BPatG Beschluss vom 06.06.2008 – 14 W (pat) 13/06

BUNDESPATENTGERICHT

14 W (pat) 13/06

_______________

(Aktenzeichen)

Verkündet am

6. Juni 2008

…

B E S C H L U S S

In der Beschwerdesache

betreffend die Patentanmeldung 100 85 278.5-45

…

hat der 14. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts

auf die mündliche Verhandlung vom 6. Juni 2008 unter Mitwirkung des Vorsit- 08.05

zenden Richters Dr. Schröder, der Richterinnen Schwarz-Angele und Dr.

Proksch-Ledig sowie u

nd des Richters Dr. Gerster

beschlo

ssen:

Der angefo

chtene Beschluss wird aufgehoben und das Patent erteilt.

B

ezeichnung: Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen

Aluminiumnitridkörpers

Anmeldetag:

5. Dezember 2000

Der Erteilung liegen folgende Unterlagen zugrunde:

P

atentansprüche 1 bis 7, überreicht in der mündlichen Verhandlung,

B

eschreibung Seiten 1 bis 18, überreicht in der mündlichen Verhandlung,

1 Seite Zeichnungen mit Figur 1 gemäß Offenlegungsschrift.

G r ü n d e

I.

Mit dem angefochtenen Be

schluss vom 18. Januar 2006 hat die Prüfungsstelle

für Klasse C 04 B des Deutschen Patent- und Markenamtes die Patentanmeldung mit der Bezeichnung

„Hochreine elektrostatische Scheibenhalter mit niedrigem spezifschen Widerstand"

zurückgewiesen.

Die Zurückweisung ist im wesentlichen damit begründet, dass der Gegenstand

des seinerzeit geltenden Patentanspruches 1 gegenüber dem aus den Druckschriften

(1) WO 97/35 816 A1 und

(2) EP 771 772 A2

bekannten Stand der Technik nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit beruhe.

Gegen diesen Beschluß richtet sich die Beschwerde der Anmelderin, mit der sie

ihr Patentbegehren mit den in der mündlichen Verhandlung überreichten Patentansprüchen 1 bis 7 und einer hieran angepassten Beschreibung weiterverfolgt. Der Patentanspruch 1 hat folgenden Wortlaut:

Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Aluminiumnitridkörpers mit den folgenden Schritten:

a) Sintern eines im wesentlichen aus Aluminiumnitrid beste-henden ungebrannten Körpers, um einen polykristallinen Körper,

der keine Sinterhilfsmittel enthält, auszubilden, wobei der polykristalline Körper mit einer Rate unter etwa 15°C pro Minute

von einer Sintertemperatur auf eine Durchwärmtemperatur,

die geringer ist als die Sintertemperatur, abgekühlt wird; und

b) Aussetzen des polykristallinen Körpers in einer Atmosphäre

mit Stickstoffmangel mit einem Stickstoffpartialdruck von unter

35 kPa einer Durchwärmtemperatur von mindestens 1000°C

über einen Zeitraum der ausreicht, um zu bewirken, dass der

Volumenwiderstand des polykristallinen Körpers bei einer Temperatur von etwa 23°C unter 1 x 1013 Ohm·cm liegt.

Zur Begründung ihrer Beschwerde hat die Anmelderin im wesentlichen vorgetragen, der Druckschrift D1 sei an keiner Stelle zu entnehmen, dass mit den dort angegebenen Verfahrensmaßnahmen der Wert des Volumenwiderstandes der dort

beschriebenen Aluminiumnitridkeramiken bei Raumtemperatur unter den im geltenden Patentanspruch 1 genannten Wert gesenkt werden könne. Dieses Dokument könne daher in einer Zusammenschau mit der den nächsten Stand der

Technik darstellenden Entgegenhaltung D2 das beanspruchte Verfahren nicht nahe legen.

Die Anmelderin beantragt,

den angefochtenen Beschluss aufzuheben und das Patent mit den

im Beschlusstenor aufgeführten Unterlagen zu erteilen.

Wegen weiterer Einzelheiten, insbesondere zum Wortlaut der Patentansprüche 2

bis 7, wird auf den Akteninhalt verwiesen.

II.

Die Beschwerde ist zulässig und führt zu dem im Tenor angegebenen Ergebnis.

1. Die geltenden Patentansprüche sind zulässig. Der Patentanspruch 1 geht auf

den ursprünglich eingereichten Patentanspruch 34 i. V. m. den ursprünglich eingereichten Patentansprüchen 3 und 37 sowie auf die Erstunterlagen S. 5 Z. 9 bis 10,

S. 9 Z. 2 bis 5 und S. 10 Z. 10 bis 17 zurück. Die abhängigen Patentansprüche 2

bis 7 entsprechen den ursprünglich eingereichten Patentansprüchen 35, 36 und

38 bis 41. Die Patentansprüche sind auch sonst nicht zu beanstanden.

2. Das Verfahren gemäß geltendem Patentanspruch 1 ist neu.

Aus keiner der im Verfahren genannten Entgegenhaltungen ist ein Verfahren zur

Herstellung polykristalliner Aluminiumnitridkörper, die kein Sinterhilfsmittel enthalten und einen Volumenwiderstand von kleiner 1,0 x 1013 Ohm·cm aufweisen, bekannt, bei dem ein gesinterter Aluminiumnitridkörper unmittelbar nach dem Sintern

kontrolliert auf eine Durchwärmtemperatur von mindestens 1000°C abgekühlt wird.

Nach dem Verfahren, das im am nächsten kommenden Dokument D2 beschrieben wird, wird die gesinterte Aluminiumnitridkeramik zum Erreichen eines Volumenwiderstandes, der bei Raumtemperatur größer 1,0 x 109 Ohm·cm und kleiner 1,0 x 1013 Ohm·cm ist, im Gegensatz zum beanspruchten Verfahren bei Temperaturen die gleich bzw. größer den Sintertemperaturen sind, durchgewärmt (vgl.

Patentansprüche 1 und 15 i. V. m. Beschreibung Sp. 18 Z. 1 bis 25 und Beispiele 2 bis 12). Im Verfahren gemäß der Entgegenhaltung D1 werden zur Erniedrigung des spezifischen Widerstandes von Aluminiumnitridkeramiken, die als

Scheibenhalter für Wafer dienen, die in Gegenwart eines Sinterhilfsmittels gesinterten Keramiken dann, wenn sie einer Durchkkkwärmphase ausgesetzt werden,

zunächst abgekühlt und darauf folgend wieder auf die gewünschte Temperatur erhitzt (vgl. Patentansprüche 1 und 24 i. V. m. Beschreibung S. 20 Z. 1 bis 6 sowie

S. 22 Z. 31 bis 23 Z. 3). Das in der im Prüfungsverfahren vor dem Deutschen Patent- und Markenamt darüber hinaus genannten Druckschrift D3 (= EP 0 882 689

A2) beschriebene Verfahren zur Herstellung von Aluminiumnitridkörpern unterscheidet sich alleine schon deshalb vom Verfahren gemäß geltendem Patentanspruch 1, weil dort Oxide von Seltenen Erden, d. h. Sinterhilfsmittel, zur Anwendung kommen (vgl. Patentanspruch 5 und 15 i. V. m. Beschreibung S. 4 Z. 46 bis

54).

3. Die Bereitstellung des Verfahrens zur Herstellung eines polykristallinen Aluminiumnitridkörpers gemäß Patentanspruch 1 beruht auch auf einer erfinderischen

Tätigkeit.

Geltender Rechtsprechung folgend richtet sich die Formulierung der Aufgabe alleine nach dem tatsächlich Erfundenen (vgl. Schulte PatG 7. Aufl. § 1 Rdn. 63,

64). Nachdem das Dokument D2 bereits ein Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Aluminiumnitridkörpern mit einem Volumenwiderstand bei Raumtemperatur in einem Bereich von größer 1,0 x 109 Ohm·cm bis kleiner 1,0 x 1013 Ohm·cm

nennt und die in der Anmeldung angegebene Aufgabe damit bereits gelöst ist (vgl.

Erstunterlagen S. 3 Z. 18 bis 31), ist die objektive Aufgabe der Anmeldung darin

zu sehen, ein weiteres Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Aluminiumnitridkörpern mit einem Volumenwiderstand bei Raumtemperatur von unter 1 x 1013 Ohm·cm bereitzustellen.

Gelöst wird diese Aufgabe gemäß Patentanspruch 1 durch ein Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Aluminiumnitridkörpers, bei dem

1.

zur Ausbildung eines polykristallinen Körpers ein im wesentlichen aus Aluminiumnitrid bestehender ungebrannter

Körper gesintert wird,

1.1. der keine Sinterhilfsmittel enthält,

2.

der polykristalline Körper von einer Sintertemperatur auf eine

Durchwärmtemperatur abgekühlt wird, 2.1 dies mit einer Rate unter etwa 15°C pro Minute erfolgt und

2.2. wobei die Durchwärmtemperatur geringer als die Sintertemperatur ist,

3.

der polykristalline Körper folgenden Maßnahmen ausgesetzt

wird:

3.1. einer Atmosphäre mit Stickstoffmangel mit einem Stickstoffpartialdruck von unter 35 kPa,

3.2. einer Durchwärmtemperatur von mindestens 1000°C, und

3.3. dieses über einen Zeitraum, der ausreicht, dass der Volumenwiderstand des polykristallinen Körpers bei einer Temperatur von etwa 23°C unter 1 x 1013 Ohm·cm liegt.

Den nächstliegenden Stand der Technik stellt das Dokument D2 dar. Dieses

gibt ein Verfahren zur Herstellung von ebenfalls hochreinen polykristallinen

Aluminnitridkörpern an, die als elektrostatische Scheibenhalter für Wafer dienen. Dabei wird ein Aluminiumnitridpulver eingesetzt, das keine Sinterhilfsmittel

enthält, und ein Keramikkörper erhalten, der bei Raumtemperatur einen Volumenwiderstand von unter 1013 Ohm·cm aufweist. Um dieses zu erreichen, wird

der gesinterte Körper gemäß D2 in einer Stickstoffmangelatmosphäre bei Temperaturen, die gleich bzw. größer den Sintertemperaturen sind, getempert (vgl.

Patentansprüche 1 und 15 i. V. m. Beschreibung Sp. 2 Z. 47 bis Sp. 3 Z. 12,

sowie Sp. 18 Z. 1 bis 25). Anregungen dahingehend jedoch, das Verfahren zur

Herstellung eines polykristallinen Aluminiumnitridkörpers wie gemäß geltendem

Patentanspruch 1 so zu führen, dass der gesinterte Aluminiumnitridkörper nach

dem Sintern kontrolliert, und zwar mit einer Rate unter etwa 15°C pro Minute,

auf eine Durchwärmtemperatur, die geringer als die Sintertemperatur ist, abgekühlt wird, um auf diese Weise einen Volumenwiderstand von unter 1 x 1013

Ohm·cm einzustellen, enthält die Entgegenhaltung D2 indessen nicht.

Auch in einer Zusammenschau mit den weiteren im vorliegenden Verfahren genannten Druckschriften wird das nunmehr beanspruchte Verfahren nicht nahegelegt.

So werden die in der Entgegenhaltung D1 beschriebenen Aluminiumnitridkörper,

die gleichfalls als Scheibenhalter für Wafer vorgesehen sind, zur Erzielung eines

niedrigen spezifischen Widerstandes zwar ebenso bei Temperaturen, die unterhalb der Sintertemperatur liegen, einer Durchwärmphase unterzogen, und bis zur

Erreichung der Abschrecktemperatur einer kontrollierten Temperatursenkung in

stickstoffarmer bzw. -freier Atmosphäre ausgesetzt. Im Unterschied zum anmeldungsgemäßen Verfahren erfolgt hier jedoch unmittelbar nach dem Sintern zunächst eine Abkühlung auf Temperaturen, die zur Durchführung der in Rede stehenden Maßnahme, dem Tempern, ein erneutes Erhitzen des Keramikkörpers erforderlich machen (vgl. Patentanspruch 1 und 24 i. V. m. S. 14 Z. 32 bis S. 15 Z. 5,

S. 20 Z. 1 bis 10 und S. 22 Z. 31 bis S. 23 Z. 3). Ferner wird gemäß diesem Dokument eine kontrollierte Temperaturabsenkung stets nur dann beschrieben, wenn

eine endgültige Abkühlung auf die Abschrecktemperatur entweder sofort nach

dem Sintern mit der Zielsetzung, die gewünschten dielektrischen Eigenschaften

einzustellen, erfolgt oder nach dem Tempervorgang (vgl. Patentansprüche 2 bis 4

i. V. m. Beschreibung S. 15 Z. 30 bis S. 17 Z. 15 sowie S. 21 Z. 20 bis 32). Die

Lehre aber, unmittelbar nach dem Sintern die Temperatur kontrolliert auf eine

Durchwärmtemperatur abzusenken und den Keramikkörper erst nach dem Tempern endgültig abzukühlen, um auf diese Weise einen Aluminiumnitridkörper mit

dem gewünschten Volumenwiderstand zu erhalten, wird mit dieser Entgegenhaltung jedenfalls nicht vermittelt. Dieses trifft umso mehr zu, als dieses Dokument

auch keine Anhaltspunkte insofern enthält, auf diese Weise seien spezifische Widerstände kleiner 1 x 1013 Ohm·cm einstellbar.

Nach der im Prüfungsverfahren genannten Entgegenhaltung D3 wird das Verfahren zur Herstellung von Aluminiumnitridkörpern ohne zusätzliche Durchwärmstufe

durchgeführt, auch wird dort ein Volumenwiderstand für die Keramikkörper angestrebt, der nicht unter 1 x 1013 Ohm·cm liegt (vgl. Patentansprüche 1, 4 und 15

sowie Beschreibung S. 6 Z. 55 bis 58, S. 7 Z. 10 bis 16 und 37 bis 40 i. V. m. Tabelle 2). Damit aber kann auch dieses Dokument dem Fachmann keine Anregungen dahingehend vermitteln, das Verfahren so, wie es im geltenden Patentanspruch 1 angegeben ist, zu führen.

Das Verfahren gemäß geltendem Patentanspruch ergibt sich damit nicht in nahe

liegender Weise aus dem Stand der Technik.

4. Das Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Aluminiumnitridkörpers

nach geltendem Patentanspruch 1 erfüllt somit alle Kriterien der Patentfähigkeit.

Der geltende Patentanspruch 1 ist daher gewährbar.

Die Patentansprüche 2 bis 7 betreffen besondere Ausgestaltungen des Verfahrens

nach Patentanspruch 1 und sind mit diesem gewährbar.

Schröder

Schwarz-Angele

Proksch-Ledig

Gerster

Na