Rechtsprechung / BPatG / 2006
BPatG Beschluss vom 15.02.2006 – 20 W (pat) 52/03
20. Senat
BUNDESPATENTGERICHT
_______________
(Aktenzeichen)
Verkündet am
15. Februar 2006
…
B E S C H L U S S
In der Beschwerdesache
betreffend das Patent 197 44 228
… 08.05
hat der 20. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf
die mündliche Verhandlung vom 15. Februar 2006 durch den …
beschlossen:
Auf die Beschwerde der Einsprechenden wird der Beschluss des
Deutschen Patent- und Markenamts - Patentabteilung 52 - vom
15. Mai 2003 aufgehoben.
Das Patent wird widerrufen.
G r ü n d e
I.
Im Einspruch ist fehlende Patentfähigkeit geltend gemacht worden. Das Patentamt
hat das Patent in vollem Umfang aufrechterhalten.
Die Einsprechende beantragt,
den angefochtenen Beschluss aufzuheben und das Patent zu widerrufen.
Die Patentinhaberin beantragt,
die Beschwerde zurückzuweisen und das Patent im erteilten Umfang aufrechtzuerhalten, hilfsweise das Patent mit den Patentansprüchen 1 bis 5, überreicht in der mündlichen Verhandlung, aufrechtzuerhalten.
Der Patentanspruch 1 gemäß Hauptantrag lautet:
„1. Sensor (1) mit einer Membran (3) in einem Rahmen (2) aus
Silizium,
insbesondere einem Massenflußsensor, wobei die
Membran (3) aus dielektrischen Schichten (10) aufgebaut ist und
auf der Membran (3) mindestens ein Widerstandselement (4, 5)
aus einem metallischen Dünnfilm aufgebracht ist, wobei eine Abdeckschicht (20) vorgesehen ist, die das mindestens eine Widerstandselement (4, 5) und eine Oberseite der Membran (3) bedeckt, wobei die dielektrischen Schichten für die Membran (3) so
ausgebildet sind, dass eine leichte Zugspannung eingestellt ist,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Abdeckschicht (20) aus mehreren Teilschichten (21, 22)
aufgebaut ist, dass eine erste Teilschicht auf dem mindestens einen Widerstandselement (4, 5) und der Membranoberfläche (3) im
wesentlichen aus Siliziumoxid aufgebaut ist, und dass auf der ersten Teilschicht (21) eine zweite Teilschicht (22) aufgebaut ist, und
dass sich die jeweiligen Spannungszustände der ersten und zweiten Teilschicht (21, 22) zu einer leichten Zugspannung addieren.“
Der nebengeordnete Patentanspruch 5 gemäß Hauptantrag hat folgende Fassung:
„5. Sensor (1) mit einer Membran (3) in einem Rahmen (2) aus
Silizium,
insbesondere einem Massenflußsensor, wobei die
Membran (3) aus dielektrischen Schichten (10) aufgebaut ist und
auf der Membran (3) mindestens ein Widerstandselement (4, 5)
aus einem metallischen Dünnfilm aufgebracht ist, wobei eine Abdeckschicht (20) vorgesehen ist, die das mindestens eine Widerstandselement (4, 5) und eine Oberseite der Membran (3) bedeckt, wobei die dielektrischen Schichten für die Membran (3) so
ausgebildet sind, dass eine leichte Zugspannung eingestellt ist,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Abdeckschicht (20) im wesentlichen aus Siliziumoxid besteht, wobei sich ein Überschuß an Silizium im Siliziumoxid kontinuierlich mit der Dicke der Abdeckschicht (20) ändert, und dass
die Abdeckschicht (20)
ebenfalls
leichte Zugspannungen
aufweist.“
Der Patentanspruch 1 gemäß Hilfsantrag hat folgende Fassung:
„1. Sensor (1) mit einer Membran (3) in einem Rahmen (2) aus
Silizium,
insbesondere einem Massenflußsensor, wobei die
Membran (3) aus dielektrischen Schichten (10) aufgebaut ist und
auf der Membran (3) mindestens ein Widerstandselement (4, 5)
aus einem metallischen Dünnfilm aufgebracht ist, wobei eine Abdeckschicht (20) vorgesehen ist, die das mindestens eine Widerstandselement (4, 5) und eine Oberseite der Membran (3) bedeckt, wobei die dielektrischen Schichten für die Membran (3) so
ausgebildet sind, dass eine leichte Zugspannung eingestellt ist,
wobei die Abdeckschicht (20) aus mehreren Teilschichten (21, 22)
aufgebaut ist, wobei eine erste Teilschicht auf dem mindestens einen Widerstandselement (4, 5) und der Membranoberfläche (3) im
wesentlichen aus Siliziumoxid aufgebaut ist, wobei auf der ersten
Teilschicht (21) eine zweite Teilschicht (22) aufgebaut ist, wobei
sich die jeweiligen Spannungszustände der ersten und zweiten
Teilschicht (21, 22) zu einer leichten Zugspannung addieren
dadurch gekennzeichnet, dass
die Zugspannungen in der Membranschicht (10) und die Zugspannungen in der Abdeckschicht (20) in etwa gleich groß sind.“
Der nebengeordnete Patentanspruch 4 gemäß Hilfsantrag entspricht dem Patentanspruch 5 gemäß Hauptantrag.
Folgende Druckschriften werden u. a. erörtert:
(6)
U. Dibbern, A Substrate for Thin-film Gas Sensors in Microelectronic
Technology, Sensors and Actuators B, 2 (1990) 63-70
(9)
US 5 428 244 A
Die Einsprechende führt aus, der Gegenstand des Patentanspruches 1 gemäß
Hauptantrag und gemäß Hilfsantrag sei gegenüber Druckschrift (6) nicht neu.
Die Patentinhaberin ist dagegen der Ansicht, schon der Gegenstand des Patentanspruches 1 gemäß Hauptantrag sei patentfähig. Die die Zugspannung der Abdeckschicht betreffenden Merkmale seien aus Druckschrift (6) nicht entnehmbar.
II.
Die Beschwerde ist zulässig. Sie führt zum Widerruf des Patents.
Hauptantrag
Der Gegenstand des Patentanspruches 1 gemäß Hauptantrag umfasst den Gegenstand des enger gefassten Patentanspruchs 1 gemäß Hilfsantrag. Nachdem
letzterer - wie die nachfolgenden Ausführungen zum Hilfsantrag zeigen - nicht neu
ist, ist auch der Patentanspruch 1 nach Hauptantrag nicht rechtsbeständig.
Hilfsantrag
Der Gegenstand des Patentanspruches 1 gemäß Hilfsantrag ist nicht neu.
Als Fachmann ist ein Physiker anzusehen, der über mehrjährige Berufserfahrung
in der Entwicklung von Mikrosensoren verfügt.
Aus Druckschrift (6) ist ein Sensor mit einer Membran in einem Rahmen aus Silizium bekannt (S. 63 Abstract; S. 64 Fig. 1). Die Membran ist aus dielektrischen
Schichten aufgebaut (S. 66 re. Sp. vorle. Abs.). Auf der Membran ist mindestens
ein Widerstandselement aus einem metallischen Dünnfilm aufgebracht (Fig. 1;
S. 63 re. Sp. Abs. 2 des Kap. "Fundamentals of the Sensor Structure"). Das mindestens eine Widerstandselement und eine Oberseite der Membran sind von einer
Abdeckschicht bedeckt (Fig. 1 Passivation).
In Druckschrift (6) (S. 66 re. Sp. vorle. Abs.) wird ausgeführt, dass Oxynitride als
Material für die Membran als gut geeignet erscheinen, die Bedingungen für niedrige Zugspannungen jedoch noch erkundet werden müssen. Deshalb wird nach
(6) eine andere Lösung verwendet, die auf bereits bekannten Standardprozessen
beruht und bei der jeweils zunächst eine Schicht aus Siliziumoxid und dann aus
Siliziumnitrid eingesetzt wird, wobei für jede Kombination dieser beiden Materialien durch Wärmebehandlung die Spannungswerte der beiden Materialien in der
gewünschten Weise kompensiert werden. Drei solcher Kombinationen bilden die
Membran. Auch wenn nicht ausdrücklich darauf hingewiesen wird, so ergibt sich
für den Fachmann dennoch aus dem Zusammenhang dieser Ausführungen in (6)
(S. 66 re. Sp. vorle. Abs.), dass die Membran eine leichte Zugspannung aufweist.
Dies steht nicht im Widerspruch zu dem dort benutzten Begriff „compensation of
stress“. Denn eine Kompensation führt nicht notwendigerweise zu einer vollständigen Aufhebung von Zugspannung und Druckspannung. Vielmehr kann eine Kompensation auch eine niedrige Zugspannung ergeben, so wie es beim Gegenstand
nach Druckschrift (6) offensichtlich der Fall ist.
Die Abdeckschicht besteht ebenfalls aus Siliziumoxid und Siliziumnitrid. Sie ist aus
mehreren Teilschichten aufgebaut und in ähnlicher Weise hergestellt wie die
Membran (S. 67 li. Sp. vorle. Abs.: similar to the membrane technique). Daraus
lässt sich schließen, dass die erste Teilschicht der Abdeckschicht ebenfalls aus
Siliziumoxid besteht, dass darauf eine zweite Teilschicht aufgebaut ist und dass
die Abdeckschicht eine niedrige Zugspannung aufweist. Die Zugspannung der
Abdeckschicht ergibt sich selbstverständlich durch Addition der Zugspannungen
der ersten und der zweiten Teilschicht. Der ähnliche Aufbau der Abdeckschicht
und der Membran führt auch zu ähnlichen Zugspannungen der Abdeckschicht und
der Membran. Die Zugspannungen in der Membran und in der Abdeckschicht sind
somit in etwa gleich groß.
Der Gegenstand des Patentanspruches 1 gemäß Hilfsantrag ist somit mit allen
Merkmalen aus Druckschrift (6) bekannt.
Bei dieser Sachlage kommt es auf die Patentfähigkeit des Gegenstands des nebengeordneten Patentanspruches 5 gemäß Hauptantrag bzw. des Patentanspruches 4 gemäß Hilfsantrag nicht mehr an. Im Übrigen beruht dieser Gegenstand
nach Überzeugung des Senats im Hinblick auf die Druckschriften (6) und (9) nicht
auf einer erfinderischen Tätigkeit.
gez.
Unterschriften