Rechtsprechung / BPatG / 2001
BPatG Beschluss vom 17.07.2001 – 23 W (pat) 37/00
23. Senat
BUNDESPATENTGERICHT
_______________
(Aktenzeichen)
Verkündet am
17. Juli 2001
…
B E S C H L U S S
In der Beschwerdesache
betreffend die Patentanmeldung 199 06 814.3-33
…
hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf
die mündliche Verhandlung vom 17. Juli 2001 unter Mitwirkung des Vorsitzenden
Richters Dr. Beyer sowie der Richter Dr. Meinel, Knoll und Dipl.-Phys. Lokys
beschlossen:
Die Beschwerde der Anmelderin wird zurückgewiesen. 6.70
G r ü n d e
I.
Die Rechtsvorgängerin der Beschwerdeführerin, die S… AG, hat die vorliegende Patentanmeldung mit der Bezeichnung "Verfahren zur Entfernung von
Material von einer Oberfläche" am 18. Februar 1999 beim Deutschen Patent- und
Markenamt eingereicht.
Mit Beschluss vom 5. September 2000 hat die Prüfungsstelle für Klasse H 01 L
des Deutschen Patent- und Markenamts die Anmeldung aus den Gründen des
Bescheids vom 20. September 1999 zurückgewiesen, nachdem die S… AG
innerhalb der – einmal verlängerten – Äußerungsfrist sachlich nicht Stellung
genommen hat. In dem Bezugsbescheid ist dargelegt, dass der Gegenstand des
ursprünglichen Patentanspruchs 1 gegenüber dem Stand der Technik nach der
Europäischen Patentschrift 0 250 611 nicht neu sei.
Nach Niederlegung dieses Beschlusses vom 5. September 2000 am 8. September 2000 im Abholfach der S… AG zum Zwecke der Zustellung hat diese mit
Schriftsatz vom 20. September 2000, eingegangen beim Deutschen Patent- und
Markenamt am 21. September 2000, mitgeteilt, dass sie die Patentanmeldung auf
die Infineon Technologies AG übertragen habe und sie entsprechende Umschreibung beantrage. Zudem hat sie die Übertragungsvereinbarung vom 20. September 2000 in Bezug auf die Patentanmeldung vorgelegt.
Gegen den Zurückweisungsbeschluss des Deutschen Patent- und Markenamts
vom 5. September 2000 hat die neue Inhaberin der Patentanmeldung, nämlich die
I… AG, durch Schriftsatz ihres Verfahrensbevollmächtigten
vom 4. Oktober 2000, eingegangen beim Deutschen Patent- und Markenamt am
selben Tag Beschwerde eingelegt. Die Umschreibung der Patentanmeldung auf
die I… AG in der Patentrolle ist am 20. März 2001 erfolgt.
Die Beschwerdeführerin hält ihre Beschwerde für zulässig. In der mündlichen Verhandlung hat die Beschwerdeführerin einen neuen Patentanspruch 1 vorgelegt
und die Auffassung vertreten, dass der Gegenstand des neugefassten Patentanspruchs 1 durch den nachgewiesenen Stand der Technik, einschließlich der im
Prüfungsverfahren noch genannten britischen Offenlegungsschrift 22 06 540 und
deutschen Offenlegungsschrift 197 28 473, sowie des vom Senat genannten
Fachbuchs G. Schumicki, P. Seegebrecht "Prozesstechnologie: Fertigungsverfahren für integrierte MOS-Schaltungen", Springer-Verlag Berlin, 1991, S 111 bis 121
und S 139, nicht patenthindernd getroffen sei.
Die Beschwerdeführerin beantragt,
den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des
Deutschen Patent- und Markenamts vom 5. September 2000
aufzuheben und das Patent 199 06 814 mit
folgenden
Unterlagen zu erteilen:
Anspruch 1 überreicht in der mündlichen Verhandlung,
die ursprünglichen Ansprüche 2, 4 bis 12 und 14 unter entsprechender Anpassung der Nummerierung, Rückbeziehung, und Beschreibung und Zeichnungen, Figuren 1 und 2.
Der geltende Patentanspruch 1 hat folgenden Wortlaut:
"1. Verfahren zur Entfernung von Material (6) von einer
Oberfläche (4, 5) eines Halbleitersubstrats (1) während der
Herstellung integrierter Schaltungen mit den Schritten:
(a) die Oberfläche (4, 5) mit dem zu entfernenden Material (6) wird bereitgestellt, wobei das zu entfernende Material (6) als Maske auf einer zu strukturierenden Schicht (3)
angeordnet ist,
(b) auf die Oberfläche (4, 5) wird ganzflächig eine Schutzschicht (7) aufgebracht, und anschließend die Schutzschicht
soweit abgetragen, dass eine Oberfläche (8) des zu entfernenden Materials (6) freiliegt und die Flächen des zu strukturierenden Materials von der Schutzschicht bedeckt bleiben,
(c) das zu entfernende Material (6) wird entfernt, wobei der
von dem zu entfernenden Material (6) nicht bedeckte Teil der
Oberfläche (4) des Halbleitersubstrats (1) durch die Schutzschicht (7) geschützt ist; und eine Oberfläche (5) des zu
strukturierenden Materials (3) freigelegt wird,
(d) die Schutzschicht (7) wird entfernt,
dadurch gekennzeichnet, dass im Schritt (b) die Schutzschicht (7) nur soweit abgetragen wird, dass nur die zur
Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) parallel verlaufende
Oberfläche (8) des zu entfernenden Materials (6) freiliegt."
Wegen der geltenden – ursprünglichen – Unteransprüche 2, 4 bis 12 und 14 und
der weiteren Einzelheiten wird auf den Akteninhalt verwiesen.
II.
A) Die Beschwerde ist zulässig.
1. Eine Beschwerdeberechtigung der Beschwerdeführerin ist nicht deshalb zu
verneinen, weil nicht sie, sondern ihre Rechtsvorgängerin bis zum Erlass der
angefochtenen Entscheidung am 5. September 2000 bzw bis zur Zustellung dieser
Entscheidung am 11. September 2000 im Verfahren vor dem Deutschen Patent-
und Markenamt formell beteiligt war.
Nach dem Wortlaut des § 74 Abs 1 PatG steht die Beschwerde den am Verfahren
vor dem Patentamt Beteiligten zu. Dies bedeutet aber nicht, dass in den Fällen
einer Rechtsnachfolge in Bezug auf ein Patent oder eine Patentanmeldung die
Beteiligung bis zum Erlass bzw bis zur Zustellung der angefochtenen Entscheidung gegeben sein muss. Vielmehr reicht es in diesen Fällen für die Bejahung der
Beteiligtenstellung iSd § 74 Abs 1 PatG aus, wenn der Beschwerdeführer zum
Zeitpunkt der Einlegung der Beschwerde entsprechend materiell berechtigt war
und in formeller Hinsicht zumindest ein ordnungsgemäßer Umschreibungsantrag
gestellt war. Diese Voraussetzungen waren vorliegend gegeben. Demzufolge
wurde die Beschwerdeführerin als neue Inhaberin der Patentanmeldung mit dem
Eingang des Umschreibungsantrags der S… AG beim Deutschen Patent-
und Markenamt am 21. September 2000 Beteiligte im Sinne des § 74 Abs 1 PatG
und konnte ab diesem Zeitpunkt berechtigterweise auch Beschwerde einlegen.
Für die hier getroffene Auslegung von § 74 Abs 1 PatG sprechen neben dem rein
formalen Gesichtspunkt, dass das Verfahren vor dem Patentamt erst mit der
Abgabe an das Beschwerdegericht endet bzw erst zu diesem Zeitpunkt beim
Beschwerdegericht anhängig wird, insbesondere gesetzessystematische Überlegungen im Zusammenhang mit § 30 Abs 3 PatG und der über § 99 Abs 1 PatG
anwendbaren Vorschrift des § 265 ZPO zum Partei- bzw Beteiligtenwechsel bei
Veräußerung der Streitsache. Danach ist nämlich ein Beteiligtenwechsel grundsätzlich – ggfs mit Zustimmung der Gegenpartei (vgl § 265 Abs 2 Satz 2 ZPO) – in
jedem Stadium eines laufenden Verfahrens möglich. Es ist kein sachlicher Grund
ersichtlich, weshalb der Beteiligtenwechsel in den Fällen des § 265 ZPO nicht
auch an der Schnittstelle der Instanzen, also nach Erlass der anfechtbaren Entscheidung und vor oder mit der Einlegung der Beschwerde, quasi im Verfahren
zwischen den Instanzen möglich sein soll. Eine restriktive Auslegung von § 74
Abs 1 PatG dahingehend, dass nur derjenige beschwerdeberechtigt sein soll, der
im Ausgangsverfahren bis zum Erlass bzw bis zur Zustellung der Entscheidung
formell beteiligt gewesen ist, würde in diesen Fällen des § 265 ZPO im Ergebnis
für die Vertragsparteien des Veräußerungsgeschäfts zu erheblichen Erschwernissen führen, wenn eine Entscheidung mit der Beschwerde angefochten werden
soll. Denn der ehemalige Patentinhaber oder Patentanmelder, der an der Anfechtung der Entscheidung regelmäßig kein eigenes Interesse mehr hat, wäre
zunächst gezwungen, selbst Beschwerde einzulegen, wobei dann in einem nächsten Schritt ein Beteiligtenwechsel grundsätzlich ohne weiteres möglich wäre. Der
Sinn und Zweck von § 74 Abs 1 PatG kann nach Auffassung des Senats jedenfalls
nicht darin liegen, den bei der Veräußerung der in Streit befangenen Sache
grundsätzlich zulässigen Beteiligtenwechsel zwischen dem Rechtsvorgänger und
dem Rechtsnachfolger ohne sachlichen Grund zu erschweren. Gegenüber der allgemeinen Vorschrift des § 74 Abs 1 PatG zur Beschwerdeberechtigung regeln die
Vorschriften des § 30 Abs 3 PatG und § 99 Abs 1 PatG iVm § 265 ZPO einen
Spezialfall, weshalb diese spezielleren Vorschriften vorgehen oder jedenfalls eine
daran orientierte Auslegung der allgemeinen Vorschrift - hier eine entsprechend
weite Interpretation des Beteiligtenbegriffes im Sinne des § 74 Abs 1 PatG – geboten erscheinen lassen.
Diese hier vertretene Auffassung zur Beschwerdeberechtigung des bis zur Zustellung der angefochtenen Entscheidung nicht am Verfahren beteiligten Rechtsnachfolgers iSd § 265 ZPO war - soweit ersichtlich - in den Fällen, in denen der
Rechtsnachfolger zum Zeitpunkt der Beschwerdeeinlegung bereits in der Patentrolle eingetragen war, nie in Frage gestellt. Vielmehr war die bisherige Rechtsprechung zum Patentrecht und zum Warenzeichengesetz (bis 31.12.1994) sogar
stets davon ausgegangen, dass es für die Frage der Verfahrensbeteiligung grundsätzlich auf den Rolleneintrag ankommt (vgl dazu Busse PatG, 5. Aufl Rdn 7 zu
Beschwerdeeinlegung nur die Beschwerdeberechtigung oder Verfahrensführungsbefugnis des Rechtsvorgängers, nicht aber die des Rechtsnachfolgers in Frage
gestellt.
Die hier getroffene Auslegung zur Beschwerdeberechtigung entspricht bei gleicher
Sach- und Interessenlage der gesetzlichen Regelung im Markenrecht gemäß § 66
Abs 1 Satz 2 iVm § 28 Abs 2 MarkenG und der hierzu ergangenen Rechtsprechung (vgl BPatGE 43, 108 - Ostex/OSTARIX).
2. Der Beschwerdeberechtigung des noch nicht in der Rolle eingetragenen
Rechtsnachfolgers nach Stellung eines Umschreibungsantrags steht nach Auffassung des Senats - entgegen der bislang herrschenden Meinung - auch § 30 Abs 3
Satz 3 PatG nicht entgegen (vgl zur bislang herrschenden Meinung zur Beschwerdeberechtigung des Rechtsnachfolgers nach Stellung eines Umschreibungsantrags und vor Umschreibung insbesondere BPatG GRUR 1984, 40 = BlPMZ 1984,
176; siehe ferner zur Beschwerdeberechtigung bzw Verfahrensführungsbefugnis
des Rechtsnachfolgers in diesen Fällen Busse, Patentgesetz, 5. Aufl, Rdn 100,
Abs 3 Satz 3 PatG, sondern § 74 PatG speziell die Frage der Beschwerdeberechtigung regelt (anders anscheinend BPatG GRUR 1984, 40), steht einer Sachprüfung in Bezug auf die Patentfähigkeit der angemeldeten Erfindung hier auch nicht
die fehlende Verfahrensführungsbefugnis der Beschwerdeführerin entgegen.
a) Die Verfahrensführungsbefugnis im patentamtlichen und patentgerichtlichen
Verfahren entspricht der Prozessführungsbefugnis im Zivilprozess vor den ordentlichen Gerichten. Die Prozessführungsbefugnis nach ZPO und die Verfahrensführungsbefugnis nach PatG sind gesetzlich nicht ausdrücklich oder gar umfassend
geregelt. Sie stellen das Recht dar, einen Prozess bzw ein Verfahren als die richtige Partei bzw als die richtige Beteiligte im eigenen Namen zu führen. Prozess-
bzw Verfahrensführungsbefugnis stehen nach allgemeinen Rechtsgrundsätzen
dem Träger des streitigen Rechts zu, und zwar - abgesehen von den Ausnahmetatbeständen der gesetzlichen und der gewillkürten Prozessstandschaft - regelmäßig nur diesem (vgl dazu Thomas/Putzo, ZPO, 21. Aufl Rdn 20 zu § 51 ZPO).
Übertragen auf die Verhältnisse im Patentanmeldungsverfahren wäre dies der
materiell berechtigte Inhaber des Patents bzw der Patentanmeldung und zwar
unabhängig vom Rollenstand. Denn das Patent bzw die Patentanmeldung kann
PatG übertragen werden. Die Umschreibung in der Patentrolle ist für den Rechtsübergang nicht konstitutiv, sondern rein deklaratorischer Natur (einhellige Auffassung in Literatur und Rechtsprechung, vgl dazu BGH GRUR 1969, 43, 45
PatG; Palandt, BGB, 60. Aufl, Rdn 3 zu § 413 BGB).
b) Die Vorschrift des § 30 Abs 3 Satz 3 PatG wird dahingehend ausgelegt, dass
sie dem in der Rolle noch eingetragenen, aber materiell nicht mehr legitimierten
Inhaber des Rechts abweichend von allgemeinen Grundsätzen eine Verfahrensführungsbefugnis einräumt. Das ist ein Fall der gesetzlichen Prozessstandschaft
bzw Verfahrensstandschaft, ähnlich der Regelung des § 265 ZPO.
Darüber hinaus hat die bislang herrschende Auffassung in Literatur und Rechtsprechung § 30 Abs 3 Satz 3 PatG dahingehend ausgelegt, dass der neue Inhaber des Rechts auch nach Stellung eines ordnungsgemäßen Umschreibungsantrages bis zur tatsächlichen Umschreibung in der Rolle nicht verfahrensführungsbefugt sein soll, oder anders ausgedrückt, dass der frühere Rechtsinhaber vor der
Umschreibung allein verfahrensführungsbefugt bleiben soll (vgl BPatG GRUR
1984, 40 unter Bezugnahme auf BGH GRUR 1979, 145, 146 "Aufwärmvorrichtung"; siehe auch Busse, Patentgesetz, 5. Aufl, Rdn 100, 103 zu § 30 PatG;
Benkard, Patentgesetz, 9. Aufl, Rdn 18 zu § 30 PatG; Schulte; Patentgesetz,
ergebenden Einschränkung). Für diese Auffassung werden der Gesetzeszweck
von § 30 Abs 3 Satz 3 PatG und Gründe der Rechtssicherheit ins Feld geführt (vgl
BPatG GRUR 1984, 40).
c) Dies hält der Senat letztlich nicht für überzeugend.
aa) Schon der Wortlaut von § 30 Abs 3 Satz 3 PatG legt eine solche Auslegung
nicht nahe. Die Vorschrift erwähnt nur den "früheren Anmelder, Patentinhaber
oder Vertreter", regelt bzw bejaht also dessen Verfahrensführungsbefugnis. Zur
Verfahrensführungsbefugnis des neuen Rechtsinhabers nach wirksamer materiellrechtlicher Übertragung trifft die Vorschrift keine ausdrückliche Regelung. Zu einer
Auslegung, wie sie der derzeit noch herrschenden Auffassung zur alleinigen Verfahrensführungsbefugnis des ehemaligen, aber noch eingetragenen Rechtsinhabers entspricht, gelangt man nur, wenn man die Vorschrift nicht nur als Regelung
zur Verfahrensführungsbefugnis des früheren Anmelders, Patentinhabers oder
Vertreters, sondern auch als Regelung zur Verfahrensführungsbefugnis des materiell berechtigten, aber noch nicht in der Rolle eingetragenen Rechtsinhabers auffasst. Hierzu muss die Vorschrift erweiternd auslegt bzw dahingehend gelesen
werden, dass "der frühere Anmelder, Patentinhaber oder Vertreter nach Maßgabe
des Patentgesetzes allein berechtigt und verpflichtet bleibt", wobei jedoch das
Wort "allein" in der Vorschrift nicht enthalten ist.
bb) Soweit nicht aus anderen Gründen eine solche erweiternde Auslegung geboten erscheint, widerspricht sie den allgemeinen Auslegungsregeln. Die Vorschrift
des § 30 Abs 3 Satz 3 PatG stellt eine Ausnahmevorschrift dar, weil sie abweichend von dem allgemeinen Rechtsgrundsatz, dass regelmäßig nur der tatsächliche Rechtsinhaber verfahrensführungsbefugt ist, dem nicht mehr Berechtigten
aufgrund des Rolleneintrags eine Verfahrensführungsbefugnis einräumt (Fall einer
gesetzlichen Prozessstandschaft). Ausnahmevorschriften sind grundsätzlich eng
auszulegen (vgl zu dieser Auslegungsregel bei Gesetzen allgemein Palandt, BGB,
60. Auflage Einleitung Rdn 45; Münchner Kommentar zum BGB, 4. Aufl, Einleitung
Rdn 102, jeweils mit weitergehenden Rechtsprechungsnachweisen). Dem widerspricht es, wenn die Vorschrift des § 30 Abs 3 Satz 3 PatG nicht nur positiv dahingehend interpretiert wird, dass dem materiell nicht mehr Berechtigten eine Verfahrensführungsbefugnis eingeräumt wird, sondern negativ über den unmittelbaren
Wortlaut hinaus auch noch dahingehend ausgelegt wird, dass dem tatsächlichen
Rechtsinhaber eine Verfahrensführungsbefugnis entgegen den allgemeinen
Regeln abgesprochen wird.
cc) Eine solche Auslegung ist auch nicht deshalb geboten, weil etwa grundsätzlich nur eine Person in Bezug auf ein bestimmtes Recht prozessführungs- bzw
verfahrensführungsbefugt sein darf. Vielmehr zeigt gerade die Regelung in § 265
Abs 2 ZPO, dass das Gesetz bei der Veräußerung der in Streit befangenen Sache
ganz selbstverständlich von der Möglichkeit ausgeht, dass verschiedene Personen
- nämlich Rechtsvorgänger oder Rechtsnachfolger - prozessführungsbefugt sein
können.
dd) Jedenfalls nach wirksamer Übertragung von Patent bzw Patentanmeldung
und nach Stellung eines ordnungsgemäßen Umschreibungsantrages stehen nach
Auffassung des Senats auch keine Interessen des Patentamts oder Bedürfnisse
der Allgemeinheit nach Sicherheit und Klarheit der Rechtsverhältnisse mehr der
Bejahung der Verfahrensführungsbefugnis des noch nicht in der Patentrolle eingetragenen materiell Berechtigten entgegen (so noch die Auffassung BPatG
GRUR 1984, 40).
Die Interessen des Rechtsverkehrs sind schon deshalb gewahrt, weil dieser sich
unabhängig von der materiellen Rechtslage jedenfalls an den nach dem Rollenstand ausgewiesenen Berechtigten halten kann. So können Klagen gegen diesen
auch nicht mit der Begründung fehlender Passivlegitimation zurückgewiesen werden (so auch BGH GRUR 1979, 145, 146 "Aufwärmvorrichtung"). Dies schließt
aber nicht aus, dass nach wirksamer Übertragung von Patent bzw Patentanmeldung und nach Stellung eines ordnungsgemäßen Umschreibungsantrages das
Verfahren alternativ auch von dem oder gegen den Rechtsnachfolger geführt wird.
Eine gesetzlich ausdrücklich geregelte und nicht zu verallgemeinernde Ausnahme
stellt § 81 Abs 1 Satz 2 PatG im Patentnichtigkeitsverfahren dar, wonach sich eine
Patentnichtigkeitsklage in jedem Fall gegen den in der Rolle als Patentinhaber
Eingetragenen zu richten hat. Es bedarf keiner weiteren Vertiefung, dass im einseitigen Anmeldeverfahren - wie hier - Interessen Dritter oder Interessen des
Rechtsverkehrs ohnehin nicht oder jedenfalls nicht unmittelbar betroffen sind.
Die Interessen des Patentamts sind in Fällen der vorliegenden Art dadurch hinreichend gewahrt, dass als zusätzliche Voraussetzung für die Bejahung der Verfahrensführungsbefugnis des Rechtsnachfolgers abweichend von der allgemeinen
Regel der Verfahrensführungsbefugnis des materiell Berechtigten hinzukommen
muss, dass eine wirksame Rechtsübertragung stattgefunden hat und Umschreibungsantrag gestellt ist (entspricht auch der bislang in anderen Verfahren geäußerten Auffassung des Patentamts, vgl dazu BPatG BlPMZ 1984, 176, 177 liSp,
3. Absatz). Diese zusätzlichen Voraussetzungen schließen aus, dass das Patentamt das Verfahren mit Beteiligten führen muss, deren Berechtigung nicht ersichtlich und nicht ohne weiteres sofort anhand der eingereichten Umschreibungsunterlagen nachprüfbar ist. Ergänzend sei noch darauf hingewiesen, dass vorliegend
der Umschreibungsantrag die Umschreibung der Patentanmeldung auf die
Beschwerdeführerin zur Folge hatte.
d) Die hier gefundene Auslegung entspricht bei völlig gleicher Sach- und Interessenlage der Regelung in § 28 Abs 2 MarkenG bei Übertragung und Umschreibung von Markenrechten. Da in § 28 Abs 2 und Abs 3 MarkenG eine sehr differenzierte und ausgewogene gesetzliche Lösung bei der Übertragung und
Umschreibung eines vergleichbaren Registerrechts gefunden worden ist, die insbesondere auch die Interessen sämtlicher am Verfahren Beteiligter berücksichtigt,
erscheint es sachgerecht, diese Vorschrift insgesamt im patentgerichtlichen Verfahren analog anzuwenden. Diese Auffassung entspricht auch den Stimmen der in
jüngster Zeit veröffentlichten Literatur (vgl dazu Rauch in GRUR 2001, 588, "Legitimiert nach zweierlei Maß"; Schulte, PatG, 6. Aufl, Rdn 36 zu § 30 PatG). Eine
Rechtsharmonisierung der Verfahrensregeln bei Übertragung und Umschreibung
von Registerrechten nach Patentgesetz und Markengesetz im Wege der Auslegung erscheint auch deshalb geboten, weil Verfahren ein und derselben Ausgangsbehörde (Deutsches Patent- und Markenamt) und ein- und derselben
gerichtlichen Beschwerdeinstanz (Bundespatentgericht) betroffen sind und außerdem kein sachlicher Grund für eine unterschiedliche Behandlung ersichtlich ist.
Dem rechtssuchenden Publikum könnte kaum plausibel vermittelt werden, dass
bei gleicher Ausgangslage (noch ausstehende Rollen- bzw Registerumschreibung
nach Umschreibungsantrag) dem Rechtsnachfolger in Bezug auf Markenrechte
bereits eine Verfahrensführungsbefugnis und eine Beschwerdeberechtigung
zukommt, dem Rechtsnachfolger in Bezug auf Patentrechte aber nicht.
e) Die Beschwerde ist auch ansonsten zulässig, insbesondere statthaft und
form- und fristgerecht eingelegt, § 73 Abs 1 und Abs 2 PatG.
B) Die Beschwerde hat in der Sache keinen Erfolg.
Der Gegenstand des geltenden Patentanspruchs 1 erweist sich nach dem Ergebnis der mündlichen Verhandlung als nicht patentfähig.
1.) Der geltende Patentanspruch 1 ist zulässig, denn er stützt sich inhaltlich auf
die ursprünglichen Patentansprüche 1, 3 und 13 in Verbindung mit den im Ausführungsbeispiel anhand der Figuren 1a) bis 1e) erläuterten Verfahrensschritten.
2.) Die Patentanmeldung betrifft ein Verfahren zur Entfernung von Material von
einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats während der Herstellung integrierter
Schaltungen.
Nach den Angaben der Anmelderin in der ursprünglichen Beschreibungseinleitung
(S 1 Abs 2 bis S 5 Abs 2) müssen bei der fortschreitenden Miniaturisierung von
integrierten Schaltungen und hochintegrierten Speicherbausteinen, wie zB DRAMs
bzw FRAMs, immer dünnere dielektrische Schichten und Elektroden bildende
Schichten durch Plasmaätzen strukturiert werden.
Bei Verwendung der üblichen Fotolackmasken ergibt sich beim Plasmaätzen von
chemisch schwer oder nicht ätzbaren Materialien das Problem, dass wegen der
geringen oder fehlenden chemischen Komponente der Plasmaätzung der Ätzabtrag der zu strukturierenden Schicht in derselben Größenordnung wie der Ätzabtrag der Maske bzw der Unterlage (Ätzstoppschicht) liegt, mit der Folge, dass
durch die Erosion von Masken mit geneigten Flanken und die unvermeidliche
Facettenbildung (Abschrägung, Taperung) der Masken nur eine geringe Maßhaltigkeit der Strukturierung gewährleistet werden kann.
Um dieses Problem zu mildern, wird zwar durch Verwendung von sog "Hard-Masken", bspw SiO2-Masken, versucht, die Erosion der Masken zu verringern. Denn
diese Masken setzen dem Ätzabtrag einen größeren Widerstand als gewöhnliche
Lackmasken entgegen. Nachteilig dabei ist jedoch, dass sich eine Hard-Maske
(bspw SiO2) üblicherweise nur durch einen weiteren Ätzschritt von der strukturierten Schicht entfernen läßt, mit der Folge, dass die sich unter der strukturierten
Schicht befindende Schicht (üblicherweise ebenfalls SiO2) ebenfalls abgetragen
wird. Der Abtrag dieser Schicht liegt dabei in der Größenordnung der Dicke der
Hard-Maske, was zu einer deutlichen Verstärkung der Höhenunterschiede auf der
Waferoberfläche führt. Diese Verstärkung der Höhenunterschiede auf der Waferoberfläche ("Topologie-Erhöhung") hat jedoch negative Auswirkungen auf nachfolgende Prozessschritte, insbesondere Belichtungsschritte, da die heutzutage eingesetzten Belichtungsanlagen (sog "Hochaperturstepper") nur eine geringe Tiefenschärfe besitzen und daher die zu belichtende Oberfläche möglichst eben
gehalten werden muss.
Dem Anmeldungsgegenstand liegt daher das technische Problem (die Aufgabe)
zugrunde, ein Verfahren zur Entfernung von Material von einer Oberfläche eines
Halbleitersubstrats bereitzustellen, das die genannten Nachteile der bisherigen
Verfahren vermeidet oder mindert (Beschreibung S 5 Abs 3).
Gelöst wird dieses Problem durch das Verfahren gemäß Patentanspruch 1.
Denn dadurch, dass bei der Entfernung des Maskenmaterials (SiO2-Hardmask 6)
nur deren zur Oberfläche des Halbleitersubstrats parallel verlaufende Oberfläche (8) freiliegt und sowohl die – üblicherweise von einer SiO2-Schicht bedeckte –
Oberfläche (4) des Halbleitersubstrats (1) als auch die (seitlichen) Flächen des zu
strukturierenden Materials (3) durch eine – vorher ganzflächig aufgebrachte, rückgeätzte – Schutzschicht (Lackschicht 7) geschützt sind (vgl Fig 1a bis 1d), wird
zum einen eine Topologie-Erhöhung vermieden und zum anderen eine hohe Maßhaltigkeit der Strukturierung erreicht, vgl die Figur 1e iVm den in der Beschreibung
Seite 6 vorletzter Absatz bis Seite 7 Absatz 2 und Seite 11 Absatz 2 genannten
Vorteilen.
3.) Es kann dahinstehen, ob der Gegenstand des Patentanspruchs 1 gegenüber
dem Stand der Technik nach der vorveröffentlichten Europäischen Patentschrift
0 250 611 neu ist. Denn die Beschwerde der Anmelderin kann jedenfalls deshalb
keinen Erfolg haben, weil sich das Verfahren nach dem geltenden Patentanspruch 1 für den Fachmann jedenfalls in naheliegender Weise aus dem Stand der
Technik nach der Europäischen Patentschrift 0 250 611 und der deutschen Offenlegungsschrift 197 28 473 ergibt und somit nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit
beruht. Zuständiger Durchschnittsfachmann ist vorliegend ein mit der Herstellung
von integrierten Schaltungen befasster, berufserfahrener Diplom-Physiker oder
Diplom-Ingenieur der Fachrichtung Halbleitertechnik mit Universitätsabschluss.
Aus der Europäischen Patentschrift 0 250 611 ist, wie auch die Anmelderin in der
mündlichen Verhandlung eingeräumt hat, ein Verfahren zur Entfernung von Material von einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats während der Herstellung integrierter Schaltungen mit den Verfahrensschritten a) bis d) gemäß dem Oberbegriff
des Patentanspruchs 1 bekannt, vgl dort die Ansprüche 1 bis 4 sowie die Figuren 1 und 3 bis 5 mit zugehöriger Beschreibung Spalte 2 Absatz 1 und 2 iVm der
in Spalte 1 viertletzter Absatz genannten Aufgabe, die Maskierungsschicht so zu
entfernen, dass keine Unterätzungen entstehen.
Dass es sich bei diesem Stand der Technik um ein Strukturierungs-Verfahren
während der Herstellung integrierter Schaltungen handelt, ergibt sich für den
Fachmann ohne weiteres aus den Hinweisen in der Beschreibung, dass die zu
strukturierende Schicht (strukturierte Halbleiterschicht 3 aus zB Polysilicium) des
Halbleitersubstrats (zB Feldeffekttransistor) die späteren Leitbahnen bildet (Sp 2
Z 9 bis 12) und die diesbezüglichen üblichen Strukturbreiten bei ca 2 µm und aufgrund zukünftiger weiterer Reduzierung bei 1 µm und kleiner liegen (Sp 1 Z 26 bis
29), vgl hierzu BGH GRUR 1995, 330 – "Elektrische Steckverbindung".
So wird bei dem bekannten Verfahren – entsprechend Schritt a) – die Oberfläche
(Halbleiterkörper 1 mit Isolierschicht 2 aus zB Siliciumdioxid) mit dem zu entfernenden Material bereitgestellt, wobei das zu entfernende Material als Maske
(Maskierungsschicht 4 zB aus Siliciumdioxid, Siliciumnitrid oder Metall - siehe
Anspruch 2) auf der zu strukturierenden Schicht (3 zB aus Polysilicium) angeordnet ist, vgl dort Figur 1 iVm Spalte 2 Absatz 1.
Danach wird entsprechend den Verfahrensschritten b), c) und d)
-
auf die Oberfläche ganzflächig eine Schutzschicht (Fotolackschicht 5) aufgebracht und anschließend die Schutzschicht (5) soweit abgetragen, dass eine
Oberfläche des zu entfernenden Materials (4) freiliegt,
-
das zu entfernende Material (4) wird entfernt, wobei der von dem zu entfernenden Material (4) nicht bedeckte Teil der Oberfläche des Halbleitersubstrats (1, 2) durch die Schutzschicht (5) geschützt ist, und eine Oberfläche
des zu strukturierenden Materials (3) freigelegt wird, und
-
die Schutzschicht (5) wird entfernt,
vgl die im dortigen Patentanspruch 1 vier letztgenannten Verfahrensschritte iVm
Figur 3 bis 5.
Soweit nach der schematischen Darstellung gemäß Figur 4 der Europäischen
Patentschrift 0 250 611 die Schutzschicht (5) soweit abgetragen ist, dass nicht nur
eine Oberfläche des zu entfernenden Masken-Materials (4), sondern auch noch
eine Teilfläche des zu strukturierenden Materials (3) freiliegt, so steht dies erkennbar im Widerspruch zu der eindeutigen, im Patentanspruch 1 beschriebenen und
daher maßgeblichen technischen Lehre, wonach die Fotolackschicht (5) nur
soweit abgetragen wird, dass die Maskierungsschicht (4) völlig freigelegt wird, was
die Freilegung auch des unter der Maskierungsschicht (4) liegenden, zu strukturierenden Materials (3) ausschließt, vgl hierzu BGH Mitt 1996, 204, 206 liSp - "Spielfahrbahn"; Schulte PatG, 6. Aufl, § 34 Rdn 289 und 290.
Eine andere Beurteilung ergibt sich aber selbst dann nicht, wenn man davon ausgeht, dass die in Figur 4 dargestellte Struktur auch hinsichtlich der gezeichneten
Abtragung der Fotolackschicht (5) eine Ausführungsform der dortigen Erfindung
darstellt, wie die Anmelderin meint. Denn der Offenbarungsgehalt einer umfassenden Anspruchsfassung einer zum Stand der Technik gehörenden Patentschrift
ist – wie hier – auch dann maßgeblich, wenn der Gegenstand des Anspruchs in
der Beschreibung und Zeichnung nur anhand einer konkreten Ausführungsform
erläutert ist, vgl hierzu BPatG BlPMZ 1989, 360 Ls 1, 362 liSp; Schulte, PatG,
6. Aufl, § 3 Rdn 127c, § 34 Rdn 292.
Entgegen der Auffassung der Anmelderin kann die im kennzeichnenden Teil des
Patentanspruchs 1 angegebene weitergehende Lehre, nämlich im Schritt b) die
Schutzschicht nur soweit abzutragen, dass nur die zur Oberfläche des Halbleitersubstrats parallel verlaufende Oberfläche des zu entfernenden Materials freiliegt,
die Patentfähigkeit des beanspruchten Verfahrens nicht begründen; denn die
Lehre ergibt sich für den Fachmann in naheliegender Weise aus dem Stand der
Technik nach der Europäischen Patentschrift 0 250 611 und der deutschen Offenlegungsschrift 197 28 473.
Nach den Angaben
in der gattungsbildenden Europäischen Patentschrift
0 250 611 wird mit der beanspruchten Lehre, nämlich die – zunächst ganzflächig
aufgebrachte – Fotolackschicht nur soweit abzutragen, dass die Maskierungsschicht völlig freigelegt wird, die Aufgabe gelöst, die Maskierungsschicht so zu
entfernen, dass keine Unterätzungen entstehen (Sp 1 viertle Abs). Solche Unterätzungen können ersichtlich nicht nur in der Isolierschicht (Fig 2), sondern insbesondere auch in der unmittelbar unter der Maskierungsschicht liegenden, zu strukturierenden Schicht auftreten - jedenfalls im Falle einer Maskierungsschicht ohne
überstehenden Rand. Wird die Maskierungsschicht – wie üblich – durch das im
dortigen Patentanspruch 4 gelehrte Plasmaätzen entfernt, so werden die genannten Bedingungen für den Fachmann erkennbar am besten und sichersten dadurch
verwirklicht, dass beim Rückätzen nur die obere, dh die zur Oberfläche des Halbleitersubstrats parallel verlaufende Oberfläche des zu entfernenden Masken-Materials freigelegt wird. Denn die Maskierungsschicht ist damit für das Plasmaätzen
völlig freigelegt, ohne dass Unterätzungen an der darunter liegenden, zu strukturierenden Schicht entstehen können.
Eine solche, dem Schutz der Seitenflächen der Maske dienende Maßnahme ist
dem Fachmann zudem dadurch nahegelegt, dass aus der ein Strukturierungsverfahren während der Herstellung integrierter Schaltungen betreffenden und damit
für den Fachmann einschlägigen deutschen Offenlegungsschrift 197 28 473
bereits das spezielle Problem bekannt ist, dass nämlich durch die Erosion von
Masken mit geneigten Flanken und die unvermeidliche Facettenbildung der Masken nur eine geringe Maßhaltigkeit der Strukturierung gewährleistet werden kann,
vgl dort Spalte 2 Absatz 5 iVm Spalte 1 Absatz 1 bis 3. Ersichtlich wird eine solche
schädliche Facettenbildung und Erosion der Maske an den Seitenflächen durch
die dort verbleibende Schutzschicht (Fotolackschicht) vermieden.
Der von der Anmelderin in der mündlichen Verhandlung geltend gemachten Auffassung, dass die gattungsbildende Europäische Patentschrift 0 250 611 das
beanspruchte Verfahren schon deswegen nicht nahelegen könne, weil diese
Schrift bereits 1986 angemeldet worden sei und damit zu einem Zeitpunkt, zu dem
sich das Problem der erst aufgrund der gegenwärtigen Miniaturisierung von integrierten Schaltungen erforderlichen höheren Maßhaltigkeit der Strukturierung noch
nicht gestellt habe, kann nicht gefolgt werden. Denn zum einen offenbart die Europäische Patentschrift 0 250 611 ein Strukturierungsverfahren mit Strukturbreiten
von ca 2 µm, wobei bereits auch schon das durch zukünftige weitere Reduzierung
der Strukturbreiten von 1 µm und kleiner sich ergebende Strukturierungsproblem
angesprochen worden ist (Sp 1 Z 26 bis 29); zum anderen ergibt sich die beanspruchte Lehre – wie dargelegt – in naheliegender Weise aus einer Zusammenschau der gattungsbildenden Europäischen Patentschrift 0 250 611 mit der kurz
vor dem Anmeldetag der vorliegenden Patentanmeldung (AT: 18. Februar 1999)
veröffentlichten deutschen Offenlegungsschrift 197 28 473 (AT: 3. Juli 1997), in
der die dem Anmeldungsgegenstand zugrundeliegende spezielle Problematik der
Strukturierung von hochintegrierten Speicherbausteinen wie DRAMs, FRAMs und
MRAMs ausdrücklich angesprochen ist.
An dieser Beurteilung kann auch der von der Anmelderin in der mündlichen Verhandlung geltend gemachte weitere Einwand nichts ändern, dass die deutsche
Offenlegungsschrift 197 28 473 ein anderes Lösungsprinzip offenbare. Denn
abgesehen davon, dass die in der deutschen Offenlegungsschrift 197 28 473
gelehrte spezielle Materialauswahl für die Masken einerseits und für das zu strukturierende Material andererseits der vorliegend beanspruchten Lösung durchaus
förderlich ist, wie die weitgehende Übereinstimmung der diesbezüglichen Unteransprüche der vorliegenden Anmeldung und der deutschen Offenlegungsschrift
197 28 473 zeigt, ergibt sich die naheliegende Zusammenschau der genannten
beiden Entgegenhaltungen für den Fachmann am Anmeldetag – wie dargelegt –
bereits aus den beiden Entgegenhaltungen zugrundeliegenden Strukturierungsproblemen infolge fortschreitender Reduzierung der Strukturbreiten und der Verwendung von Hard-Masken.
Das Verfahren zur Entfernung von Material von einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats während der Herstellung integrierter Schaltungen nach Anspruch 1 ist
daher nicht patentfähig.
4.) Mit dem Patentanspruch 1 fallen auch die darauf zurückbezogenen geltenden Unteransprüche, die nichts selbständig Erfinderisches enthalten, wie Gegenteiliges die Anmelderin selbst auch nicht behauptet.
Dr. Beyer
Dr. Meinel
Knoll
Richter Lokys befindet sich im Urlaub und ist deshalb an der Unterschrift gehindert.
Dr. Beyer
Fa