Rechtsprechung / BPatG / 2006
BPatG Beschluss vom 31.01.2006 – 23 W (pat) 45/04
23. Senat
BUNDESPATENTGERICHT
_______________
(Aktenzeichen)
Verkündet am
31. Januar 2006
…
B E S C H L U S S
In der Beschwerdesache
betreffend die Patentanmeldung 102 34 208.3-33
…
hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf
die mündliche Verhandlung vom 31. Januar 2006 unter Mitwirkung … 08.05
beschlossen:
Der Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deutschen Patent- und Markenamts vom 7. Juni 2004 wird aufgehoben
und das Patent wird unter Zurückweisung der Beschwerde im Übrigen (Hauptantrag und Hilfsantrag 1) entsprechend Hilfsantrag 2
mit folgenden Unterlagen erteilt:
Patentansprüche 1 bis 16, Beschreibung, Seiten 1 bis 19, diese
Unterlagen überreicht
in der mündlichen Verhandlung vom
31. Januar 2006, ursprüngliche Zeichnung, Figuren 1 bis 35.
Anmeldetag:
19. Juli 2002
Bezeichnung der Erfindung: Waferlevel-Stapelchippackung und
Herstellungsverfahren hierfür.
G r ü n d e
I.
Die Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deutschen Patent- und Markenamts hat
die am 19. Juli 2002 eingereichte Patentanmeldung mit der Bezeichnung „Waferlevel-Stapelchippackung und Herstellungsverfahren hierfür“, für die die Priorität
einer Anmeldung in der Republik Korea vom 19. Juli 2001 (Aktenzeichen
2001/43445) in Anspruch genommen ist, durch Beschluss vom 7. Juni 2004 zurückgewiesen.
Im Prüfungsverfahren sind zum Stand der Technik die Druckschriften:
-
-
-
DE 197 25 464 C2 (Entgegenhaltung 1)
DE 100 49 551 A1 (Entgegenhaltung 2) und
DE 100 11 005 A1 (Entgegenhaltung 3)
genannt worden, von denen die gegenüber dem Anmeldetag der vorliegenden Anmeldung vorveröffentlichte, gegenüber deren Prioritätstag jedoch nachveröffentlichte Entgegenhaltung 1 als dazugehörige Offenlegungsschrift - im folgenden als
Entgegenhaltung 1’ bezeichnet - auch gegenüber dem Prioritätstag vorveröffentlicht ist.
In dem vorgenannten Beschluss ist ausgeführt, dass für den Fachmann z. B. der
Begriff „Umverteilungs-Substrat“ unklar sei. Im Hinblick auf den Sachgehalt dieses
Begriffs, der im übrigen kein Fachbegriff der Elektronik sei, und nicht nur im Hinblick auf den Wortlaut sei an sich unklar, was mit ihm gemeint sei und inwiefern
sich ein derartiges Substrat von einem gewöhnlichen Substrat unterscheide. Zwar
sei dem Anmelder zuzustimmen, dass zur erforderlichen Begriffsklärung nach
ständiger Rechtsprechung auch die Beschreibung heranzuziehen sei, jedoch bemesse sich andererseits die Tragweite bzw. der Schutzbereich der geschützten
Erfindung vorrangig nach den Patentansprüchen, die stets die maßgebliche
Grundlage des Patentschutzes seien, während die Beschreibung ihnen gegenüber
eine dienende Funktion haben solle. Bei dieser Sachlage und nachdem der Anspruch 1 z. B. im Hinblick auf den Begriff „Umverteilungs-Substrat“ nicht erkennen
lasse, was unter Schutz gestellt werden soll, sei die Anmeldung zurückzuweisen.
Gegen diesen Beschluss richtet sich die Beschwerde der Anmelderin.
In der mündlichen Verhandlung vom 31. Januar 2006 hat die Anmelderin ihr
Schutzbegehren mit neugefaßten Patentansprüchen 1 bis 16 nach Hauptantrag,
einem Patentanspruch 1 nach Hilfsantrag 1 mit daran anzupassenden weiteren
Patentansprüchen sowie mit Patentansprüchen 1 bis 16 nach Hilfsantrag 2 mit
daran angepasster Beschreibung weiterverfolgt und die Auffassung vertreten,
dass aufgrund der Gesamtoffenbarung der ursprünglichen Anmeldungsunterlagen
klar sei, was mit dem Begriff „Umverteilungs-Substrat“ unter Schutz gestellt werden soll, dass die verteidigten Patentansprüche auch ansonsten klar sowie zulässig seien und dass die beanspruchte Erfindung durch den nachgewiesenen Stand
der Technik nicht patenthindernd getroffen sei.
Die Anmelderin beantragt,
den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deutschen Patent- und Markenamts vom 7. Juni 2004 aufzuheben und
das Patent mit folgenden Unterlagen zu erteilen:
Patentansprüche 1 bis 16, überreicht in der mündlichen Verhandlung vom 31. Januar 2006, ursprüngliche Beschreibung, Seiten 1
bis 11 und 13 bis 19 und Beschreibungsseite 12, eingegangen am
30. Dezember 2003, ursprüngliche Zeichnung, Figuren 1 bis 35.
Hilfsweise (Hilfsantrag 1) das Patent mit folgenden Unterlagen zu
erteilen:
Patentanspruch 1, überreicht in der mündlichen Verhandlung vom
31. Januar 2006, anzupassende Patentansprüche 2 bis 8 und
Patentansprüche 9 bis 16 entsprechend Hauptantrag, anzupassende Beschreibung, ursprüngliche Zeichnung, Figuren 1 bis 35.
Weiter hilfsweise (Hilfsantrag 2) das Patent mit folgenden Unterlagen zu erteilen:
Patentansprüche 1 bis 16, Beschreibung, Seiten 1 bis 19, diese
Unterlagen überreicht
in der mündlichen Verhandlung vom
31. Januar 2006, ursprüngliche Zeichnung, Figuren 1 bis 35.
Der Patentanspruch 1 nach Hauptantrag lautet:
„Waferlevel-Stapelchippackung mit mehreren, dreidimensional gestapelten Halbleiterchips, die folgende Merkmale aufweist:
(a) ein Umverteilungs-Substrat (40) mit
-
einer ersten dielektrischen Schicht (45) vorgegebener Struktur,
-
einer Umverteilungsschicht (47) vorgegebener Struktur auf
der ersten dielektrischen Schicht und in von letzterer freigelassenen Stellen,
-
-
einer zweiten dielektrischen Schicht (48) auf der ersten dielektrischen Schicht und der Umverteilungsschicht und
Substratkontaktstellen (49), die von der zweiten dielektrischen Schicht freigelassen werden und mit der Umverteilungsschicht verbunden sind,
(b) wenigstens einen unteren, dreidimensional auf das Umverteilungs-Substrat (40) zu stapelnden Halbleiterchip (60a) mit
-
-
einem Halbleitersubstrat (51a),
einer Passivierungsschicht (53a) auf der Oberseite des Substrats;
-
einer Mehrzahl von Chipanschlussstellen (52), die von der
Passivierungsschicht freigelassen werden,
-
einer Umverteilungsschicht (55a) vorgegebener Struktur auf
der Passivierungsschicht und in elektrischer Verbindung mit
den Chipanschlussstellen,
-
einer Polymerschicht (56) auf der Passivierungsschicht und
der Umverteilungsschicht mit ersten Öffnungen zum partiellen Freilegen der Umverteilungsschicht, wobei die ersten
Öffnungen den Substratkontaktstellen entsprechen,
-
inneren Verbindungsanschlüssen (57a), die über die ersten
Öffnungen auf der freiliegenden Umverteilungsschicht gebildet und mit dieser elektrisch verbunden sind, und
-
einem leitfähigen Füllmaterial (59a) zum Füllen zweiter Öffnungen (58a), welche die Umverteilungsschicht 55a) auf der
dem jeweiligen inneren Verbindungsanschluss (57a) gegenüberliegenden Seite freilegen,
(c) einen obenliegenden Halbleiterchip (60c) mit
-
-
einem Halbleitersubstrat (51),
einer Passivierungsschicht (53) auf der Oberseite des Substrats,
-
einer Mehrzahl von Chipanschlussstellen (52), die von der
Passivierungsschicht freigelassen werden,
-
einer Umverteilungsschicht (55) vorgegebener Struktur auf
der Passivierungsschicht und in elektrischer Verbindung mit
den Chipanschlussstellen,
-
einer Polymerschicht (56) auf der Passivierungsschicht und
der Umverteilungsschicht mit dritten Öffnungen zum partiellen Freilegen der Umverteilungsschicht, wobei die dritten
Öffnungen den Substratkontaktstellen entsprechen, und
-
inneren Verbindungsanschlüssen (57c), die über die dritten
Öffnungen auf der freiliegenden Umverteilungsschicht gebildet und mit dieser elektrisch verbunden sind,
(d) eine Füllschicht (81 82, 83) zum Füllen von Bereichen zwischen den zu stapelnden Chips, um die inneren Verbindungsanschlüsse zu schützen,
(e) eine Metallabdeckung (70, 170), welche die Außenflächen der
Stapelchippackung mit Ausnahme der ersten dielektrischen
Schicht des Umverteilungs-Substrats bedeckt, und
(f) externe Verbindungsanschlüsse (90), die auf den von der
Struktur der ersten dielektrischen Schicht des Umverteilungs-
Substrats freigelassenen Stellen der Umverteilungsschicht
gebildet und mit dieser elektrisch verbunden sind, wobei die
inneren Verbindungsanschlüsse des obersten Halbleiterchips
durch Flip-Chip-Bonden mit dem die zweiten Öffnungen füllenden, leitfähigen Füllmaterial des unteren Halbleiterchips
verbunden sind.“
Der Patentanspruch 1 nach Hilfsantrag 1 unterscheidet sich von demjenigen nach
Hauptantrag nur durch die Streichung der Formulierung „ein Umverteilungs-Substrat (40) mit“ im Merkmalskomplex (a) und durch das Ersetzen der Formulierung
„auf das Umverteilungs-Substrat (40) zu stapelnden“ durch die Formulierung „auf
die zweite dielektrische Schicht (48) gestapelten“ im Merkmalskomplex (b).
Die nebengeordneten Patentansprüche 1, 2 und 10 nach Hilfsantrag 2 haben folgenden Wortlaut:
„1. Verfahren zur Herstellung einer Waferlevel-Stapelchippackung,
gekennzeichnet durch folgende Schritte:
(a) Bereitstellen eines ersten Halbleiterchips und mindestens eines zweiten Halbleiterchips, die jeweils folgende Elemente
-
-
aufweisen:
ein Halbleitersubstrat (51),
eine Passivierungsschicht (53) auf der Oberseite des Substrats,
-
eine Mehrzahl von Chipanschlussstellen (52), die von der
Passivierungsschicht freigelassen werden, und
-
eine Umverteilungsschicht (55) vorgegebener Struktur auf
der Passivierungsschicht und in elektrischer Verbindung mit
den Chipanschlussstellen,
(b) Bereitstellen eines Umverteilungs-Substrats (40) mit
-
einem Halbleitersubstrat (41) mit Chipmontagebereichen
zum dreidimensionalen Stapeln des ersten und zweiten
Halbleiterchips und mit Trennlinienbereichen (43) zum Separieren der Chipmontagebereiche voneinander,
-
einer ersten dielektrischen Schicht (45) vorgegebener Struktur,
-
einer Umverteilungsschicht (47) vorgegebener Struktur auf
der ersten dielektrischen Schicht,
-
einer zweiten dielektrischen Schicht (48) auf der ersten
dielektrischen Schicht und der Umverteilungsschicht und
-
Substratkontaktstellen (49), die von der zweiten dielektrischen Schicht freigelassen werden und mit der Umverteilungsschicht verbunden sind,
(c) Bilden einer ersten Metallwandung (71) in einer vorgegebenen
Tiefe entlang des jeweiligen Trennlinienbereichs des Umverteilungs-Substrats,
(d) Flip-Chip-Bonden erster innerer Verbindungsanschlüsse (57a)
des ersten Halbleiterchips mit den Substratkontaktstellen des
Umverteilungs-Substrats,
(e) Füllen des Flip-Chip-Bondbereichs zwischen dem ersten Halbleiterchip und dem Umverteilungs-Substrat mit einem flüssigen
Gießharz zur Bildung einer ersten Füllschicht (81),
(f) Abschleifen der Rückseite des ersten Halbleiterchips und der
ersten Füllschicht, so dass die Oberseite der ersten Metallwandung freigelegt wird,
(g) Erzeugen von Durchgangsöffnungen (58a) auf der Umverteilungsschicht des ersten Halbleiterchips und Füllen der Durchgangsöffnungen mit einem leitfähigen Füllmaterial,
(h) zumindest einmaliges Wiederholen der Schritte (c) bis (g) mit
dem mindestens einen zweiten Halbleiterchip,
(i) Einbringen eines Trennschnitts entlang des Trennlinienbereichs von der zweiten Metallwandung bis zum Halbleitersubstrat des Umverteilungs-Substrats in einer vorgegebenen
Tiefe,
(j) Auftrennen in einzelne Stapelchippackungen (100) durch Ätzen des Halbleitersubstrats des Umverteilungs-Substrats und
(k) Erzeugen externer Verbindungsanschlüsse (90) auf der freigelegten Umverteilungsschicht der Substratkontaktstellen.
2. Verfahren zur Herstellung einer Waferlevel-Stapelchippackung,
gekennzeichnet durch folgende Schritte:
(a) Bereitstellen eines ersten Halbleiterchips und mindestens eines zweiten Halbleiterchips, die jeweils folgende Elemente
-
-
aufweisen:
ein Halbleitersubstrat (51),
eine Passivierungsschicht (53) auf der Oberseite des Substrats,
-
eine Mehrzahl von Chipanschlussstellen (52), die von der
Passivierungsschicht freigelassen werden, und
-
eine Umverteilungsschicht (55) vorgegebener Struktur auf
der Passivierungsschicht und in elektrischer Verbindung mit
den Chipanschlussstellen,
(b) Bereitstellen eines Umverteilungs-Substrats (140) mit
-
einem Halbleitersubstrat (141) mit Chipmontagebereichen
zum dreidimensionalen Stapeln des ersten und zweiten
Halbleiterchips und mit Trennlinienbereichen (143) zum Separieren der Chipmontagebereiche voneinander,
-
einer ersten dielektrischen Schicht (45) vorgegebener Struktur,
-
einer Umverteilungsschicht (147) vorgegebener Struktur auf
der ersten dielektrischen Schicht,
-
einer zweiten dielektrischen Schicht (48) auf der ersten
dielektrischen Schicht und der Umverteilungsschicht und
-
Substratkontaktstellen (149), die von der zweiten dielektrischen Schicht
freigelassen werden und mit der
Umverteilungsschicht verbunden sind,
(c) Flip-Chip-Bonden
erster
innerer Verbindungsanschlüsse (157a) des ersten Halbleiterchips mit den Substratkontaktstellen des Umverteilungs-Substrats,
(d) Füllen des Flip-Chip-Bondbereichs zwischen dem ersten Halbleiterchip und dem Umverteilungs-Substrat mit einem flüssigen
Gießharz zur Bildung einer ersten Füllschicht (181),
(e) Abschleifen der Rückseite des ersten Halbleiterchips und der
ersten Füllschicht,
(f) Erzeugen von Durchgangsöffnungen (158a) auf der Umverteilungsschicht des ersten Halbleiterchips und Füllen der Durchgangsöffnungen mit einem leitfähigen Füllmaterial,
(g) zumindest einmaliges Wiederholen der Schritte (c) bis (f) mit
dem mindestens einen zweiten Halbleiterchip,
(h) Einbringen eines Trennschnitts entlang des Trennlinienbereichs in einer vorgegebenen Tiefe bis zum Halbleitersubstrat
des Umverteilungs-Substrats,
(i) Auftrennen
in einzelne Stapelchippackungen (200) durch
Ätzen des Halbleitersubstrats des Umverteilungs-Substrats,
(j) Erzeugen einer Metallabdeckung (170), welche die Außenflächen der Stapelchippackung mit Ausnahme der ersten dielektrischen Schicht des Umverteilungs-Substrats bedeckt, und
(k) Erzeugen externer Verbindungsanschlüsse (190) auf der
freigelegten Umverteilungsschicht der Substratkontaktstellen.
10. Waferlevel-Stapelchippackung mit mehreren, dreidimensional
gestapelten Halbleiterchips, die gemäß dem Verfahren nach
einem der Ansprüche 1 bis 9 hergestellt ist.“
Wegen der Patentansprüche 2 bis 16 nach Hauptantrag, der Patentansprüche 3
bis 9 und 11 bis 16 nach Hilfsantrag 2 sowie der weiteren Einzelheiten wird auf
den Akteninhalt verwiesen.
II.
Die form- und fristgerecht erhobene Beschwerde ist zulässig und auch begründet;
sie hat jedoch nur insoweit Erfolg, als der angefochtene Beschluss aufgehoben
und das nachgesuchte Patent mit den Unterlagen gemäß Hilfsantrag 2 erteilt wird.
A) Der im angefochtenen Beschluss gerügte Mangel, der Begriff „Umverteilungs-
Substrat“ lasse nicht erkennen, was unter Schutz gestellt werden soll, liegt nicht
vor.
Denn nach höchstrichterlicher Rechtsprechung sind die Begriffe in den Patentansprüchen sowohl bei der Prüfung der Patentfähigkeit als auch für die Bestimmung
des Schutzbereichs so zu deuten, wie sie der angesprochene Fachmann nach
dem Gesamtinhalt der Anmeldungsunterlagen unter Berücksichtigung der darin
objektiv offenbarten Lösung versteht (vgl. BGH GRUR 2001, 232, Leitsatz -
„Brieflocher“), wobei die Anmeldungsunterlagen
im Hinblick auf die dort
gebrauchten Begriffe gleichsam ihr eigenes Lexikon darstellen, weshalb bei
Abweichen vom allgemeinen (technischen) Sprachgebrauch letztlich nur der sich
aus den Anmeldungsunterlagen ergebende Begriffsinhalt maßgebend ist (vgl.
BGH GRUR 1999, 909, Leitsatz 2 - „Spannschraube“). In der ursprünglichen
Beschreibung der vorliegenden Anmeldung (vgl. Seite 5, letzter Absatz bis Seite 8,
Absatz 1 zu den Figuren 5 bis 9) ist das Umverteilungs-Substrat aber anhand des
dazugehörigen Herstellungsverfahrens in sämtlichen Einzelheiten erläutert und
somit so klar definiert, dass der Fachmann ohne weiteres erkennen kann, was
damit unter Schutz gestellt werden soll. Danach gehört zu dem Umverteilungs-
Substrat (40) nämlich ein Halbleitersubstrat (41) als Träger, auf dem der Reihe
nach eine erste dielektrische Schicht (45) mit Kontaktöffnungen zum Anbringen
externer Verbindungsanschlüsse (vgl. Seite 6, letzter Absatz bis Seite 7, Absatz 1
zur Fig. 7), darauf eine die Kontaktöffnungen durchsetzende metallene Umverteilungsschicht (47) zur Umpositionierung der Anschlüsse der zu stapelnden Halbleiterchips (vgl. Seite 7, Absatz 2 zur Fig. 8) und darauf eine zweite dielektrische
Schicht (48) mit die Umverteilungsschicht (47) freilegenden Substratkontaktstellen (49) ausgebildet sind (vgl. Seite 7, letzter Absatz bis Seite 8, Absatz 1 zur
Fig. 9).
B) Hauptantrag
Dem Hauptantrag konnte nicht stattgegeben werden, weil der dazugehörige
Patentanspruch 1 dem Fachmann keine klare und ausführbare Lehre zum technischen Handeln vermittelt.
Denn der eine Waferlevel-Stapelchippackung betreffende Patentanspruch 1 nach
Hauptantrag ist insofern in sich widersprüchlich, als er gemäß dem Merkmalskomplex (a) ein Umverteilungs-Substrat (40) vorschlägt, zu dem - wie dargelegt - auch
ein Halbleitersubstrat (41) gehört, andererseits gemäß dem Merkmalskomplex (f)
jedoch externe Verbindungsanschlüsse (90) vorsieht, die eine freie Zugänglichkeit
zu dazugehörigen Kontaktstellen der Umverteilungsschicht (47) des Umverteilungs-Substrats (40) voraussetzen (vgl. Fig. 27 mit zugehöriger Beschreibung) und
somit ein Abtragen des Halbleitersubstrats (41) des Umverteilungs-Substrats (40)
erfordern (vgl. die Figuren 25 bis 27 mit zugehöriger Beschreibung), so dass die
Waferlevel-Stapelchippackung nicht das Umverteilungs-Substrat (40) und zugleich
die externen Verbindungsanschlüsse (90) aufweisen kann, wie dies der Patentanspruch 1 nach Hauptantrag verlangt.
Soweit die Anmelderin aber geltend macht, dass das Umverteilungs-Substrat (40)
gemäß dem Merkmalskomplex (a) des Patentanspruchs 1 nach Hauptantrag ausschließlich aus einer ersten dielektrischen Schicht (45), einer Umverteilungsschicht (45) und einer zweiten dielektrischen Schicht (45) bestehe - d. h. kein
Halbleitersubstrat (41) aufweise -, steht dies ersichtlich im Widerspruch zur
Gesamtoffenbarung der ursprünglichen Anmeldungsunterlagen, wonach das
Halbleitersubstrat (41) ein grundlegender Bestandteil des Umverteilungs-
Substrats (40) ist (vgl. hierzu Seite 5, letzter Absatz bis Seite 8, Absatz 1 zu den
Figuren 5 bis 9 i. V. m. den jeweiligen Merkmalskomplexen (b) der ursprünglichen
nebengeordneten Patentansprüche 8 und 9), zumal die erste dielektrische
Schicht (45), die Umverteilungsschicht (47) und die zweite dielektrischen
Schicht (48) augrund ihrer geringen Schichtdicken (vgl. Seite 7, Zeilen 3 bis 5,
21 bis 22 und 30 bis 32) ohne das Halbleitersubstrat (41) auch nicht die erforderliche Tragfähigkeit besäßen, um als Umverteilungs-Substrat zum dreidimensionalen Stapeln von Halbleiterchips herangezogen werden zu können, wie dies der
Merkmalskomplex (b) des Patentanspruchs 1 nach Hauptantrag fordert.
Die Waferlevel-Stapelchippackung nach dem Patentanspruch 1 gemäß
Hauptantrag ist daher mangels Klarheit und Ausführbarkeit der Lehre nicht
patentfähig.
Mit dem Patentanspruch 1 nach Hauptantrag fallen wegen der Antragsbindung
auch die Patentansprüche 2 bis 16 nach Hauptantrag.
C) Hilfsantrag 1
Dem Hilfsantrag 1 mußte wegen unzulässiger Erweiterung § 39 PatG des
dazugehörigen Patentanspruchs 1 der Erfolg versagt bleiben.
Nach der Gesamtoffenbarung der ursprünglichen Anmeldungsunterlagen bildet
das Umverteilungs-Substrat mit Halbleitersubstrat das tragende Merkmal der
Waferlevel-Stapelchippackung nach der Erfindung (vgl. Seite 5, letzter Absatz bis
Seite 6, Absatz 1 sowie Seite 8, Absatz 1 i. V. m. den ursprünglichen nebengeordneten Patentansprüchen 1, 8 und 9). Folglich ist der Patentanspruchs 1 nach Hilfsantrag 1 durch die Streichung des erfindungstragenden Merkmals „Umverteilungs-
Substrat“ unzulässig erweitert. Denn wegen des fehlenden Umverteilungs-
Substrats ist der Patentanspruch 1 nach Hilfsantrag 1 nicht mehr auf eine
erfindungsgemäße Waferlevel-Stapelchippackung gerichtet - bei der auf dem Umverteilungs-Substrat als Wafer eine Anzahl von Halbleiterchips zu mehreren noch
zu vereinzelnden Stapelchippackungen aufgestapelt ist (vgl. die Figuren 23
bzw. 32 mit zugehöriger Beschreibung) -, vielmehr wird damit ein aliud in Form
einer Einzel-Stapelchippackung beansprucht (vgl. die Figuren 25 bis 27 bzw.
33 bis 35 mit zugehöriger Beschreibung), bei der mit dem entfernten Halbleitersubstrat (41 bzw. 141) des Umverteilungs-Substrats (40 bzw. 140) zudem der
Wafer der erfindungsgemäßen Waferlevel-Stapelchippackung fehlt (vgl. zu letzterem Seite 5, letzter Absatz bis Seite 6, Absatz 1 zur Fig. 5).
Die Waferlevel-Stapelchippackung nach dem Patentanspruch 1 gemäß
Hilfsantrag 1 ist daher wegen unzulässiger Erweiterung nicht patentfähig.
Mit dem Patentanspruch 1 nach Hilfsantrag 1 fallen wegen der Antragsbindung
auch alle weiteren Patentansprüche nach Hilfsantrag 1.
D) Hilfsantrag 2
1. Gegen die Zulässigkeit der Patentansprüche 1 bis 16 nach Hilfsantrag 2
bestehen keine Bedenken.
Die nebengeordneten Patentansprüche 1 bzw. 2 nach Hilfsantrag 2
finden
inhaltlich eine ausreichende Stütze in den ursprünglichen Nebenansprüchen 8
bzw. 9
i. V. m. den Ausführungsbeispielen nach den Figuren 5 bis 27
(Patentanspruch 1) bzw. 28 bis 35 (Patentanspruch 2) und dem ursprünglichen
Patentanspruch 1 (hinsichtlich des mindestens einen zweiten Halbleiterchips und
der Wiederholung der Verfahrensschritte (c) bis (g) bzw. (c) bis (f)). Gemäß den
ursprünglichen Patentansprüchen 8 bzw. 9 sind zwar jeweils nur ein erster und ein
zweiter Halbleiterchip mit entsprechenden Verfahrensschritten vorgesehen. Bei
den dazugehörigen Ausführungsbeispielen ist aber jeweils ein dritter Halbleiterchip
mit entsprechenden Verfahrensschritten
- d. h.
in der Terminologie der
Patentansprüche 1 bzw. 2 nach Hilfsantrag 2 ein zweiter Halbleiterchip
-
vorhanden (vgl. die Figuren 22 bzw. 32 mit zugehöriger Beschreibung). Der
ursprüngliche Patentanspruch 1 läßt zudem die Anzahl der Halbleiterchips nach
oben hin offen
(vgl. dort den
„einen obenliegenden Halbleiterchip“
im
Merkmalskomplex (c) und den „wenigstens einen unteren Halbleiterchip“ im Merkmalskomplex (b)).
Die Unteransprüche 3 bis 9 nach Hilfsantrag 2 entsprechen inhaltlich - in dieser
Reihenfolge
- den ursprünglichen Unteransprüchen 10 bis 16, wobei
im
Unteranspruch 3 das Merkmal
„eines zweiten Halbleiterchips“
-
insoweit
entsprechend den Patentansprüchen 1 bzw. 2 nach Hilfsantrag 2 - in „mindestens
eines zweiten Halbleiterchips“ abgeändert worden ist.
Der entsprechend dem ursprünglichen Patentanspruch 1 auf eine Waferlevel-
Stapelchippackung mit mehreren, dreidimensional gestapelten Halbleiterchips
gerichtete nebengeordnete Patentanspruch 10 nach Hilfsantrag 2 betrifft gemäß
den Verfahren nach den vorangehenden Verfahrensansprüchen 1 bis 9
unmittelbar hergestellte Erzeugnisse (vgl. § 9 Satz 2 Nr. 3) und ist daher ebenfalls
zulässig.
Die Unteransprüche 11 bis 16 nach Hilfsantrag 2 entsprechen inhaltlich - in dieser
Reihenfolge
- den ursprünglichen Unteransprüchen 2 bis 7, wobei
ihre
Terminologie an diejenige der Patentansprüche 1 und 2 nach Hilfsantrag 2
angepasst worden ist.
2. Die Verfahren zur Herstellung einer Waferlevel-Chippackung nach den Patentansprüchen 1 bzw. 2 gemäß Hilfsantrag 2 sind durch den nachgewiesenen Stand
der Technik nicht patenthindernd getroffen.
Insbesondere das durch die Patentansprüche 1 und 2 gemäß Hilfsantrag 2
gelehrte Bereitstellen eines Umverteilungs-Substrats (40) mit
-
einem Halbleitersubstrat (41) mit Chipmontagebereichen zum dreidimensionalen Stapeln des ersten und zweiten Halbleiterchips und mit
Trennlinienbereichen (43) zum Separieren der Chipmontagebereiche
voneinander,
-
-
einer ersten dielektrischen Schicht (45) vorgegebener Struktur,
einer Umverteilungsschicht (47) vorgegebener Struktur auf der ersten
dielektrischen Schicht,
-
einer zweiten dielektrischen Schicht (48) auf der ersten dielektrischen
Schicht und der Umverteilungsschicht und
- Substratkontaktstellen (49), die von der zweiten dielektrischen Schicht
freigelassen werden und mit der Umverteilungsschicht verbunden
sind,
ist dem zuständigen Durchschnittsfachmann, der hier als ein mit der Herstellung
von Stapelchippackungen befaßter, berufserfahrener Physiker oder Ingenieur der
Halbleitertechnik mit Fachhochschulausbildung zu definieren ist, durch den im
Verfahren befindlichen Stand der Technik weder bekannt noch nahegelegt.
Von den eingangs genannten Druckschriften offenbart die der Erfindung noch am
nächsten kommende Entgegenhaltung 3 zwar ein Verfahren zur Herstellung einer
Waferlevel-Stapelchippackung, bei dem ein Basiswafer (40) aus einem Halbleitersubstrat (10a mit aktivem Bereich 10b) mit darauf ausgebildeter dielektrischer
Schicht (Passivierungsschicht 12) mit Aussparungen für Substratkontaktstellen
(Anschlussflächen 14) bereitgestellt wird, wobei der Basiswafer (40) auch bereits
aus einer Vielzahl von Chipmontagebereichen (Basis-Chip 10) für Halbleiterchips
(Top-Chips 16) besteht, die durch Trennlinien zum Separieren der Chipmontagebereiche - d. h. zur Vereinzelung der Waferlevel-Stapelchippackung in Einzel-
Stapelchippackungen - getrennt sind (vgl. Anspruch 1 i. V. m. den Figuren 1 bis 3
mit zugehöriger Beschreibung). Jedoch
führt die Entgegenhaltung 3 den
Fachmann insofern von der Erfindung weg, als der dortige Basiswafer (40) keine
Umverteilungsschicht zur Umverteilung von Anschlüssen aufweist und somit nicht
auch als Umverteilungs-Substrat im Sinne der vorliegenden Erfindung ausgebildet
ist. Die die
inneren Verbindungsanschlüsse (20) mit externen Verbindungsanschlüssen (38) verbindende, die Anschlüsse umverteilende Schicht
(Umdrahtungsstruktur 32, zweite Kontaktstruktur 30) ist dort nämlich nicht auf dem
Basiswafer (40) - als dessen Bestandteil -, sondern auf der dem Basiswafer (40)
abgewandten Oberfläche einer die Zwischenräume zwischen den Halbleiterchips (16) ausfüllenden Füllschicht (24) ausgebildet (vgl. Fig. 2).
Eine Anregung zum Bereitstellen eines Umverteilungs-Substrats im Sinne der Patentansprüche 1 und 2 nach Hilfsantrag 2 kann der Fachmann aber auch nicht bei
Einbeziehung der Entgegenhaltungen 1’ und 2 erhalten, die - obwohl in der Entgegenhaltung 1’ von einem Stand der Technik ausgegangen wird, bei dem die Halbleiterchips (2) auf einem Halbleitersubstrat (1) gestapelt sind (vgl. dort die
Figuren 1A und 1B mit zugehöriger Beschreibung) - jeweils Halbleiterchip-Stapel
ohne jegliches Montagesubstrat vorschlagen (vgl. die Figuren 3 bis 6 der
Entgegenhaltung 1’ bzw. die Figuren 1 bis 9 der Entgegenhaltung 2 nebst
zugehöriger Beschreibung), womit sie den Fachmann von der Erfindung noch
weiter wegführen.
Im Übrigen hat auch die Prüfungsstelle nicht geltend gemacht, dass die Druckschriften 1, 2 und 3 den Anmeldungsgegenstand patenthindernd treffen könnten
(vgl. den Prüfungsbescheid vom 4. September 2003 (Ausfertigung), Seite 2,
Abschnitt II.).
Die Verfahren zur Herstellung einer Waferlevel-Chippackung nach den Patentansprüchen 1 bzw. 2 gemäß Hilfsantrag 2 sind daher auch im Hinblick auf den Stand
der Technik patentfähig.
3. An die Patentansprüche 1 und 2 nach Hilfsantrag 2 können sich die darauf
direkt oder indirekt zurückbezogenen Unteransprüche 3 bis 9 und der darauf
zurückbezogene Nebenanspruch 10 mit Unteransprüchen 11 bis 16 anschließen,
die vorteilhafte und nicht selbstverständliche Ausführungsarten der Verfahren zur
Herstellung einer Waferlevel-Stapelchippackung nach den Patentansprüchen 1
bzw. oder 2 (Unteransprüche 3 bis 9) bzw. gemäß diesen Verfahren hergestellte
Waferlevel-Stapelchippackungen (Nebenanspruch 10 mit Unteransprüchen 11
bis 16) betreffen.
E) In der geltenden Beschreibung ist der maßgebliche Stand der Technik
angegeben, von dem die Erfindung ausgeht. Auch sind in der Beschreibung die
beanspruchten Verfahren zur Herstellung einer Waferlevel-Chippackung
einschließlich der dazugehörigen Erzeugnisse anhand der Zeichnung ausreichend
erläutert.
F) Zu dem von der Anmelderin in der mündlichen Verhandlung nicht mehr
gestellten Antrag auf Rückzahlung der Beschwerdegebühr ist darauf hinzuweisen,
dass eine falsche Beurteilung allein kein Grund für eine Rückzahlung der
Beschwerdegebühr
ist, zumal
im vorliegenden Fall
trotz der sachlichen
Fehlbeurteilung durch die Prüfungsstelle im Beschwerdeverfahren mit den
gleichen Unterlagen die gleiche Entscheidung - wenngleich auch aus anderen
Gründen (siehe die vorstehenden Ausführungen zum Patentanspruch 1 nach
Hauptantrag) - zu ergehen hätte (vgl. hierzu Schulte, PatG, 7. Auflage, § 73
Rdn. 127 und 128; BPatG BlPMZ 1989, 360, Leitsatz 2) und eine Fortsetzung des
Prüfungsverfahrens mit einem weiteren Bescheid insofern nicht sachdienlich
gewesen wäre, als damals bereits gefestigte konträre Meinungen hinsichtlich des
Begriffsinhalts des „Umverteilungs-Substrats“ einander gegenüberstanden, was im
übrigen auch durch das Festhalten der Anmelderin an einer von der Gesamtoffenbarung der ursprünglichen Anmeldungsunterlagen - wie dargelegt - abweichenden
Interpretation des Begriffs
„Umverteilungs-Substrat“
in der mündlichen
Verhandlung bestätigt wird (vgl. die vorstehenden diesbezüglichen Ausführungen
zum Patentanspruch 1 nach Hauptantrag).
Bei der dargelegten Sachlage war der angefochtene Beschluss aufzuheben und
das Patent mit den Unterlagen nach Hilfsantrag 2 zu erteilen.
gez.
Unterschriften