Rechtsprechung / BPatG / 2006
BPatG Beschluss vom 21.03.2006 – 23 W (pat) 3/04
23. Senat
BUNDESPATENTGERICHT
_______________
(Aktenzeichen)
Verkündet am
21. März 2006
…
B E S C H L U S S
In der Beschwerdesache
…
betreffend die Patentanmeldung 101 56 468.6-33
hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf
die mündliche Verhandlung vom 21. März 2006 unter Mitwirkung … 08.05
beschlossen:
Die Beschwerde der Anmelderin wird zurückgewiesen.
G r ü n d e
I
Die vorliegende Patentanmeldung 101 56 468.6-33 ist unter der Bezeichnung
„Halbleiterbauelement und Verfahren zum Kontaktieren eines solchen Halbleiterbauelements“ am 16. November 2001 beim Deutschen Patent- und Markenamt
eingereicht worden.
Mit Beschluss vom 24. Oktober 2003 hat die Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des
Deutschen Patent- und Markenamts die Anmeldung zurückgewiesen. Sie hat ihre
Entscheidung damit begründet, dass der Gegenstand nach dem damals geltenden
Patentanspruch 1 im Hinblick auf den Stand der Technik nach den Druckschriften
DE 695 13 680 T2
und
J.P. Stengl/J.Tihanyi: „Leistungs-MOS-FET-Praxis“,
Pflaum-Verlag München, 2. Auflage, 1992, Seiten 33, 34 und 37 bis 39, nicht auf
einer erfinderischen Tätigkeit beruhe.
Gegen den vorgenannten Zurückweisungsbeschluss richtet sich die Beschwerde
der Anmelderin. In der mündlichen Verhandlung verfolgt sie ihr Schutzbegehren
mit den am 13. März 2006 - als Hilfsantrag - eingereichten geänderten Patentansprüchen 1 und 2 weiter und vertritt die Auffassung, dass der Gegenstand des
neugefassten Patentanspruchs 1 durch den nach gewiesenen Stand der Technik,
einschließlich der vom Senat genannten US-Patentschriften 5 666 009 und
6 111 297, nicht patenthindernd getroffen sei.
Die Anmelderin beantragt,
den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deutschen Patent- und Markenamts vom 24. Oktober 2003 aufzuheben und das Patent mit folgenden Unterlagen zu erteilen:
Patentansprüche 1 und 2, eingegangen am 13. März 2006,
anzupassende ursprüngliche Beschreibung,
2 Blatt Zeichnungen, Figuren 1 bis 3, gemäß Offenlegungsschrift.
Der geltende Patentanspruch 1 hat folgenden Wortlaut:
„Halbleiterbauelement
mit einer rechteckigen Außenkontur und äußeren Begrenzungskanten (4); mehreren regelmäßig entlang einer Wiederholungsrichtung angeordneten aktiven Zellen (1), die streifenförmig ausgebildet sind und jeweils eine zu ihrer längeren Seite parallele
Hauptbegrenzungslinie (8) aufweisen; und mindestens einer
rechteckig ausgebildeten Bondfläche (14, 16), auf der zumindest
ein Bonddraht (18, 20) durch Bonden mit einem in einer Hauptschwingungsrichtung (22, 24) schwingenden Bondwerkzeug befestigbar ist; wobei mindestens eine Bondfläche (14,1 6) über
mehreren streifenförmigen aktiven Zellen (1) und mit ihrer längeren Rechteckseite parallel zur Hauptbegrenzungslinie (8) angeordnet ist.“
Wegen des geltenden Unteranspruchs 2 sowie weiterer Einzelheiten wird auf den
Akteninhalt verwiesen.
II
Die zulässige Beschwerde der Anmelderin ist nicht begründet, denn der Gegenstand des geltenden Patentanspruchs 1 erweist sich nach dem Ergebnis der
mündlichen Verhandlung als nicht patentfähig.
1.)
Die vorliegende Patentanmeldung betrifft das Problem, dass beim sog.
Ultraschall- oder „wedge“-Bonding auf Bondflächen, die über aktiven Zellen des zu
kontaktierenden Halbleiterbauelements angeordnet sind („bonding on active
area“), durch den in Bondrichtung („Hauptschwingungsrichtung“) schwingenden
Schwingkopf des Bondwerkzeugs die Einbringung mechanischer Energie während
des Bondvorgangs zu einer Schädigung des Halbleiterbauelements führen kann
(Abschnitte [0002] bis [0004] und [0008] der Anmeldungs-Offenlegungsschrift).
Die dem Anmeldungsgegenstand zugrunde liegende Aufgabe liegt daher darin,
ein Halbleiterbauelement dahingehend zu optimieren, dass Belastungen des
Halbleiterbauelements während des Bondvorganges minimiert werden (Abschnitt [0006]).
Diese Aufgabe soll durch die im geltenden Anspruch 1 genannten Merkmale gelöst werden.
Die erfindungsgemäße Lösung basiert auf der Erkenntnis der Anmelderin, dass
bei Halbleiterbauelementen mit streifenförmigen aktiven Zellen (Streifenzellen) die
Gefahr der Schädigung der aktiven Zellen beim Bonden am größten ist, wenn die
Hauptschwingungsrichtung (Bondrichtung) senkrecht bzw. quer zur Längserstreckung der Streifenzellen verläuft (Abschnitt [0008] Zeilen 53 bis 59), wohingegen
die Schädigung bei einer Bondrichtung (Doppelpfeil 22) parallel zur Längserstreckung (Doppelpfeil 6) der Streifenzellen (1) minimiert ist (siehe die Ausführungsform gemäß Fig. 1, linkes Beispiel).
Dieses Lösungsprinzip kommt jedoch im geltenden Patentanspruch 1, wie auch
die Anmelderin in der mündlichen Verhandlung eingeräumt hat, insofern noch
nicht hinreichend zum Ausdruck, weil für die Minimierung der mechanischen Belastung während des Bondvorgangs und damit zur Problemlösung nicht - wie im
Anspruch 1 angegeben - die Ausrichtung der rechteckigen Bondfläche, sondern
die Bondrichtung parallel zur Längserstreckung der Streifenzellen entscheidend
ist. Diese Vorzugs-Bondrichtung ergibt sich aus der im geltenden Anspruch 1 angegebenen Ausrichtung der längeren Rechteckseite der Bondfläche parallel zur
Hauptbegrenzungslinie der Streifenzellen ersichtlich nur für die spezielle Ausführungsform gemäß Fig. 1, bei der die Bondrichtung parallel zur längeren Rechteckseite der Bondfläche verläuft.
2.)
Die Zulässigkeit des geltenden Anspruchs 1 kann dahinstehen, weil der
Gegenstand des wie vorstehend auszulegenden Patentanspruchs 1 gegenüber
dem Stand der Technik nach der US-Patentschrift 6 111 297 nicht neu ist.
Dem zuständigen Fachmann, der hier als ein mit dem Aufbau, der Herstellung und
der Kontaktierung von Halbleiterbauelementen, insbesondere Leistungshalbeiterbauelementen vertrauter, berufserfahrener Diplom-Physiker oder Diplom-Ingenieur
der Fachrichtung Elektrotechnik/Halbleitertechnik mit Universitätsausbildung zu
definieren ist, offenbart die US-Patentschrift 6 111 297 ein Halbleiterbauelement
mit sämtlichen Merkmalen des Patentanspruchs 1.
So ist aus dieser Entgegenhaltung ein Halbleiterbauelement, nämlich ein
Leistungs-VDMOS oder IGBT bekannt (Spalte 1 Zeilen 9 bis 13), mit einer rechteckigen Außenkontur und äußeren Begrenzungskanten (chip 1 - siehe Fig. 1); mit
mehreren regelmäßig entlang einer Wiederholungsrichtung angeordneten aktiven
Zellen, die streifenförmig ausgebildet sind und jeweils eine zu ihrer längeren Seite parallele Hauptbegrenzungslinie aufweisen („active“ stripes 11 containing the N+-
source stripes 15 - Fig. 3, 8 und 17 mit zugehöriger Beschreibung); mit mindestens einer Bondfläche (source bonding pad area 6 for the source lead - Fig. 1
i. V. m. Spalte 2 Abs. 3), auf der zumindest ein Bonddraht (nicht dargestellt) durch
Bonden mit einem in einer Hauptschwingungsrichtung schwingenden Bondwerkzeug befestigbar ist (fachnotorische Maßnahme beim Bonden eines Leistungshalbleiterbauelements); wobei mindestens eine Bondfläche (6) über mehreren
streifenförmigen aktiven Zellen (11, 15) angeordnet ist (Fig. 3 und 8 mit zugehöriger Beschreibung i. V. m. Spalte 2 Zeilen 10 bis 24).
Zwar ist dieser Druckschrift die Bondrichtung zum Bonden auf der Bondfläche (6)
nicht explizit zu entnehmen. Die Vorzugs-Bondrichtung parallel zur Längserstreckung der Streifenzellen ergibt sich jedoch vorliegend für den Fachmann ohne
Weiteres aus dem Erfordernis der bei Leistungshalbleiterbauelementen (IGBT)
notwendigen kürzestmöglichen, geradlinigen Bondverbindung zur stromführenden
Hauptelektrode (source metal plate 5, bonding source pad 6), die ersichtlich (siehe
Fig. 1) parallel zur kürzeren Rechteckseite des Halbleiterbauelements (1) und
damit parallel zu den Streifenzellen verläuft, so dass sie in Gedanken gleich „mitgelesen“ wird (BGH GRUR 1995, 330 Ls. 2 - „Elektrische Steckverbindung“). Die
rechteckige Ausbildung der Bondfläche durch entsprechende Ausbildung des
Fensters in der Passivierungsschicht (26 - vgl. Spalte 6 letzter Absatz) auf der
Oberfläche des Halbleiterbauelements (1) ist die fachnotorisch übliche Ausgestaltung, wobei sich die
längere Rechteckseite
- entsprechend dem Gate-
Bondpad (2 - Fig. 1) - ebenfalls parallel zu den Streifenzellen erstreckt.
Damit sind mit dem bekannten Halbleiterbauelement sämtliche Merkmale des
geltenden Patentanspruchs 1 erfüllt.
Die von der Anmelderin geltend gemachten zusätzlichen Wirkungen hinsichtlich
der Minimierung der auf die Streifenzellen ausgeübten mechanischen Kräfte während des Bondens stellen sich bei dieser Geometrie des bekannten Halbleiterbauelements zwangsläufig von selbst ein. Das Feststellen einer neuen Wirkung eines
bekannten Gegenstandes kann aber nach ständiger Rechtsprechung die Neuheit
nicht begründen (BGH GRUR 1998, 899, 900 re. Sp. Abschnitt II.C.2 - „Alpinski“;
Busse, PatG, 6. Auflage, § 3 Rdn. 159, 160 m. w. Nachw.; siehe auch Rogge in
GRUR 1996, 931, 940 re. Sp. Abs. 2).
Das Halbleiterbauelement gemäß Patentanspruch 1 ist daher mangels Neuheit
nicht patentfähig.
3.) Mit dem Patentanspruch 1 fällt - aufgrund der Antragsbindung (BGH
GRUR 1997, 120 Ls., 122 - „Elektrisches Speicherheizgerät“ m. w. Nachw.) - notwendigerweise auch der darauf rückbezogene geltende Unteranspruch 2.
Bei der dargelegten Sachlage war die Beschwerde der Anmelderin zurückzuweisen.
gez.
Unterschriften