BPatG Beschluss vom 07.06.2005 – 23 W (pat) 7/03

BUNDESPATENTGERICHT

23 W (pat) 7/03

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(Aktenzeichen)

Verkündet am

7. Juni 2005

…

B E S C H L U S S

In der Beschwerdesache

…

betreffend die Patentanmeldung 101 23 770.7-33

hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf

die mündliche Verhandlung vom 07. Juni 2005 unter Mitwirkung des Vorsitzenden

Richters Dr. Tauchert sowie der Richter Dr. Meinel, Lokys und Schramm 6.70

beschlossen:

Auf die Beschwerde der Anmelderin wird der Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deutschen Patent- und Markenamts vom 15. November 2002 aufgehoben.

Die Sache wird auf der Grundlage des in der mündlichen Verhandlung vom 7. Juni 2005 überreichten Anspruchs 1 zur weiteren Prüfung an das Deutsche Patent- und Markenamt zurückverwiesen.

G r ü n d e

I

Die vorliegende Patentanmeldung 101 23 770.7-33 ist unter der Bezeichnung

„Verfahren zur Herstellung einer DRAM-Zelle mit epitaktisch vergrössertem Abstand zwischen Trenchkontakt und Transfertransistor sowie entsprechende Halbleiterstruktur“ am 16. Mai 2001 beim Deutschen Patent- und Markenamt eingereicht worden.

Mit Beschluss vom 15. November 2002 hat die Prüfungsstelle für Klasse H 01 L

des Deutschen Patent- und Markenamts die Anmeldung zurückgewiesen. Sie hat

ihre Entscheidung damit begründet, dass der geltende Anspruch 1 vom

29. April 2002 unklar sei und nicht erkennen lasse, welcher Gegenstand mit ihm

unter Schutz gestellt werden solle.

Gegen diesen Zurückweisungsbeschluss richtet sich die Beschwerde der Anmelderin. Sie verfolgt ihr Schutzbegehren mit dem in der mündlichen Verhandlung

vorgelegten neuen Patentanspruch 1 weiter und vertritt die Auffassung, dass mit

dem neugefassten Patentanspruch 1 die beanspruchte Erfindung hinreichend klar

und deutlich umschrieben sei.

Die Anmelderin beantragt,

den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deutschen Patent- und Markenamts vom 15. November 2002 aufzuheben und die Sache auf der Grundlage des in der mündlichen

Verhandlung vom 7. Juni 2005 überreichten Anspruchs 1 zur

weiteren Prüfung an das Deutsche Patent- und Markenamt zurückzuverweisen.

Der geltende Patentanspruch 1 hat folgenden Wortlaut:

„Verfahren zum Herstellen einer DRAM-Zelle mit einem Trenchkontakt (35) einer in einem Trenchloch (7) eines Siliziumsubstrats

(1) ausgebildeten Polysiliziumfüllung (9) eines Deep Trench-Kondensators (C) zu einem Auswahltransistor (T) der DRAM-Zelle mit

folgenden Verfahrensschritten:

- selektives Aufwachsen von Silizium (17) mittels Epitaxie

oberhalb der von einem Collaroxid (11) umgebenen Polysiliziumfüllung (9) im Trenchloch (7),

- anisotropes Ätzen einer Öffnung (25) bis zur Polysiliziumfüllung (9) in das epitaktisch aufgewachsene Silizium

(17) mit kleineren lateralen Maßen (Abstand a) als die

Polysiliziumfüllung (9), und

- Auffüllen der Öffnung (25) mit Polysilizium (29).“

Wegen weiterer Einzelheiten wird auf den Akteninhalt verwiesen.

II

Die frist- und formgerecht erhobene Beschwerde der Anmelderin ist zulässig und

auch begründet, denn der angefochtene Beschluss ist aufzuheben und die Sache

– wie beantragt - zur weiteren Prüfung auf der Grundlage des geltenden Anspruchs 1 an das Deutsche Patent- und Markenamt zurückzuverweisen, weil das

Patentbegehren noch nicht geprüft worden ist, § 79 Abs 3 Satz 1 Nr 1 und 3 PatG.

1.) Der geltende Patentanspruch 1 ist zulässig, denn er findet inhaltlich eine ausreichende Stütze im ursprünglichen Patentanspruch 1 iVm der ursprünglichen Beschreibung, insbesondere S 5 Z 9 bis 12, des Ausführungsbeispiels gemäß Figuren 1 bis 10.

2.) Die Patentanmeldung geht nach der Beschreibungseinleitung (S 1) von einem

Verfahren zur Herstellung einer DRAM (Dynamic Random Access Memory)-Zelle

mit bekanntem Zellkonzept aus, bei dem der Kontakt zwischen dem Draingebiet

des Auswahltransistors (Transfertransistor T) und dem Deep Trench(DT)-Kondensator (Grabenkondensator C) über einen sog. Trenchkontakt (buried strap) erfolgt.

Zum druckschriftlichen Beleg dieses Standes der Technik verweist die Anmelderin

(urprüngliche Beschreibung S 5 Z 2/3 bzw S 8 Z 7/8 bzw Beschwerdebegründung

vom 23. April 2004, S 1 Abs 2) auf das einschlägige Fachbuch D. Widmann,

H. Mader, H. Friedrich „Technologie hochintegrierter Schaltungen“, 2.Aufl.,

Springer-Verlag Berlin, 1996, Seiten 290 bis 291 und Seiten 334 bis 349,

insbesondere S 338/339.

Als nachteilig bei diesem bekannten Zellkonzept wird von der Anmelderin nach

den weiteren Angaben in der Beschreibungseinleitung (S 1 Z 32 bis S 2 Abs 1)

insbesondere angesehen, dass es möglich ist, dass die aus der Deep Trench(DT)-

Polysiliziumfüllung ausdiffundierten Dotieratome entscheidend die Unterdiffusion

im Transistorbereich beeinflussen und somit die effektive Transistorkanallänge

des Auswahltransistors verkürzen können, mit der Folge, dass sich die elektrischen Eigenschaften der DRAM-Zelle (spezifizierte Leckströme, Haltezeit der Ladung im Deep Trench-Kondensator, „roll off“, „punch through“) verschlechtern und

das Prozessfenster (Overlay-Toleranzen; thermisches Budget) in nachteiliger

Weise verkleinert wird.

Dem Anmeldungsgegenstand liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren bereitzustellen, mit dem sich die genannten Probleme im Zusammenhang mit dem

geringen Abstand zwischen dem Interface einer Deep Trench(DT)-Füllung und

dem Transistor verringern lassen (ursprüngliche Beschreibung S 2 Abs 3 bzw

Schriftsatz der Anmelderin vom 29. April 2002 S 1 le Abs bis S 2 Z 2).

3.) Der dem angefochtenen Beschluß zugrunde liegende (einzige) Zurückweisungsgrund, wonach der damals geltende – wie auch der ursprüngliche – Patentanspruch 1 unklar sei und nicht erkennen lasse, welcher Gegenstand mit ihm unter Schutz gestellt werden solle, liegt nicht vor.

a) Zwar ist im Erteilungsverfahren für Patentansprüche zu sorgen, die die unter

Schutz gestellte Erfindung klar und deutlich umschreiben (BGH GRUR 1988, 757,

760 reSp – „Düngerstreuer“). Nach ständiger Rechtsprechung müssen die Angaben, die der Fachmann zur Ausführung der geschützten Erfindung benötigt, jedoch nicht im Patentanspruch enthalten sein; es genügt, wenn sie sich aus dem

Inhalt der Patentschrift insgesamt ergeben (BGH GRUR 2003, 223 – „Kupplungsvorrichtung II“ mwNachw; BGH GRUR 2004, 47, 48 Abschnitt III.4 – „blasenfreie

Gummibahn I“). Ständiger Rechtsprechung folgend, verlangt die Patentverordnung

(PatV) gemäß § 9 Abs 4 demzufolge auch nur, „im ersten Patentanspruch (Hauptanspruch) die wesentlichen Merkmale der Erfindung anzugeben“, vgl hierzu auch

Schulte, PatG, 7.Aufl., § 34 Rdn 118. Auch nach den Prüfungsrichtlinien (vgl

BlPMZ 2004, S 69, 75 reSp leAbs) sind gemäß Abschnitt 3.3.3.6. (Patentansprüche, Patentkategorien) „nicht notwendige Lösungsmerkmale möglichst nicht in den

Hauptanspruch aufzunehmen, d.h. die Umschreibung sollte mit möglichst wenigen

Merkmalen erfolgen.“

Da die Erfindung, wie dargelegt, die Herstellung des – die Polysiliziumfüllung als

innere Kondensatorelektrode kontaktierenden - Trenchkontaktes eines Deep

Trench-Kondensators einer DRAM-Zelle betrifft, bedarf es im Anspruch 1

insbesondere keiner weiteren Angaben, wie und wo die (weiteren) Bestandteile

des Kondensators (Kondensatorelektroden und –dielektrikum) bzw des Transistors hergestellt werden, wie der Prüfer im angefochtenen Beschluß (S 3 Abs 1 und

2) bzw im Bescheid vom 9. Januar 2002 (S 2 Abs 2) meint. Denn der Fachmann,

an den sich die Patentanmeldung richtet, vorliegend ein mit dem Aufbau und der

Herstellung von DRAM-Zellen vertrauter, berufserfahrener Diplom-Physiker oder

Diplom-Ingenieur der Fachrichtung Elektrotechnik/Halbleitertechnik mit Universitätsabschluß, weiß, dass bei einem Deep Trench-Kondensator (Grabenkondensator) einer DRAM-Zelle auch das Kondensatordielektrikum (ONO) im Trenchloch

(wo sonst?) angeordnet ist und die dortige Polysiliziumfüllung (n+-Poly-Si) umgibt,

wobei die äußere Kondensatorelektrode als im unteren Bereich des Trenchlochs

angeordnete, das Kondensatordielektrikum (ONO) umgebende vergrabene Platte (n+) im Siliziumsubstrat (Si) ausgebildet ist, wie dies im übrigen aus der og in

Bezug genommenen (vgl S 5 Z 2/3: „Widmann, Mader: S 338; Schritt 9: Recess

2“) und damit zum Inhalt der Anmeldung gemachten Literaturstelle (BGH GRUR

1980, 283, 285 liSp Abs 1 – „Terephthalsäure“) im einzelnen bekannt ist und die

- wie dargelegt – den Stand der Technik offenbart, von dem die Erfindung

ausgeht.

Was aber dem Fachmann aufgrund seines Fachwissens im Anmeldezeitpunkt an

Fachkenntnissen und Fertigkeiten bereits zur Verfügung steht, bedarf weder in der

Anmeldung noch in der Patentschrift einer Wiederholung; eine solche würde das

Erteilungsverfahren nur unnötig belasten und alle Betroffenen nötigen, Überflüssiges zu lesen (BGH GRUR 1984, 272, 273 Abschnitt II.2.b – „Isolierglasscheibenrandfugenfüllvorrichtung“).

Soweit der Prüfer im Zurückweisungsbeschluß (S 3 Abs 3) bzw im Bescheid vom

9. Januar 2002 (S 2 Abs 4) noch geltend macht, dass sich die Unklarheit des Anspruchs 1 ferner darin zeige, dass es nicht gelinge, mit Hilfe der in ihm angegebenen Merkmale auf zeichnerischem Wege zu einem Kontakt zu einem Kondensator

bzw zu einer wie auch immer gearteten Halbleiter-Speicherzelle zu gelangen, so

ist hierzu – falls für den angesprochenen Fachmann überhaupt nötig - lediglich

das zur Auslegung des Anspruchs dienende Ausführungsbeispiel heranzuziehen,

in dem die Verfahrensschritte im einzelnen dargestellt und beschrieben sind, nämlich hinsichtlich des Ausgangsstadiums des Verfahrens die Figur 1, hinsichtlich

des ersten Verfahrensschrittes (selektives Aufwachsen von Silizium 17 oberhalb

der Polysiliziumfüllung 9 im Trenchloch 7 ...) die Fig. 4 bzw 5, hinsichtlich des

zweiten Verfahrensschrittes (anisotropes Ätzen einer Öffnung 25 ...) die Fig. 6 und

hinsichtlich des letzten Verfahrensschrittes (Auffüllen der Öffnung 25 mit Polysilizium 29) die Fig. 9 und 10, jeweils mit zugehöriger Beschreibung.

Der angefochtene Beschluss der Prüfungsstelle für Kl. H 01 L des Deutschen Patent- und Markenamtes war somit aufzuheben.

b) Da die vorliegende Patentanmeldung aus formellen Gründen zurückgewiesen

und zum Anmeldungsgegenstand noch kein Stand der Technik recherchiert worden ist, ist die Sache noch nicht entscheidungsreif. Sie ist vielmehr - wie beantragt

- auf der Grundlage des geltenden Anspruchs 1 zur Prüfung und Entscheidung

gemäß § 79 Abs 3 Satz 1 Nr 1 PatG an das Patentamt zurückzuverweisen, vgl

hierzu auch Schulte, PatG, 7. Aufl, § 79 Rdn 20, 21, 29 und 30. Dass im übrigen

ein gegenüber der og Literaturstelle weitergehender, dem Gegenstand des geltenden Patentanspruchs 1 möglicherweise patenthindernd entgegenstehender

Stand der Technik exisitiert, zeigt die vom Senatsberichterstatter ermittelte, ein

Kontaktierungsverfahren für einen DRAM-Grabenkondensator (method of connecting a dram

trench capacitor) betreffende europäische Offenlegungsschrift

0 791 959, aus der bereits das dem Anmeldungsgegenstand zugrundeliegende og

Problem und dessen prinzipielle Problemlösung, nämlich selektives Aufwachsen

von Silizium (60) mittels Epitaxie im Trenchloch (trench sidewall 41) der DRAM-

Zelle und Ausbildung einer Polysiliziumfüllung im Trenchloch mit kleineren lateralen Maßen als die Polysiliziumfüllung, nämlich als epitaktisch aufgewachsener

Polysilizumkegel (56) auf der Polysiliziumfüllung (72), bekannt ist (vgl dort insbesondere die Figuren 2A bis 2E und 3 mit zugehöriger Beschreibung sowie das

Abstract auf der Titelseite). Im übrigen zeigt die ermittelte Druckschrift auch, dass

auf der Grundlage des Anspruchs 1 – entgegen der Auffassung des Prüfers im

Erstbescheid (S 2 Nr. 3) – eine zielgerichtete Recherche sehr wohl ohne weiteres

möglich ist.

Tauchert

Meinel

Lokys

Schramm

Ju