Rechtsprechung / BPatG / 2004
BPatG Beschluss vom 02.07.2004 – 14 W (pat) 321/02
14. Senat
BUNDESPATENTGERICHT
_______________
(Aktenzeichen)
Verkündet am
2. Juli 2004
…
B E S C H L U S S
In der Einspruchssache
betreffend das Patent 41 06 513
… 6.70
hat der 14. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf
die mündliche Verhandlung vom 2. Juli 2004 unter Mitwirkung des Vorsitzenden
Richters Dr. Schröder, der Richter Dr. Wagner und Harrer sowie der Richterin
Dr. Schuster
beschlossen:
Das Patent 41 06 513 wird widerrufen.
G r ü n d e
I
Die Erteilung des Patents 41 06 513 mit der Bezeichnung
„Verfahren zur Regelung eines reaktiven Sputterprozesses und
Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens“
ist am 13. Juni 2002 veröffentlicht worden.
Das Patent umfasst (abweichend von der Bezeichnung nur) 6 Verfahrensansprüche, von denen die Ansprüche 1 bis 4 wie folgt lauten:
„1. Verfahren zur Regelung eines reaktiven Sputterprozesses,
bei dem der durch den Wert einer der beiden die elektrische Leistungsaufnahme des reaktiven Sputterprozesses bestimmenden
Faktoren Kathodenspannung oder Arbeitsstromstärke definierte
Arbeitspunkt auf der physikalischen Kennlinie Kathodenspannung
oder Arbeitsstromstärke über dem Reaktivgasfluß der Sputteranlage durch Dosierung des in die Prozesskammer eingeleiteten
Reaktivgases, beispielsweise O2, eingestellt und konstant oder
annähernd konstant gehalten wird, dadurch gekennzeichnet,
daß bei reaktiven Sputterprozessen, bei denen die aufgesputterten Schichten chemische Verbindungen, z.B. Al2O3, SiO2, umfassen, die eine Sekundärelektronenausbeute haben, die höher ist
als die der metallischen Komponenten, z.B. Al, Si, der chemischen
Verbindungen, eine Regelcharakteristik bei der Reaktivgasdosierung angewendet wird, die durch eine abfallende Kathodenspannung-Reaktivgasfluß-Regelkennlinie charakterisiert wird, so dass
für die Regelkennlinie eine abfallende Kathodenspannung mit zunehmendem Reaktivgasfluß vorgegeben wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
bei reaktiven Sputterprozessen, bei denen die aufgesputterten
Schichten chemische Verbindungen, z.B. Al2O3, SiO2, umfassen,
die eine Sekundärelektronenausbeute haben, die höher ist als die
der metallischen Komponenten, z.B. Al, Si, der chemischen Verbindungen, eine Regelcharakteristik bei der Reaktivgasdosierung
angewendet wird, die durch eine steigende Arbeitsstromstärke-
Reaktivgasfluß-Regelkennlinie charakterisiert wird, sodaß für die
Regelkennlinie eine steigende Arbeitsstromstärke mit zunehmendem Reaktivgasfluß vorgegeben wird.
3. Verfahren zur Regelung eines reaktiven Sputterprozesses,
bei dem der durch den Wert einer der bei den die elektrische
Leistungsaufnahme des reaktiven Sputterprozesses bestimmenden Faktoren Kathodenspannung oder Arbeitsstromstärke definierte Arbeitspunkt auf der physikalischen Kennlinie Kathodenspannung oder Arbeitsstromstärke über dem Reaktivgasfluß der
Sputteranlage durch Dosierung des in die Prozesskammer eingeleiteten Reaktivgases, beispielsweise O2, eingestellt und konstant
oder annähernd konstant gehalten wird, dadurch gekennzeichnet, daß bei reaktiven Sputterprozessen, bei denen die aufgesputterten Schichten chemische Verbindungen, z. B. CrO umfassen, die eine Sekundärelektronenausbeute haben, die kleiner
ist als die der metallischen Komponenten, z.B. Cr, der chemischen
Verbindungen, eine Regelcharakteristik bei der Reaktivgasdosierung angewendet wird, die durch eine steigende Kathodenspannung-Reaktivgasfluß-Regelkennlinie charakterisiert wird, sodaß für
die Regelkennlinie eine steigende Kathodenspannung mit zunehmendem Reaktivgasfluß vorgegeben wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
bei reaktiven Sputterprozessen, bei denen die aufgesputterten
Schichten chemische Verbindungen, z. B. CrO, umfassen, die
eine Sekundärelektronenausbeute haben, die kleiner ist als die
der metallischen Komponenten, z. B. Cr, der chemischen Verbindungen, eine Regelcharakteristik bei der Reaktivgasdosierung angewendet wird, die durch eine abfallende Arbeitsstromstärke-
Reaktivgasfluß-Regelkennlinie charakterisiert wird, sodaß für die
Regelkennlinie eine fallende Arbeitsstromstärke mit zunehmendem Reaktivgasfluß vorgegeben wird.“
Zum Wortlaut der erteilten Ansprüche 5 und 6, welche besondere Ausführungsformen der Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4 betreffen, wird auf die
Streitpatentschrift verwiesen.
Gegen dieses Patent ist am 13. September 2002 Einspruch erhoben worden. Die
Einsprechende macht die Widerrufsgründe mangelnde ursprüngliche Offenbarung
(§ 21 Abs 1 Nr 4 PatG) sowie mangelnde Patentfähigkeit ((§ 21 Abs 1 Nr 1 PatG)
gegenüber dem ua durch
(3)
DD 146 306
belegten Stand der Technik geltend.
Die Einsprechende beantragt,
das Patent zu widerrufen.
Die ordnungsgemäß geladene Patentinhaberin ist – wie angekündigt – nicht zur
mündlichen Verhandlung erschienen und hat gebeten, auf Basis der ausgetauschten Schriftsätze zu entscheiden.
Schriftsätzlich hat sie beantragt,
das Streitpatent im erteilten Umfang aufrechtzuerhalten.
Hierzu hat sie vorgetragen, die Entgegenhaltung D3 sei bereits im Prüfungsverfahren in Betracht gezogen worden und könne weder für sich noch in Verbindung mit
weiteren Entgegenhaltungen die Patentfähigkeit in Frage stellen. Die auch in den
ursprünglichen Unterlagen offenbarte Lehre des Streitpatents basiere auf der Erkenntnis, den Reaktivgasfluß genau entgegen der aus dem Kennlinienbereich zu
erwartenden Richtung zu regeln, um den Arbeitspunkt des reaktiven Sputtersystems einzuhalten. Diese Erkenntnis sei aus dem entgegengehaltenen Stand
der Technik nicht abzuleiten.
Wegen weiterer Einzelheiten des schriftlichen Vorbringens der Beteiligten wird auf
den Akteninhalt verwiesen.
II
1.
Der Einspruch ist frist- und formgerecht erhoben und mit Gründen versehen. Er ist somit zulässig und führt zum Widerruf des Patents.
2.
Der Widerrufsgrund der unzulässigen Erweiterung (§ 21 Abs 1 Nr 4 PatG)
liegt nicht vor.
Der Einwand der Einsprechenden, dass Arbeitsspannung (Entladespannung) und
Kathodenspannung nur dann den gleichen Zahlenwert aufweisen, wenn Anode
und Substrat(träger) bzw Gehäuse auf dem gleichen Potential liegen, ist zwar berechtigt. Die Kathodenspannung ist aber schon in den ursprünglichen Unterlagen
mehrfach als Bezugsgröße genannt (zB Anspruch 1 Zeile 6, Ansprüche 9 u 11,
S 11 Abs 3, S 12 Abs 2, S 13 Abs 5, S 14 Abs 2, S 16 Abs 4, S 18 Abs 3). Da ferner kein Zahlenbereich vorgegeben wird, würde sich am Verlauf der in den Fig. 2
und 3 gezeigten Kurven und damit an der Lehre des Streitpatents überhaupt
nichts ändern, wenn die Kathodenspannung als Ordinate durch die gegebenenfalls um einen Differenzbetrag abweichende Arbeitsspannung (Entladespannung)
ersetzt würde.
3.
Als nächstgelegener Stand der Technik ist das aus (D3) bekannte Verfahren zur Regelung eines reaktiven Sputterprozesses anzusehen, welches sämtliche
Maßnahmen des Oberbegriffs der Ansprüche 1 und 3 des Streitpatents aufweist
(vgl Ansprüche 1 bis 4 iVm Brückenabs S 3/4).
Das einzige Ausführungsbeispiel ist gemäß Figur und Beschreibung durch eine
abfallende Arbeitsstromstärke/ Reaktivgas-Partialdruck-Regelkennlinie charakterisiert, wodurch eine fallende Arbeitsstromstärke mit zunehmendem Reaktivgasfluß
(Gaseinlaß des Reaktionsgases) vorgegeben ist.
Ob das Verfahren nach dem erteilten Anspruch 4 demgegenüber neu ist, kann
anhand der vorliegenden Informationen nicht zweifelsfrei entschieden werden.
Diese ermöglichen nämlich keine Feststellung, ob das im Ausführungsbeispiel
eingesetzte Titan eine metallische Komponente iSd Anspruchs 4 ist, dessen Oxid
eine kleinere Sekundärelektronenausbeute als das Element hat.
Die Frage der Neuheit des Verfahrens nach Anspruch 4 kann jedoch dahinstehen,
da dieses Verfahren jedenfalls nicht auf erfinderischer Tätigkeit beruht. Wird nämlich im Ausführungsbeispiel der D3 das Metall Titan durch das (in Anspruch 6 und
auf S 4 Abs 5) als in vergleichbarer Weise einzusetzende Metall Chrom ersetzt, so
ergibt sich unmittelbar ein Verfahren mit sämtlichen Merkmalen des Anspruchs 4.
Chrom muß nämlich schon gemäß dem Wortlaut dieses Anspruchs das für die
metallische Komponente festgelegte Kriterium zwangsläufig erfüllen. Daß in D3
dieses Kriterium – kleinere Sekundärausbeute der Verbindung gegenüber dem
Metall – nicht aufgeführt ist, ist entgegen der Auffassung der Patentinhaberin unbeachtlich, da es sich um eine inhärente Eigenschaft des Metalls Chrom handelt.
Auch das Argument der Patentinhaberin, die Entgegenhaltung (D3) könne für die
beiden beispielhaft genannten Metalle Aluminium und Chrom nicht gleichzeitig
zwei unterschiedliche Regelkennlinien nahelegen, geht fehl. Setzt nämlich der
Fachmann in dem in Rede stehenden Ausführungsbeispiel der D3 ein Aluminium-
Target ein, so wird sich – nach den Angaben in der Streitpatentschrift zwangsläufig – um den durch die Arbeitsstromstärke definierten Arbeitspunktes mit steigendem Reaktivgasfluß eine Erhöhung der Arbeitsstromstärke einstellen. Diesem –
möglicherweise nicht ohne weiteres zu erwartenden - experimentellen Befund
kann er, ohne erfinderisch tätig werden zu müssen, durch entsprechende Regelung des Reaktivgasflusses Rechnung tragen. Damit ist es ihm im Falle eines
Aluminium-Targets nahegelegt, nach Maßgabe des erteilten Anspruchs 2 zu verfahren.
Der Senat verkennt nicht, dass die Erkenntnis der Patentinhaberin, die Regelung
des Reaktivgasflusses zur Einstellung des Arbeitspunktes sei in Abhängigkeit davon, ob die Sekundärelektronenausbeute einer chemischen Verbindung höher
oder niedriger ist als die ihrer metallischen Komponente, in unterschiedlicher
Richtung vorzunehmen, möglicherweise als solche aus dem Stand der Technik
nicht vorhersehbar ist.
Dies kann aber nichts daran ändern, daß mit den konkreten technischen Maßnahmen der erteilten Ansprüche 2 und 4, die sich – wie ausgeführt – in naheliegender Weise aus dem Stand der Technik ergeben, möglicherweise unbeabsichtigt, aber zwangsläufig von dieser Erkenntnis Gebrauch gemacht wird.
4.
Nach alledem sind die Ansprüche 2 und 4 wegen fehlender Patentfähigkeit
nicht rechtsbeständig. Mit ihnen fallen die Ansprüche 1, 3, 5 und 6, da über den
Antrag der Patentinhaberin nicht in Teilen entschieden werden kann.
Schröder
Wagner
Harrer
Schuster
Na