BPatG Beschluss vom 13.01.2009 – 14 W (pat) 334/05

BUNDESPATENTGERICHT

14 W (pat) 334/05

_______________

(Aktenzeichen)

Verkündet am

13. Januar 2009

…

B E S C H L U S S

In der Einspruchssache

betreffend das Patent 102 57 628

… 08.05

hat der 14. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts

aufgrund der mündlichen Verhandlung vom 13. Januar 2009 unter Mitwirkung des

Vorsitzenden Richters Dr. Schröder, der Richter Harrer, Dr. Gerster und der

Richterin Dr. Münzberg

beschlossen:

Das Patent 102 57 628 wird in vollem Umfang aufrechterhalten.

G r ü n d e

I

Die Erteilung des Patents 102 57 628 mit der Bezeichnung

„Verfahren zum Beschichten von Hohlkörpern sowie Verwendung

des Verfahrens“

ist am 7. Juli 2005 veröffentlicht worden. Das Patent umfasst 13 Patentansprüche,

von denen die Ansprüche 1 und 13 wie folgt lauten:

1. Verfahren zum Beschichten von Hohlkörpern (1) mit metallischen Stoffen (2), dadurch gekennzeichnet, dass eine Mischung

aus einem metall-organischen Precursor und einem Inert-Pulver

innerhalb des zu beschichtenden Hohlkörpers (1) angeordnet wird,

und dass anschließend der Hohlkörper (1) unter Luftatmosphäre

auf eine Temperatur erwärmt wird, die zu einer Verdampfung und

Zersetzung des metall-organischen Precursors führt.

13. Verwendung des Verfahrens nach einem der vorangegangenen Ansprüche zur Innenbeschichtung von Kleintriebwerken,

Turbinenschaufeln oder Tragflächenprofilen.

Zum Wortlaut der rückbezogenen Ansprüche 2 bis 12, die besondere Ausgestaltungen des Verfahrens zum Beschichten von Hohlkörpern mit metallischen

Stoffen betreffen, wird auf die Streitpatentschrift verwiesen.

Gegen dieses Patent ist mit dem am 4. Oktober 2005 eingegangenen Schriftsatz

Einspruch erhoben worden. Der Einspruch ist im Wesentlichen damit begründet,

dass das Verfahren nach Anspruch 1 gegenüber den Druckschriften

D1 US 3 071 493 und

D2 DE 101 24 426 A1

nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit beruhe.

Aus der D1 sei ein Verfahren zur Herstellung einer metallischen Schicht bekannt,

bei dem eine Mischung aus einem metall-organischen Precursor und einem Inert-

Pulver verwendet werde. Diese Mischung werde im Vakuum erwärmt, so dass der

metall-organische Precursor verdampfe, sich thermisch zersetze und anschließend in metallischer Form auf dem Substrat abscheide. Der D2 sei andererseits

zu entnehmen, dass metall-organische Precursor auch unter Luftatmosphäre

thermisch zersetzt werden können. Da dabei flüchtige Bestandteile der Lösung,

sowie Zersetzungsprodukte des Precursors in die Gasphase übergingen, sei

davon auszugehen, dass auch der Precursor vor seiner thermischen Zersetzung

verdampft werde. Demzufolge vermöge die Verdampfung und thermische Zersetzung metall-organischer Precursor an Luft in einem Metallbeschichtungsverfahren keine erfinderische Tätigkeit zu begründen.

Die Einsprechende macht zudem geltend, dass das Verfahren gemäß den

erteilten Ansprüchen 3 und 4 nicht ausführbar sei, da die Temperatur des Hohlkörpers nicht unabhängig vom verwendeten metall-organischen Precursor festgelegt werden könne.

Die Einsprechende beantragt schriftsätzlich,

das Patent zu widerrufen.

Sie ist - obwohl ordnungsgemäß geladen - zur mündlichen Verhandlung nicht

erschienen, wie im Schriftsatz vom 18. Dezember 2008 angekündigt.

Die Patentinhaberin beantragt,

das Patent in vollem Umfang aufrecht zu erhalten, hilfsweise das

Patent beschränkt aufrecht zu erhalten mit den Patentansprüchen

1 bis 12 vom 9. März 2006.

Sie tritt dem Vorbringen der Einsprechenden entgegen und macht im Wesentlichen geltend, dass die D1 keine Hinweise dahingehend enthalte, ein

MOCVD-Verfahren unter Luftatmosphäre durchzuführen. In der D2 werde zwar ein

an Luft durchführbares Metallbeschichtungsverfahren beschrieben, allerdings

werde der metall-organische Precursor darin ohne vorherige Verdampfung thermisch zersetzt, so dass es sich beim Verfahren der D2 nicht um ein MOCVD-

Verfahren wie im Streitpatent handle. Die Verdampfung und Zersetzung eines

metall-organischen Precursors zur Beschichtung von Hohlkörpern unter Luftatmosphäre werde durch die Druckschriften D1 und D2 daher weder in isolierter

Betrachtung, noch in Zusammenschau nahegelegt. Das Verfahren gemäß Anspruch 1 des Streitpatents sei gegenüber dem zitierten Stand der Technik damit

neu und beruhe auch auf einer erfinderischen Tätigkeit.

Wegen weiterer Einzelheiten wird auf den Akteninhalt verwiesen.

II

1.

Der Einspruch ist frist- und formgerecht erhoben und mit Gründen versehen. Der Einspruch ist somit zulässig. Er kann aber nicht zum Erfolg führen.

2.

Die erteilten Ansprüche sind zulässig. Der Anspruch 1 geht auf die

Ansprüche 1 und 9 der Erstunterlagen zurück. Die Unteransprüche 2 bis 4, 6 bis 8

und 10 bis 12 entsprechen, bis auf die Korrektur offensichtlich nicht korrekt

angegebener chemischer Fachbegriff in den Ansprüchen 6 und 8, den ursprünglichen Ansprüchen 2 bis 4, 6 bis 8 und 10 bis 12. Die Unteransprüche 5 und 9

gehen aus den ursprünglichen Ansprüchen 5 und 9 hervor und der nebengeordnete Anspruch 13 aus dem ursprünglichen Anspruch 13. Die Ansprüche sind

auch sonst nicht zu beanstanden.

3.

Das Verfahren gemäß den Ansprüchen 3 und 4 ist ausführbar. Die

Temperatur, auf die der Hohlkörper erwärmt wird, ist im kennzeichnenden Teil der

Ansprüche unabhängig vom verwendeten metall-organischen Precursor definiert.

Dies ist möglich, da die metall-organischen Precursor im Streitpatent beispielsweise als Platin-, Aluminium- oder Iridium-Verbindungen mit β-Diketonen,

Halogen-Acetonen oder Methyl als Liganden definiert werden (vgl. Patentschrift,

Abs. 0025). Im Ausführungsbeispiel des Streitpatents wird Platin-bis-Acetylacetonat als metall-organischer Precursor eingesetzt (vgl. Patentschrift, Abs.

0028). Demzufolge sind die metall-organischen Precursor im Streitpatent so

deutlich offenbart, dass der Fachmann - hier ein Industriechemiker mit mehrjähriger Berufserfahrung im Bereich der Metallbeschichtung - daraus problemlos

diejenigen auswählen kann, die unter Luftatmosphäre in den angegebenen

Temperaturbereichen in die Gasphase übergehen und sich zersetzen.

4.

Das Verfahren zur Beschichtung von Hohlkörpern mit metallischen

Stoffen nach Anspruch 1 und die Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 13

sind neu.

In der D1 wird u. a. ein sog. „Packverfahren“, bei dem es sich um eine spezielle

Form eines MOCVD-Verfahrens handelt, zur Herstellung einer metallischen

Schicht beschrieben (vgl. D1, Sp. 21, Z. 73 bis Sp. 22, Z. 18 und Bsp. 43). Bei

diesem Verfahren wird ein metall-organischer Precursor in Gegenwart eines Inert-

Pulvers durch Erwärmung im Vakuum verdampft und thermisch zersetzt. Der D1

ist jedoch kein Hinweis zu entnehmen, dass ein solches MOCVD-Verfahren auch

unter Luftatmosphäre möglich ist, da alle in der D1 beschriebenen Beschichtungsverfahren im Vakuum durchgeführt werden (vgl. D1, Sp. 21, Z. 41 bis 47).

Das Metallbeschichtungsverfahren der D2 ist unter Luftatmosphäre durchführbar

und basiert zwar auch auf einer thermischen Zersetzung des metall-organischen

Precursors (vgl. D2, Anspruch 8). Allerdings wird in diesem Verfahren kein Inert-

Pulver verwendet.

Die weiteren im Verlauf des Einspruchsverfahrens in Betracht gezogenen Entgegenhaltungen, auf die in der mündlichen Verhandlung nicht im Einzelnen eingegangen wurde, gehen nicht über den vorstehend erläuterten Stand der Technik

hinaus und können die Neuheit des Verfahrens gemäß dem geltenden Anspruch 1

ebenfalls nicht in Frage stellen.

5.

Das Verfahren zur Beschichtung von Hohlkörpern mit metallischen

Stoffen nach Anspruch 1 und die Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 13

beruhen auch auf einer erfinderischen Tätigkeit.

Dem Patent liegt die Aufgabe zugrunde, ein einfaches und universell einsetzbares

Beschichtungsverfahren zur Verfügung zu stellen, das keine Gesundheitsrisiken

mit sich bringt (vgl. Streitpatentschrift, Abs. 0008).

Die Aufgabe wird mit dem Verfahren gemäß Anspruch 1 und der Verwendung

gemäß Anspruch 13 gelöst. Das Verfahren zum Beschichten von Hohlkörpern mit

metallischen Stoffen weist dazu folgende Merkmale auf:

a) Eine Mischung aus einem metall-organischen Precursor und

einem Inert-Pulver

b) wird innerhalb des zu beschichtenden Hohlkörpers angeordnet

und

c) der Hohlkörper anschließend auf eine Temperatur erwärmt,

d wobei die Erwärmung unter Luftatmosphäre erfolgt,

e) die zu einer Verdampfung und Zersetzung des metall-orga

nischen Precursors führt.

Zur Lösung der Aufgabe konnte sich der Fachmann auf das in der D1 u. a.

beschriebene „Packverfahren“ stützen. Bei diesem Verfahren wird das zu

beschichtende Substrat in einem Reaktionsgefäß mit einem pulverförmigen metallorganischen Precursor und einem Inert-Pulver in Kontakt gebracht, wobei der

Kontakt keinerlei Restriktionen bzgl. äußerer oder innerer Oberflächen des

Substrates unterliegt (vgl. D1, Sp. 21, Z. 73 bis Sp. 22, Z. 11). Anschließend wird

das Reaktionsgefäß unter Vakuum in einem Induktionsofen einer Wärmebehandlung unterzogen, bei der das Substrat auf eine Temperatur erwärmt wird, die

oberhalb der Zersetzungstemperatur des metall-organischen Precursors liegt (vgl.

D1, Sp. 5, Z. 65 bis 70 und Sp. 22, Z. 14-30). Vor seiner thermischen Zersetzung

geht der Precursor dabei in die Gasphase über (vgl. D1, Sp. 5, Z. 72 bis 75).

Dadurch werden die im Precursor chemisch gebundenen Metalle an die Substratoberfläche und damit den Ort der Metallabscheidung transportiert. Somit sind

aus der D1 die Merkmale a), b), c) und e) des Anspruchs 1 gemäß Streitpatent

bekannt. Ein Hinweis darauf, dieses Verfahren unter Luftatmosphäre, entsprechend dem Merkmal d) des Anspruchs 1 gemäß Streitpatent durchzuführen, ist

der D1 nicht zu entnehmen, da alle Metallbeschichtungen in der D1, unabhängig

davon, welche Methode zur Zersetzung des metall-organischen Precursors

angewendet wird, im Vakuum erfolgen (vgl. D1, Sp. 21, Z. 41 bis 49).

Ein technisch weniger aufwendiges, da unter Luftatmosphäre durchführbares

Metallbeschichtungsverfahren, bei dem der metall-organische Precursor im patentgemäßen Sinn ebenfalls thermisch zersetzt wird, ist der D2 zu entnehmen. Bei

der Suche nach einer Lösung für die dem Streitpatent zugrunde liegenden

Aufgabe, wird der Fachmann die D2 daher in Betracht ziehen.

Allerdings geht das Verfahren der D2 einen anderen technischen Weg, als das im

Streitpatent genannte MOCVD-Verfahren. So wird im Verfahren der D2 ein flüssiger Precursor direkt auf die Substratoberfläche aufgetragen und dort thermisch

zersetzt, ohne dass ein Transport des Precursors in die Gasphase stattfindet (vgl.

D2, Anspruch 8).

Die Einsprechende vertritt schriftsätzlich die Auffassung, dass bei dem Verfahren

der D2 eine Verdampfung des Precursors erfolge, da eine Entfernung flüchtiger

Bestandteile der Lösung, sowie gasförmiger Zersetzungsprodukte des Precursors

über die Gasphase erforderlich sei und somit auch der Precursor gasförmig

vorliegen müsse.

Aus der D2 geht aber eindeutig hervor, dass sich bei der Wärmebehandlung der

Precursor nur zersetzt und alle flüchtigen Bestandteile der Lösung sowie Zersetzungsprodukte entfernt werden (vgl. D2, Abs. 0029). Von einer Verdampfung

des Precursors ist also in D2 nicht die Rede. Dies würde nämlich bedeuten, dass

der auf die Substratoberfläche aufgetragene Precursor dadurch wieder von der

Substratoberfläche entfernt und auf der Substratoberfläche keine Beschichtung

erfolgen würde.

Gegen die Verdampfung des Precursors spricht ferner, dass mit dem Verfahren

der D2 eine Platinschicht in einer schwarzen, amorphen Modifikation auf dem

Substrat abgeschieden wird (vgl. D2, S. 2, Abs. 0014), während mit bekannten

Beschichtungsverfahren, bei denen der Precursor verdampft, thermisch zersetzt

und auf einer erwärmten Oberfläche abgeschieden wird, nur Platinschichten mit

dem typisch metallischen Erscheinungsbild erhalten werden (vgl. D2, S. 2, Abs.

0009).

Im Übrigen ist ein Vakuum in der D2 zwar nur optional vorgesehen, allerdings

beschreibt keines der in der D2 konkret genannten Beispiele, dass das Verfahren

auch ohne Vakuum erfolgreich durchgeführt werden kann (vgl. D2, S. 3, Z. 46/47

i. V. m. Bsp. 1 bis 7). Dem Fachmann wird durch die D2 daher keinesfalls

nahegelegt, auf das bei MOCVD-Verfahren übliche Vakuum zu verzichten, um ein

solches Verfahren technisch erheblich zu vereinfachen und auf eine Vielzahl von

Substraten anwendbar zu machen. Dass die Zersetzungstemperatur der Precusor

an Luft erniedrigt wird (vgl. Patentschrift, S. 2, Abs. 0011) und somit die

Verdampfungs- und Zersetzungstemperatur nahezu gleich sind (vgl. Patentschrift,

S. 2, Abs. 0010), war in Kenntnis des Standes der Technik nicht zu erwarten und

ist somit überraschend.

Die Berücksichtigung der weiteren dem Senat vorliegenden, in der mündlichen

Verhandlung jedoch nicht mehr aufgegriffenen Druckschriften führt zu keiner

anderen Beurteilung des Sachverhalts.

6.

Nach alledem weisen die Gegenstände gemäß den erteilten Ansprüchen 1 und 13 des Streitpatents alle Kriterien der Patentfähigkeit auf. Diese

Ansprüche sind daher rechtsbeständig. Mit ihnen haben die besonderen Ausführungsformen des Verfahrens nach Anspruch 1 betreffend die Unteransprüche 2

bis 12 Bestand.

Dr. Schröder

Harrer

Dr. Gerster

Dr. Münzberg

Me