Rechtsprechung / BPatG / 2000
BPatG Beschluss vom 11.04.2000 – 23 W (pat) 36/99
23. Senat
BUNDESPATENTGERICHT
_______________
(Aktenzeichen)
Verkündet am
11. April 2000
…
B E S C H L U S S
In der Beschwerdesache
betreffend die Patentanmeldung P 41 14 174.1-33
…
hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf
die mündliche Verhandlung vom 11. April 2000 unter Mitwirkung des Vorsitzenden
Richters Dr. Beyer, der Richter Dr. Meinel und Dr. Gottschalk sowie der Richterin
Tronser 6.70
beschlossen:
Auf die Beschwerde der Anmelderin wird der Beschluß des Deutschen Patent- und Markenamts - Prüfungsstelle
für Klasse
H 01 L - vom 26. März 1999 aufgehoben. Die abgetrennte Anmeldung Patentansprüche 1 bis 5 in der am 10. April 2000 eingereichten, mit "für die Ausscheidungsanmeldung" bezeichneten
Fassung, mit nachzureichender Beschreibung und nachzureichenden Zeichnungen wird an das Deutsche Patent- und
Markenamt zurückverwiesen.
Die weitergehende Beschwerde der Patentanmelderin wird zurückgewiesen.
G r ü n d e
I.
Die Anmelderin hat am 30. April 1991 eine Patentanmeldung mit der Bezeichnung
"Leistungstransistorbauteil sowie Verfahren zu seiner Herstellung" beim Deutschen Patentamt eingereicht und für diese Anmeldung die Unionspriorität der
Voranmeldung in den Vereinigten Staaten von Amerika vom 9. Mai 1990 (Az
521177) in Anspruch genommen. Die ursprünglichen Unterlagen enthalten 34
Patentansprüche. In der Beschreibung sind in der Zeichnung, Figuren 3 bis 22
dargestellte Ausführungsbeispiele des beanspruchten Leistungstransistorbauteils
und Verfahren zu seiner Herstellung geschildert, anhand deren der Anmeldungsgegenstand näher erläutert wird.
Diese Anmeldung hat die Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen Patent-
und Markenamts mit Beschluß vom 26. März 1999 aus den Gründen des Bescheides vom 5. August 1998 zurückgewiesen, nachdem die Anmelderin innerhalb
der - einmal verlängerten - Äußerungsfrist hierzu sachlich nicht Stellung genommen hat. In dem Bezugsbescheid ist ausgeführt, daß der mit Schriftsatz vom
29. Dezember 1995 eingereichte neue Patentanspruch 1 schon wegen unzulässiger Erweiterung seines Gegenstandes nicht gewährbar sei. Soweit der Gegenstand des Patentanspruch 1 ursprünglich offenbart sei, beruhe er nicht auf einer
erfinderischen Tätigkeit gegenüber dem Stand der Technik nach der deutschen
Offenlegungsschrift 38 23 270 und der europäischen Offenlegungsschrift
0 335 750.
Gegen diesen Zurückweisungsbeschluß hat die Anmelderin Beschwerde eingelegt.
In der Beschwerdeinstanz hat die Anmelderin am 10. April 2000 per Telefax neue
Patentansprüche 1 bis 8 "für die Stammanmeldung" eingereicht. Außerdem hat sie
die "Ausscheidung" des auf die Ausführungsform nach Fig 19 gerichteten Teils der
Anmeldung erklärt und einen entsprechenden Satz von Patentansprüchen 1 bis 5
"für die Ausscheidungsanmeldung" eingereicht.
In der mündlichen Verhandlung hat die Anmelderin erklärt: "Ich teile die
Patentanmeldung 41 14 174.1-33. Der Trennanmeldung werden die am
10. April 2000 eingereichten Patentansprüche 1 bis 5 "für die Ausscheidungsanmeldung" zugrundegelegt. Für den Fall der Nichtabgabefiktion nach § 39 Abs 3
PatG nehme ich die abgetrennte Anmeldung zurück.
In der Stammanmeldung verfolgt die Anmelderin ihr Patentbegehren zuletzt mit
den in der mündlichen Verhandlung überreichten Patentansprüchen 1 und 2 sowie
einer neuen Beschreibung, S 1 bis 7 und Sp 4 bis 19 und Zeichnung, Figuren 1 bis
21, weiter. Sie vertritt die Auffassung, daß das nunmehr beanspruchte, auf einen
IGBT beschränkte Leistungstransistorbauteil gemäß Patentanspruch 1 durch den
nachgewiesenen Stand der Technik, einschließlich der vom Senat aufgegriffenen
Druckschriften, nämlich der deutschen Offenlegungsschrift 29 40 699 bzw der
entsprechenden US-Patentschrift 4 376 286, nicht patenthindernd getroffen sei.
Die Anmelderin beantragt,
den Beschluß des Deutschen Patent- und Markenamts
-Prüfungstelle für Klasse H01L - vom 26. März 1999 aufzuheben
und das Patent 41 14 174 mit folgenden Unterlagen zu erteilen:
Patentansprüche 1 und 2 in der in der mündlichen Verhandlung
überreichten, mit "für die Stammanmeldung" bezeichneten Fassung,
Beschreibung Seiten 1 bis 7 und Spalten 4 bis 19 in der in der
mündlichen Verhandlung überreichten Fassung,
Zeichnung Figuren 1 bis 21 in der offengelegten Fassung, sowie
unter Aufhebung des angefochtenen Beschlusses die Trennanmeldung Patentansprüche 1 bis 5 in der am 10. April 2000 eingereichten
mit "für die Ausscheidungsanmeldung" bezeichneten Fassung mit
einer nachzureichenden Beschreibung und Zeichnungen an das
Deutsche Patent- und Markenamt zurückzuverweisen.
Die Patentansprüche 1 und 2 für die Stammanmeldung haben folgenden Wortlaut
(nach Streichung eines offensichtlich versehentlich stehengebliebenen rudimentären Satzteils nach "dadurch gekennzeichnet"):
"1.
Leistungstransistorbauteil, das eine Durchlaßstromführungs-
Charakteristik eines bipolaren Bauteils und eine MOS-Gatesteuercharakteristik aufweist, mit:
einem dünnen Plättchen aus Halbleitermaterial mit einem Substrat
(50) eines ersten Leitungstyps, einer leicht dotierten Schicht (52) aus
Halbleitermaterial eines zweiten, zum ersten entgegengesetzten
Leitungstyps, die auf einer Oberfläche des Substrates (50) angeordnet ist und eine zu dieser Oberfläche entgegengesetzte Oberfläche aufweist, einer Vielzahl von mit Abstand angeordneten Basisbereichen (80, 81,82) des ersten Leitungstyps, die sich in die entgegengesetzte Oberfläche der Schicht (52) aus Halbleitermaterial bis
zu einer vorgegebenen Tiefe erstrecken, einer Vielzahl von Sourcebereichen (130, 131, 132) vom zweiten Leitungstyp, die in jeweiligen
der Vielzahl von mit Abstand angeordneten Basisbereichen (80, 81,
82) ausgebildet sind und jeweilige Oberflächenkanalbereiche bilden,
einer über den Kanalbereichen angeordneten Gate-Isolationsschicht
(110, 111, 112), einer leitenden Gateschicht (113, 114, 115), die über
der Gate-Isolationsschicht (110, 111, 112) angeordnet ist, einer
ersten Hauptelektrode (160), die mit der Vielzahl von Sourcebereichen (130, 131, 132) verbunden ist und eine Emitterelektrode
bildet, und einer zweiten Hauptelektrode (170), die mit dem Substrat
(50) verbunden ist und eine Kollektorelektrode bildet, wobei in die
Bereiche (180) zwischen den mit Abstand angeordneten Basisbereichen (80, 81, 82) Dotierungsmittel des zweiten Leitungstyps implantiert werden, die derart eingetrieben werden, daß die Gesamtheit
dieser Bereiche eine erhöhte Konzentration von Trägern des zweiten
Leitfähigkeitstyps aufweisen, dadurch gekennzeichnet, daß die
Bereiche durch einen einzigen gemeinsamen Bereich (180) gebildet
sind, der durch Implantation und Eintreiben der Dotierungsmittel des
zweiten Leitungstyps derart gebildet ist, daß sich die erhöhte
Konzentration von Trägern des zweiten Leitungstyps der zwischen
den mit Abstand angeordneten Basisbereichen (80, 81, 82)
liegenden Bereiche (180) von der entgegengesetzten Oberfläche der
Schicht (52) aus Halbleitermaterial bis zu einer gemeinsamen
Grenze in einer Tiefe erstreckt, die größer als die Tiefe der Basisbereiche (80, 81, 82) ist, und daß die erhöhte Konzentration über die
gesamte Tiefe der Bereiche (180) erhöhter Konzentration größer als
die eines verbleibenden Teils der Schicht (52) aus Halbleitermaterial
ist.
2.
Leistungstransistorbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die eine erhöhte Konzentration aufweisenden Bereiche (180) durch eine Implantationsdosis von 3 x 1012 Atomen pro
Quadratzentimeter des Dotierungsmittels des zweiten Leitungstyps
gefolgt von einer Diffusion für ungefähr 10 Stunden bei ungefähr
1175° Celsius gebildet sind."
Die Patentansprüche 1 bis 5 für die Trennanmeldung lauten (nach Streichung des
Wortes "in" hinter "wobei" im letzten Merkmal des Oberbegriffs):
1.
Leistungstransistorbauteil mit:
einem dünnen Plättchen aus Halbleitermaterial mit einem Substrat
(50) eines ersten Leitungstyps, einer leicht dotierten Schicht (52) aus
Halbleitermaterial eines zweiten, zum ersten entgegengesetzten
Leitungstyps, die auf einer Oberfläche des Substrates
(50)
angeordnet ist und eine zu dieser Oberfläche entgegengesetzte
Oberfläche aufweist, einer Vielzahl von mit Abstand angeordneten
Basisbereichen (80, 81, 82) des ersten Leitungstyps, die sich in die
entgegengesetzte Oberfläche der Schicht (52) aus Halbleitermaterial
erstrecken, um eine jeweilige Basisbereichbegrenzung an einer
vorgegebenen Tiefe zu bilden, einer Vielzahl von Sourcebereichen
(130, 131, 132) vom zweiten Leitungstyp, die in jeweiligen der
Vielzahl von mit Abstand angeordneten Basisbereichen (80, 81, 82)
ausgebildet sind und jeweilige Oberflächenkanalbereiche bilden,
einer über den Kanalbereichen angeordneten Gate-Isolationsschicht
(110, 111, 112), einer leitenden Gateschicht (113, 114, 115), die über
der Gate-Isolationsschicht (110, 111, 112) angeordnet ist, einer
ersten Hauptelektrode (160), die mit der Vielzahl von Sourcebereichen (130, 131, 132) verbunden ist, und einer zweiten
Hauptelektrode (170), wobei die Bereiche (60, 61, 62) zwischen den
mit Abstand angeordneten Basisbereichen (80, 81, 82) eine erhöhte
Konzentration von Trägern des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweisen,
dadurch gekennzeichnet, daß die erhöhte Konzentration von Trägern
des zweiten Leitungstyps der zwischen den mit Abstand
angeordneten Basisbereichen (80, 81, 82) liegenden Bereiche (60,
61, 62) sich von der entgegengesetzten Oberfläche der Schicht (52)
aus Halbleitermaterial bis zu einer Begrenzung des Bereiches
erhöhter Konzentration erstreckt, daß sich die Begrenzung des
Bereiches
erhöhter
Konzentration
von
der
jeweiligen
Basisbereichsbegrenzung eines ersten der mit Abstand angeordneten Basisbereiche bis zu einer größeren Tiefe als die Tiefe
der Basisbereiche (80, 81, 82) und dann zu der
jeweiligen
Basisbereichsbegrenzung eines zweiten der mit Abstand angeordneten Basisbereiche erstreckt, daß die erhöhte Konzentration
über die volle Tiefe der Bereiche (60, 61, 62) erhöhter Konzentration
größer als die Tiefe eines verbleibenden Teils der Schicht (52) aus
Halbleitermaterial ist, und daß die erhöhte Konzentration in einem
der entgegengesetzten Oberfläche benachbarten Teil der Bereiche
erhöhter Konzentration zumindest zweimal so groß ist, wie die
Konzentration des verbleibenden Teils der Schicht (52) aus
Halbleitermaterial.
2.
Leistungstransistorbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Hauptelektrode (170/302) mit dem
Substrat (300) verbunden ist.
3.
Leistungstransistorbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Hauptelektrode (170/302) mit dem
Substrat (300) und/oder mit einem weiteren Bereich (331) des einen
Leitungstyps verbunden ist, der mit Abstand von der Vielzahl von mit
Abstand angeordneten Basisbereichen (310, 311) angeordnet ist und
sich in die gegenüberliegende Oberfläche der Schicht (303) aus
Halbleitermaterial erstreckt.
4.
Leistungstransistorbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3
dadurch gekennzeichnet, daß es eine Durchlaßstromführungs-
Charakteristik eines bipolaren Bauteils und eine MOS-Gatesteuercharakteristik aufweist.
5.
Leistungstransistorbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die erste Hauptelektrode eine Sourceelektrode
(160)
ist, daß die zweite Hauptelektrode eine
Drainelektrode (170) ist, daß die mit Abstand angeordneten Basisbereiche (80, 81, 82) derartig eng benachbart sind, daß ein äußerst
wirksamer parasitärer JFET gebildet würde, wenn die Dotierungskonzentration der Bereiche (60, 61, 62) zwischen den mit Abstand
angeordneten Basisbereichen den Wert der Konzentration der
Schicht (52) aus Halbleitermaterial aufweisen würde, und daß die
Bereiche (60, 61, 62) erhöhter Konzentration eine Leitfähigkeit aufweisen, die größer als die des verbleibenden Teils der Schicht (52)
ist."
Wegen der weiteren Einzelheiten wird auf den Akteninhalt verwiesen.
II.
Die zulässige Beschwerde der Anmelderin hat nur insoweit Erfolg, als die
Trennanmeldung nach Abgabe einer wirksamen Teilungserklärung in der mündlichen Verhandlung antragsgemäß im Umfang der für sie geltenden Patentansprüche 1 bis 5 an das Deutsche Patent- und Markenamt zurückzuverweisen ist, weil
dieses Patentbegehren noch nicht ausreichend geprüft ist (§ 79 Abs 3 Satz 1 Nr 1
und 3 PatG).
a)
Der in der Stammanmeldung verbliebene Gegenstand des geltenden
Patentanspruchs 1 erweist sich nach dem Ergebnis der mündlichen Verhandlung
als nicht patentfähig.
1.) Der geltende Patentanspruch 1 gemäß Stammanmeldung ist zulässig, denn
er stützt sich inhaltlich auf den ursprünglichen Anspruch 1 iVm dem - als zweite
Ausführungsform beschriebenen - Ausführungsbeispiel gemäß Fig 20 (vgl BGH
Mitt 1996, 204 - "Spielfahrbahn" mwN, wonach der Inhalt einer Patentanmeldung
dem Gesamtinhalt der Unterlagen zu entnehmen ist, während die Feststellung
einer unzulässigen Erweiterung eines erteilten Patents, den Vergleich seiner durch
die Patentansprüche definierten Lehre mit den Ursprungsunterlagen voraussetzt).
2.)
Die Patentanmeldung (Stammanmeldung) geht nach den Angaben der
Anmelderin in der mündlichen Verhandlung bzw in der geltenden Beschreibungseinleitung (S 1 Abs 1 und 2) im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 von einem bekannten Leistungstransistorbauteil mit Durchlaßstromführungs-Charakteristik eines bipolaren Bauteils und einer MOS-Gatesteuercharakteristik, dh einem Bipolartransistor mit isoliertem Gate - abgekürzt IGBT - aus, wie er in der Anmeldung anhand der Figuren 1 und 2 in der geltenden Beschreibung (Sp 7 Abs 4
bis Sp 8 vorle Abs) erläutert und beispielsweise in der deutschen Offenlegungsschrift 38 23 270 (Fig 2 (f)) beschrieben ist.
Danach ist es bekannt, daß die Wirksamkeit der im Halbleiterbereich zwischen
den Basen des MOSFET-Teils des Bauteils gebildeten parasitären Sperrschicht-
Feldeffekttransistoren (JFET) dadurch verringert werden kann, daß die Leitfähigkeit in diesem Bereich vergrößert wird.
Als nachteilig bei diesen bekannten IGBT's wird von der Anmelderin insbesondere
angesehen, daß gerade bei tiefen Basisbereichen der parasitäre JFET zwischen
den Basen nicht über seine volle Länge unterdrückt werden kann
(Beschreibungseinleitung S 4 Abs 1 bis S 5 Abs 1).
Mit den im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen soll - wie sich aus der allgemein formulierte Aufgabe (S 7 Abs 2) iVm den angestrebten Eigenschaften eines IGBT ergibt (Beschreibung S 5 le Abs bis S 7 Abs 1) - ein Leistungshalbleiterbauteil hoher Packungsdichte geschaffen werden, bei dem insbesondere der
parasitäre JFET weitgehend unterdrückt ist und darüber hinaus die Stromdichte
und der als "Verriegelungsstrom" bezeichnete "latch-up"-Strom vergrößert, die
Lawinendurchbruchsenergie verbessert und die Schaltverluste verringert sind,
ohne daß der Durchlaßspannungsabfall vergrößert wird.
3.) Das Leistungstransistorbauteil nach dem geltenden Patentanspruch 1 ist
zwar gegenüber dem nachgewiesenen Stand der Technik neu; es beruht jedoch
im Hinblick auf den eingangs genannten Stand der Technik nach den deutschen
Offenlegungsschriften 38 23 270 und 29 40 699 nicht auf einer erfinderischen
Tätigkeit des zuständigen Durchschnittsfachmanns, der hier als ein mit dem Aufbau und der Herstellung von Leistungstransistorbauteilen vertrauter, berufserfahrener Diplom-Physiker oder Diplom-Ingenieur der Fachrichtung Halbleitertechnik mit Universitätsabschluß zu definieren ist.
Ein Leistungstransistorbauteil, das eine Durchlaßstromführungs-Charakteristik eines bipolaren Bauteils und eine MOS-Gatesteuercharakteristik aufweist, dh ein
Isoliergate-Bipolartransistor = (IGBT), mit den im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 genannten Merkmalen ist - von der Anmelderin unbestritten - aus der
deutschen Offenlegungsschrift 38 23 270 bekannt, vgl dort insbesondere die Ansprüche 1 und 6 iVm Fig 2 (f) und zugehöriger Beschreibung, siehe das p+- Substrat (1), die darauf angeordnete leicht dotierte n--Halbleiterschicht (erste n-- Basisschicht 2a), die p-Basisbereiche (Muldenbereiche 3, 3a, 3b), die n+-Sourcebereiche (Emitterbereiche 5), die über den Kanalbereichen (4) angeordnete Gate-
Isolationsschicht (6), die leitende Gateschicht (Gateelektrode 7), die mit den
Sourcebereichen (5) verbundene Emitterelektrode (8) als erste Hauptelektrode,
die mit dem Substrat (1) verbundene Kollektorelektrode (9) als zweite Hauptelektrode, sowie die zwischen den mit Abstand angeordneten Basisbereichen (3, 3a,
liegenden
3b) (2b) mit erhöhter Dotierungskonzentration ("Verunreinigungskonzentration") gegenüber der angrenzenden leicht dotierten n--
n-Bereiche
Schicht (2a), die - entsprechend dem ersten Teilmerkmal im kennzeichnenden Teil
des Anspruchs 1 - durch einen einzigen gemeinsamen Bereich, nämlich als
durchgehende Schicht (zweite Basisschicht 2b) gebildet sind.
Zwar ist in dem Sachanspruch 1 der deutschen Offenlegungsschrift 38 23 270
nicht ausdrücklich angegeben, daß diese Halbleiterschicht mit einem Bereich erhöhter Dotierungskonzentration durch Implantieren und Eintreiben des Dotierungsmittels gebildet ist - nach dem dortigen Ausführungsbeispiel, auf das die umfassendere Lehre des Hauptanspruchs nicht beschränkt ist (BlPMZ 1989, 360
LS 1), ist diese Halbleiterschicht (2b) mit erhöhter Dotierungskonzentration durch
epitaxiales Aufwachsen hergestellt. Jedoch ist die Herstellung einer dotierten
Halbleiterschicht durch Ionenimplantation und Eintreiben des Dotierungsmittels
eine für den Halbleiterfachmann selbstverständliche Maßnahme, die er als
fachnotorische Ergänzung bzw Abwandlung in Gedanken gleich mitliest (BGH
GRUR 1995, 330 - "Elektrische Steckverbindung"), vgl zum Beleg dieses
fachnotorisch bekannten Wissens gutachtlich die europäische Offenlegungsschrift
0 335 750, Sp 5 Z 42 bis 46 und Z 58 bis 61 zur Herstellung derartiger Basisschichten (n+-connection region 3a - Fig 8) mit erhöhter Dotierungskonzentration.
Bei dem bekannten Leistungstransistorbauteil nach der gattungsbildenden deutschen Offenlegungsschrift 38 23 270 ist der durch die durchgehende Schicht
(zweite n-Basisschicht 2b) gebildete gemeinsame Bereich, dessen erhöhte Dotierungskonzentration (n) - entsprechend dem letzten Merkmal im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 - über die gesamte Tiefe größer ist als die Dotierungskonzentration (n-) eines verbleibenden Teils der Schicht aus Halbleitermaterial (erste n--Basisschicht 2a), zumindest teilweise in einem Bereich einer
Tiefe ausgebildet, die den Basisbereichen (Muldenbereiche 3) entspricht, vgl das
letzte Merkmal des Anspruchs 1 gemäß der deutschen Offenlegungsschrift
38 23 270 iVm Fig 2 (f)). Damit wird der parasitäre JFET-Effekt, der eine Erhöhung
der Spannung im EIN-Zustand verursacht, verhindert; außerdem wird es dadurch
möglich, den Zellenraum zu reduzieren (Sp 9 Z 5 bis 8 iVm Sp 6 Abs 3 und 4).
Von diesem bekannten Leistungstransistorbauteil unterscheidet sich die Lehre des
geltenden Patentanspruchs 1 gemäß Stammanmeldung somit nur noch dadurch,
daß sich die zwischen den mit Abstand angeordneten Basisbereichen liegenden
und durch einen einzigen gemeinsamen Bereich gebildeten Bereiche erhöhter
Dotierungskonzentration des zweiten (n)-Leitungstyps von der Hauptoberfläche
bis zu einer gemeinsamen Grenze in einer Tiefe erstrecken, die größer als die
Tiefe der Basisbereiche ist.
Dieser Unterschied kann die Patentfähigkeit des Anmeldungsgegenstandes jedoch nicht begründen.
Aus der eine Leistungs-MOSFET-Anordnung betreffenden deutschen Offenlegungsschrift 29 40 699 ist es nämlich bereits bekannt, die zwischen den mit Abstand angeordneten p+-Basisbereichen (30, 31) liegenden n+-Bereiche (40) mit
erhöhter Dotierungskonzentration - im Unterschied zu dem in Fig 2 dargestellten
Ausführungsbeispiel - bis zu einer Tiefe auszubilden, die größer als die Tiefe der
Basisbereiche ist, vgl die Fig 2 iVm S 13 Z 4 bis 7 und S 12 Z 4 bis 7, wonach die
n+-Bereiche (40) eine Tiefe bis etwa 6 µm haben können, wohingegen die Basisbereiche (30, 31) an ihrer tiefsten Stelle (X) eine Tiefe von 4 µm haben. Diese tiefen n+-Bereiche mit erhöhter Dotierungskonzentration, die dazu dienen, die Kenngrößen des Leistungstransistorbauteils zu verbessern und insbesondere dessen
Durchlaß-Einschaltwiderstand zu verringern, ohne daß die Sperrspannungs-
Kenngrößen beeinträchtigt werden, werden durch eine Ionenimplantationsdosis von 1x 1012 bis 1x 1014 Phosphoratome/cm2, gefolgt von einer Diffusion bei
Temperaturen von 1150 bis 1250 °C über 30 Minuten bis 240 Minuten gebildet
(S 13 Z 7 bis S 14 Z 1).
Die genannten Vorteile sind für den Fachmann hinreichender Anlaß, auch bei dem
bekannten gattungsgemäßen Leistungstransistorbauteil (IGBT) in entsprechender Weise die zwischen den p+-Basisbereichen liegenden n+-Bereiche mit erhöhter
Dotierungskonzentration mittels Ionenimplantation und Eindiffusion bis zu einer
Tiefe auszubilden, die größer als die Tiefe der Basisbereiche ist. Die beanspruchte Ausführung der n+-Bereiche erhöhter Dotierungskonzentration durch einen
einzigen gemeinsamen Bereich bis zu einer gemeinsamen Grenze ergibt sich
dabei - wie dargelegt - aufgrund der bereits in der gattungsbildenden deutschen Offenlegungsschrift 38 23 270 gelehrten Ausbildung dieser n+-Bereiche als
durchgehende Schicht (2b) mit erhöhter Dotierungskonzentration.
An dieser Beurteilung kann auch der Umstand nichts ändern, daß die deutsche
Offenlegungsschrift 29 40 699 einen (vertikalen) MOSFET-Leistungstransistor und
nicht (auch) einen IGBT betrifft. Denn die in Rede stehenden Maßnahmen zur
Reduzierung des Einschaltwiderstandes, des Durchlaßspannungsabfalls sowie
des parasitären JFET-Effekts sind gleichermaßen für Isoliergate-Bipolartransistoren (IGBT's) und vertikale MOS-Transistoren relevant, wie - in Übereinstimmung
mit den ursprünglichen Anmeldungsunterlagen (S 1 Abs 1 und 2 iVm S 6 vorle
Abs) - aus der gattungsbildenden deutschen Offenlegungsschrift 38 23 270 hervorgeht (Sp 10 le Abs).
Das Leistungstransistorbauteil gemäß Patentanspruch 1 nach der Stammanmeldung ist daher nicht patentfähig.
Mit dem Patentanspruch 1 fällt auch der darauf zurückbezogene geltende Unteranspruch 2, der nichts selbständig Erfinderisches enthält, wie Gegenteiliges die
Anmelderin selbst auch nicht behauptet.
b) Patentansprüche 1 bis 5 nach der Trennanmeldung:
Da die Patentanmeldung im Beschwerdeverfahren wirksam geteilt worden ist
(PatG § 39 Abs 1), erstreckt sich die Zuständigkeit des Beschwerdesenats auch
auf die vorliegende Trennanmeldung
(BGH GRUR 1998, 458, 460
- "Textdatenwiedergabe"; BGH GRUR 1999, 148 f Informationsträger; BGH BlPMZ
1999, 194, 196 - "Mehrfachsteuersystem").
Die Trennanmeldung ist jedoch noch nicht entscheidungsreif, denn der abgetrennte, auf die Ausführungsform nach Fig 19 der ursprünglichen Anmeldungsunterlagen gestützte Gegenstand ist noch nicht ausreichend geprüft; ersichtlich
bezog sich die bisherige patentamtliche Prüfung im wesentlichen auf den Gegenstand der Stammanmeldung.
Demgegenüber macht die Anmelderin in der mündlichen Verhandlung geltend,
daß nach dem
in der Trennanmeldung weiterverfolgten Gegenstand
-
entsprechend der abgetrennten Ausführungsform nach Fig 19 der ursprünglichen
Anmeldung - ein Netzwerk (Gitter) von getrennten Bereichen (60, 61, 62) erhöhter
Konzentration gebildet werde, wodurch sich zum einen die Lawinendurchbruchsenergie des Bauteils und zum anderen seine I2L-Fähigkeit verbessere (vgl insbes
ursprüngliche Beschreibung S 30 Abs 2 iVm Fig 19).
Da insoweit eine sachliche Prüfung der Patentfähigkeit des Gegenstandes der
Trennanmeldung noch nicht erfolgt ist, ist aus verfahrensökonomischen Gründen
(Recherchemöglichkeiten der Prüfungsstelle) und zur Vermeidung eines Instanzensverlustes - wie beantragt - die Zurückverweisung der Sache zur weiteren
Prüfung im Rahmen der geltenden Patentansprüche 1 bis 5 an das Deutsche Patent- und Markenamt geboten (PatG § 79 Abs 3 Satz 1 Nr 1 und 3).
Dr. Beyer
Dr. Meinel
Dr. Gottschalk
Tronser
Wf