabhängige Versorgungsspannungsmodule für die hohe Versorgungsspannung und für die niedrige Versorgungsspannung eingesetzt werden

(S 2, handschriftliche Einfügung nach Abs 2 der geltenden Beschreibung).

Die Anmelderin vertritt die Ansicht, dass zwar die in den Figuren 1 und 2 der US-

Patentschrift 5 610 791 dargestellten Dioden den erfindungsgemäß vorausgesetzten ESD-Dioden entsprächen, dass diese aber nicht zum Schutz von ESD-Dioden eingesetzt würden. Die beanspruchte, eine Entlastung der ESD-Diode oder

der parasitären Diode mittels einer Schottky-Diode bewirkende Schaltungsanordnung sei daher neu und durch den Stand der Technik nicht nahegelegt.

Wegen weiterer Einzelheiten wird auf den Akteninhalt verwiesen.

II.

Die Beschwerde ist zulässig und hat mit dem geänderten Patentbegehren Erfolg,

weil die Schaltungsanordnung des Patentanspruchs 1 patentfähig ist.

Als zuständiger Fachmann ist ein Fachhochschulingenieur der Elektrotechnik mit

Berufserfahrungen beim Entwurf und Betrieb Integrierter Schaltungen anzusehen.

1. Zulässigkeit der Patentansprüche 1 und 2

Die Fassung der geltenden Patentansprüche 1 und 2 ist zulässig.

Der geltende Patentanspruch 1 unterscheidet sich vom ursprünglichen dadurch,

dass es sich (a) bei der zu schützenden Schaltung um eine Integrierte Schaltung

handelt, dass (b) angegeben ist, dass diese mindestens eine interne ESD-Diode

oder parasitäre Diode aufweist, die mit ihrer Kathode mit dem Anschluß für die

hohe Betriebsspannung und mit ihrer Anode mit dem Anschluß für die niedrige

Betriebsspannung verbunden ist und dass (c) die den Schutz bewirkenden Diode

(D) außerhalb der Integrierten Schaltung eine Schottky-Diode ist.

(a)

Dass es sich bei der zu schützenden Schaltung um eine Integrierte Schaltung handelt, ist den ursprünglichen Unterlagen Seite 3 Absatz 4 als zur Erfindung gehörend zu entnehmen,

(b)

dass die mindestens eine ESD-Diode oder parasitäre Diode mit ihrer Kathode mit dem Anschluß für die hohe Betriebsspannung und mit ihrer

Anode mit dem Anschluß für die niedrige Betriebsspannung verbunden ist,

entnimmt der Fachmann der am Anmeldetag eingereichten Zeichnung in

Verbindung mit Seite 3, Absatz 4 der ursprünglichen Unterlagen und

(c)

dass es sich bei der Diode (D) um eine außerhalb der Integrierten Schaltung angeordnete Schottky-Diode handelt, ist im ursprünglich geltenden

Patentanspruch 2 in Verbindung mit Seite 4, Absatz 2 und 3 und der Zeichnung offenbart.

Der geltende Patentanspruch 2 ist vom Fachmann ebenfalls der ursprünglich eingereichten Zeichnung in Verbindung mit Seite 3, Absatz 1 der ursprünglichen Beschreibung – siehe dort die mit ihren Anschlüssen für die hohe Betriebsspannung

VH an der Kathode und mit ihren Anschlüssen für die niedrige Betriebsspannung

VL an der Anode der Diode D liegenden Integrierten Schaltungen IC 1, IC 2, IC 3

– zu entnehmen.

2. Neuheit

Die Schaltungsanordnung des Patentanspruchs 1 ist neu.

Aus der US-Patentschrift 5 610 791 ist eine Schaltungsanordnung zum Schutz einer Integrierten Schaltung gegen Beschädigung wegen Nichteinhaltung der vorgesehenen Reihenfolge beim Anlegen der Betriebsspannungen bekannt (Sp 1 Z 60

bis 64, Fig 3 iVm Sp 3 Z 6 bis 13). Die Schaltung benötigt eine hohe und eine

niedrige Betriebsspannung (Sp 1 Z 60: 3,3V und 2,5V). Sie weist dafür einen Anschluss für eine hohe (VDD(2)) und eine niedrige (VDD(1)) Betriebsspannung auf.

Als Beispiele für Schaltungen, die ein Einhalten der gegebenen Reihenfolge beim

Anlegen der Betriebsspannungen erfordert (power sequence dependent), zeigt die

US-Patentschrift eine ESD (Electro-Static Discharge)-Schutzschaltung in Form einer Diodenschaltung (Fig 1) oder eines Feldeffekttransistors (Fig 2), die jeweils mit

dem Anschluss für die hohe und die niedrige Betriebsspannung VDD(2), VDD(1)

verbunden sind (Sp 2 Z 6 bis 9). Die ESD-Schutzschaltung nach Figur 1 (Diodenschaltung) weist dabei – in Abweichung vom Gegenstand des Patentanspruchs 1

– drei externe in Serie geschaltete Dioden auf, von denen die erste mit ihrer Kathode mit dem Anschluss für die hohe Betriebsspannung VDD(2) und die dritte mit

dem Anschluss für die niedrige Betriebsspannung VDD(1) verbunden ist, wobei den

drei Dioden eine weitere antiparallel geschaltet ist.

Abweichend vom Gegenstand des Patentanspruchs 1 erfolgt nach der US-Patentschrift der Schutz gegen Beschädigung wegen Nichteinhalten der vorgesehenen

Reihenfolge beim Anlegen der Betriebsspannungen (Power sequence independent) durch zwischen den Betriebsspannungsanschlüssen VDD(1) und VDD(2) und

zwischen diesen und Masse VSS gelegene Schaltungen 17, 11, 13 (Fig 3 iVm Sp 3

Z 6 bis 13). Diese zweistufigen Schaltungen weisen jeweils einen spannungsmäßig angesteuerten Feldeffekttransistor (zB Fig 4: PFET 25) auf, der wiederum einen PNP-Transistor (zB Fig 4: 27) durchschaltet (Sp 4 Z 29 bis 57). Eine zwischen

den Betriebsspannungsanschlüssen außerhalb der Integrierten Schaltung angeordnete Schottky-Diode ist in der US-Patentschrift nicht angesprochen.

Die übrigen Entgegenhaltungen wurden in der mündlichen Verhandlung weder

von der Anmelderin noch vom Senat aufgegriffen. Sie gehen über den vorstehend

abgehandelten Stand der Technik nicht hinaus und bringen auch keine neuen Gesichtspunkte, so dass auf sie nicht eingegangen zu werden braucht.

3. Erfinderische Tätigkeit

Die Schaltungsanordnung des Patentanspruchs 1 beruht auch auf einer erfinderischen Tätigkeit.

Ausgehend von einer Schaltungsanordnung zum Schutz einer Integrierten Schaltung gegen Beschädigung wegen Nichteinhaltung der vorgesehenen Reihenfolge

beim Anlegen der Betriebsspannungen, wie sie in der US-Patentschrift 5 610 791

angesprochen ist, stellt sich die noch zu lösende patentgemäße Aufgabe, eine

Schaltungsanordnung anzugeben, die gegenüber der bekannten aufwandsarm ist,

dem Fachmann angesichts der dort vorgesehenen Transistorschaltungen von

selbst. Denn der durch die drei jeweils zweistufigen Transistorschaltungen (Fig 4,

6, 8: Pos 15,11,13) getriebene Aufwand regt ihn schon aus Kostengründen an,

nach einer Vereinfachung zu suchen.

Die US-Patentschrift 5 610 791 kann dem Fachmann jedoch keine Anregung geben, anstelle der bekannten zweistufigen Transistorschalter

lediglich eine

Schottky-Diode zwischen die Betriebsspannungsanschlüsse außerhalb der Integrierten Schaltung zu legen, um die interne ESD-Dioden oder parasitäre Dioden

vom Stromdurchfluss zu entlasten. Denn das bekannte Prinzip beruht nicht darauf,

ein passives Bauteil, wie eine Schottky-Diode einzusetzen, sondern sieht die Verwendung gesteuerter aktiver Bauteile (PFET, PNP-Transistor) als ESD-Schutz vor

(Sp 1 Z 20 bis 23), die schaltungsintern angeordnet sind (Sp 1 Z 22: on-chip).

Zwar mag der Fachmann aus seinem Fachwissen heraus daran denken, Dioden

zur Verhinderung eines in einer bestimmten Richtung fließenden Stromes einzusetzen, zumal dies eine grundsätzliche Eigenschaft von Dioden ist. Hierzu offenbart die US-Patentschrift nur bekannte Lösungen (Fig 1 u 2). Auch sind ihm

Schottky-Dioden und ihre Eigenschaften aus der täglichen Praxis bekannt.

Aber erst durch eine Schottky-Diode mit ihrer geringen Durchflussspannung, die

mit ihrer Kathode mit dem Anschluß für die hohe Betriebsspannung und mit ihrer

Anode mit dem Anschluß für die niedrige Betriebsspannung verbunden ist, wird

erreicht, dass eine interne ESD-Diode oder parasitäre Diode durch geeignete

Stromaufteilung bei unzulässigen Spannungsverhältnissen vollständig entlastet

wird.

Es bedurfte deshalb einer über bloßes fachmännisches Handeln hinausgehenden

erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns, um eine Schaltungsanordnung mit den

Merkmalen des Patentanspruchs 1 anzugeben.

III.

Der Unteranspruch 2 betrifft eine vorteilhafte und nicht selbstverständliche Weiterbildung der Schaltungsanordnung des Patentanspruchs 1 und ist mit diesem gewährbar.

Dr. Mayer

Knoll

Dr. Kaminski

Dipl.-Ing. Groß

Pr