Rechtsprechung / BPatG / 2009
BPatG Beschluss vom 29.09.2009 – 23 W (pat) 13/06
23. Senat
BUNDESPATENTGERICHT
_______________
(Aktenzeichen)
Verkündet am
29. September 2009
…
B E S C H L U S S
In der Beschwerdesache
…
betreffend die Patentanmeldung 103 30 072.4-33
hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf
die mündliche Verhandlung vom 29. September 2009 unter Mitwirkung des Vorsitzenden Richters Dr. Tauchert, der Richterin Dr. Hock sowie der Richter Brandt
und Dr. Friedrich 08.05
beschlossen:
1. Der Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deutschen Patent- und Markenamts vom 24. Oktober 1995 wird
aufgehoben und das Patent mit folgenden Unterlagen erteilt:
Patentansprüche 1 bis 9 nach Hilfsantrag, überreicht in der
mündlichen Verhandlung vom 29. September 2009,
Beschreibungsseiten 1 bis 32, überreicht in der mündlichen
Verhandlung vom 29. September 2009,
ursprüngliche Zeichnung, Figuren 1 bis 5B.
Bezeichnung der Erfindung:
Zellen eines dynamischen
Speichers mit wahlfreiem Zugriff mit seitlich versetzten Speicherknoten und Verfahren zu ihrer Herstellung.
Anmeldetag:
3. Juli 2003
2. Die Rückzahlung der Beschwerdegebühr wird angeordnet.
G r ü n d e
I.
Die vorliegende Anmeldung ist am 3. Juli 2003 unter Inanspruchnahme der Priorität der Anmeldung KR 2002-39386 vom 8. Juli 2002 mit der Bezeichnung „Zellen
eines dynamischen Speichers mit wahlfreiem Zugriff mit seitlich versetzten Speicherknoten und Verfahren zu ihrer Herstellung“ beim Deutschen Patent- und Markenamt eingereicht worden.
Im Prüfungsverfahren hat die Prüfungsstelle auf den Stand der Technik gemäß
den Druckschriften
D1 DE 199 08 446 A1
D2 US 6 287 971 B1
D3 US 6 143 602 A
D4 DE 42 22 467 C1
hingewiesen.
Von der Anmelderin ist zum Stand der Technik die Druckschrift
D5 JP 2000-150824 A
genannt worden.
Mit dem - einzigen - Prüfungsbescheid vom 1. Dezember 2004 ist der Anmelderin
mitgeteilt worden, dass der ursprüngliche Patentanspruch 1 unklar sei, da nicht zu
ersehen wäre, was unter einer „Mittelachse eines Speicherknotens“, unter der
„Längsrichtung eines aktiven Bereichs“ und unter dem „Mittelpunkt eines ersten
bzw. zweiten Verunreinigungsbereiches“ verstanden werden solle, wenn die Formen dieser Bereiche vollkommen undefiniert seien.
Auf diesen Bescheid hin hat die Anmelderin
in
ihrer Eingabe vom
10. Oktober 2005 neue Patentansprüche 1 bis 14 als Ersatz für die ursprünglichen
Patentansprüche 1 bis 71 eingereicht, wobei im neuen Patentanspruch 1 der Begriff „Längsrichtung eines aktiven Bereichs“ gestrichen und die Formulierungen
„Mittelachse eines Speicherknotens“ durch „Mittelachse des Bodens eines Speicherknotens“ sowie „Mittelpunkt eines ersten bzw. zweiten Verunreinigungsbereiches“ durch „Mittelpunkt eines Source-Bereichs“ ersetzt wurde. Hilfsweise hat die
Anmelderin um Anberaumung einer Anhörung gebeten.
Die Anmeldung
ist daraufhin durch Beschluss der Prüfungsstelle vom
24. Oktober 2005 mit der Begründung zurückgewiesen worden, dass der neugefasste Patentanspruch 1 nach wie vor die im Zusammenhang mit dem ursprünglichen Patentanspruch 1 beanstandeten Unklarheiten, nämlich „Mittelachse eines
Speicherknotens“ und „Mittelpunkt eines Bereichs“, aufweise, deren jeweilige
Formen nicht im Patentanspruch 1 definiert seien. Die Durchführung der beantragten Anhörung sei nicht sachdienlich, denn die Klarstellung beispielsweise des
Begriffs „Mittelachse eines Speicherknotens“ über die Definition seiner Form hätte
ohne weiteres im schriftlichen Verfahren stattfinden können
Gegen diesen Beschluss, der Anmelderin zugestellt am 11. November 2005,
richtet sich die am 9. Dezember 2005 beim DPMA eingegangene Beschwerde. In
der nachgereichten Beschwerdebegründung vom 23. Februar 2006 beantragt die
Anmelderin
1. den Beschluss aufzuheben und ein Patent gemäß Hauptantrag zu erteilen;
2. den Beschluss aufzuheben und hilfsweise ein Patent gemäß
Hilfsantrag zu erteilen;
3. den Beschluss aufzuheben und hilfsweise die Anmeldung an
die Prüfungsstelle zur weiteren Prüfung zurückzuverweisen;
4. hilfsweise eine mündliche Verhandlung anzuberaumen sowie
5. die Rückzahlung der Beschwerdegebühr anzuordnen.
Der Senat hat mit der Anlage zur Terminsladung vom 19. August 2009 die Anmelderin darauf hingewiesen, dass neben der Druckschrift D5 auch die Druckschriften
D6 US 6 381 165 B1 und
D7 JP 03-225955 A
für die Beurteilung der Patentfähigkeit von Bedeutung sein könnten.
In der mündlichen Verhandlung am 29. September 2009 stellt die Anmelderin den
Antrag,
den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen
Patent- und Markenamts vom 24. Oktober 2005 aufzuheben und
das Patent mit folgenden Unterlagen zu erteilen:
Patentansprüche 1 bis 9, überreicht in der mündlichen Verhandlung vom 29. September 2009, Beschreibungsseiten 1 bis 32,
überreicht
in
der
mündlichen
Verhandlung
vom
29. September 2009, ursprüngliche Zeichnung, Figuren 1 bis 5B
(Hauptantrag).
Hilfsweise stellt sie den Antrag,
das Patent mit folgenden Unterlagen zu erteilen:
Patentansprüche 1 bis 9, überreicht in der mündlichen Verhandlung
vom 29. September 2009, Beschreibungsseiten 1 bis 32, überreicht
in der mündlichen Verhandlung vom 29. September 2009, ursprüngliche Zeichnung, Figuren 1 bis 5B (Hilfsantrag).
Weiter beantragt sie die Rückzahlung der Beschwerdegebühr.
Der geltende Patentanspruch 1 gemäß Hauptantrag lautet:
„DRAM-Speicher, aufweisend:
-
ein
Feld
von Speicherzellentransistoren
in
einem
Halbleitersubstrat (1), wobei das Feld von Speicherzellentransistoren in einer Vielzahl von in Reihen und Spalten angeordneten und durch eine Vorrichtungsisolationsschicht (3) definierten Aktivbereichen (3a, 3b) ausgebildet ist, wobei die Aktivbereiche (3a, 3b) von Reihe zu Reihe alternierend in Reihenrichtung zueinander versetzt angeordnet sind, und
-
ein Feld von Speicherknoten (39a, 39b, 39c, 39d), wobei jeder
Speicherknoten (39a, 39b, 39c, 39d) über einen Steckkontakt (19a, 19b, 19c, 19d), der in einem Kontaktloch (17a, 17b,
17c, 17d) ausgebildet ist, mit einem Source-Bereich (11b, 11c,
11d) eines jeweiligen Speicherzellentransistors elektrisch verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
-
die Speicherknoten (39a, 39b) einer Reihe und die Speicherknoten (39c, 39d) einer benachbarten Reihe jeweils bezüglich
der mit dem jeweiligen Source-Bereichen (11b, 11c, 11d) verbundenen Steckkontakten (19a, 19b, 19c, 19d) jeweiliger
Speicherzellentransistoren in zueinander entgegen gesetzten
Reihenrichtungen versetzt angeordnet sind,
-
und wobei
jeder Speicherzellentransistor eine Gateelektrode (7a, 7b, 7c, 7d) enthält, welche den Aktivbereich (3a,
3b) und die Vorrichtungsisolationsschicht (3) überkreuzt, wobei das Gate jeweiliger Transistoren auf dem Aktivbereich (3a,
3b) breiter als das auf der Vorrichtungsisolationsschicht (3)
ist.“
Der geltende Patentanspruch 1 gemäß Hilfsantrag entspricht im Wortlaut dem
geltenden Patentanspruch 1 nach Hauptantrag, wobei das erste Merkmal des
kennzeichnenden Teils durch die Angabe
„wobei der jeweilige Versatz zwischen den Speicherknoten (39a,
39b) einer Reihe und den damit verbundenen Source-Bereichen (11b, 11c, 11d) in vorbestimmter Weise unterschiedlich groß
ist,“
ergänzt wird.
Hinsichtlich der Unteransprüche gemäß Haupt- und Hilfsantrag sowie der weiteren
Einzelheiten wird auf den Akteninhalt verwiesen.
II.
Die form- und fristgerecht erhobene Beschwerde ist zulässig und auch begründet,
denn der geltende Patentanspruch 1 gemäß Hilfsantrag vermittelt dem Fachmann
eine klare Lehre zum technischen Handeln, ist zulässig und durch den im Verfahren befindlichen Stand der Technik auch nicht patenthindernd getroffen.
1. Die geltenden Patentansprüche 1 bis 9 nach Haupt- und Hilfsantrag geben
eine klare Lehre, denn die beanstandeten Begriffe „Mittelachse eines Speicherknotens“, „Mittelpunkt eines ersten bzw. zweiten Verunreinigungsbereiches“ und
„Längsrichtung eines aktiven Bereichs“ sind durch die Formulierung ersetzt, dass
„die Speicherknoten einer Reihe und die Speicherknoten einer benachbarten
Reihe jeweils bezüglich der mit dem jeweiligen Source-Bereichen verbundenen
Steckkontakten jeweiliger Speicherzellentransistoren in zueinander entgegengesetzten Reihenrichtungen versetzt angeordnet sind“.
2. Die geltenden Patentansprüche 1 bis 9 nach Haupt- und Hilfsantrag sind
zulässig.
Der auf einen DRAM-Speicher gerichtete geltende Patentanspruch 1 nach Hauptantrag geht auf die in den ursprünglichen Anmeldungsunterlagen anhand der Figuren 1, 5A und 5B und der zugehörigen Beschreibung erläuterten Ausführungsbeispiele zurück. Der erste Spiegelstrich-Absatz wird durch die ursprüngliche Beschreibung auf Seite 16, Zeilen 14 bis 29 i. V. m. Seite 18, Zeilen 11 bis 29 gestützt, der zweite und dritte Spiegelstrich-Absatz durch die ursprüngliche Beschreibung auf Seite 20, Zeile 18 bis Seite 23, Zeile 13, und der vierte Spiegelstrich-Absatz durch die ursprüngliche Beschreibung auf Seite 19, Zeilen 1 bis 7.
Das Zusatzmerkmal des geltenden Patentanspruchs 1 nach Hilfsantrag hinsichtlich des unterschiedlichen Versatzes innerhalb einer Reihe ist in der ursprünglichen Beschreibung auf Seite 22, Zeile 19 bis Seite 23, Zeile 2 offenbart.
Die Unteransprüche 2 bis 9 nach Haupt- und Hilfsantrag entsprechen inhaltlich
den ursprünglichen Unteransprüchen 4 bis 8 und 12 bis 14.
3. Die Anmeldung betrifft DRAM-Speicher, d. h. Speicherzellen dynamischer
Speichervorrichtungen mit wahlfreiem Zugriff. Solche DRAM-Speicher enthalten
ausweislich der Beschreibungseinleitung Zugriffs-Transistorpaare und Zellkapazitäten mit Speicherknoten, die in Draufsicht üblicherweise eine ovale oder rechtwinklige Gestalt zeigen. Zur Erhöhung der Kapazität der Speicherkondensatoren
sind die Speicherknoten nicht nur planar aufgebaut, sondern erstrecken sich in die
Höhe, was jedoch zu Neigungen der Speicherknoten und aufgrund des geringen
Abstands der Speicherknoten zu unerwünschten Kurzschlüssen benachbarter
Speicherknoten führen kann.
Zudem ist es anzustreben, die Kanalbreiten und -längen von MOS-Zugriffstransistoren zu vergrößern, da dies deren Charakteristika hinsichtlich elektrischer
Eigenschaften verbessert. Bei bekannten DRAM-Anordnungen ist es jedoch
schwierig, die Breiten der sich mit den aktiven Bereichen überlappenden Wortleitungen und die Breiten der sich mit den Wortleitungen überlappenden aktiven
Bereiche so zu gestalten, dass die MOS-Zugriffstransistoren vergrößerte
Kanalbreiten und -längen aufweisen, ohne den Platzbedarf der Zelle unnötig zu
erhöhen, vgl. geltende Beschreibungsseite 2, dritter Absatz und geltende Beschreibungsseite 3, zweiter Absatz.
Der vorliegenden Anmeldung liegt somit als technisches Problem die Aufgabe
zugrunde, einen DRAM-Speicher zu schaffen, bei dem die Breite der Wortleitungen an den Stellen vergrößert ist, die sich mit den aktiven Bereichen überlappen,
ohne dass dabei die oben genannten Nachteile entstehen, vgl. geltende Beschreibungsseite 4, erster Absatz.
Diese Aufgabe wird nach Patentanspruch 1 des Hauptantrags durch einen DRAM-
Speicher gelöst, der ein in Spalten und Reihen angeordnetes Feld von Speicherzellentransistoren aufweist, deren aktive Bereiche von Reihe zu Reihe alternierend
in Reihenrichtung zueinander versetzt angeordnet sind, und der ein Feld von
Speicherknoten enthält, die jeweils über einen Steckkontakt in einem Kontaktloch
mit einem Source-Bereich eines jeweiligen Speicherzellentransistors elektrisch
verbunden sind. Dabei sind zum einen die Speicherknoten einer Reihe und die
Speicherknoten einer benachbarten Reihe jeweils bezüglich der mit den jeweiligen
Source-Bereichen verbundenen Steckkontakte jeweiliger Speicherzellentransistoren in zueinander entgegengesetzten Reihenrichtungen versetzt angeordnet und
zum anderen die Gateelektroden jedes Speicherzellentransistors auf dem Aktivbereich breiter als auf der Vorrichtungsisolationsschicht.
Gemäß Patentanspruch 1 des Hilfsantrags ist dabei zusätzlich der jeweilige Versatz zwischen den Speicherknoten einer Reihe und den damit verbundenen
Source-Bereichen in vorbestimmter Weise unterschiedlich groß.
Die Erfindung beruht somit auf dem allgemeinen Gedanken, die Speicherknoten
eines DRAM-Speichers nicht mittig über dem Source-Bereich, sondern zu ihm
versetzt auszubilden, wodurch die Wortleitung mit variierender Breite gestaltet
werden kann, ohne den Platzbedarf der Speicherzelle übermäßig zu erhöhen.
Bei dem DRAM-Speicher gemäß Patentanspruch 1 nach Hauptantrag ist wesentlich, dass der Versatz der Speicherknoten zum Source-Bereich innerhalb einer
Reihe in die gleiche Reihenrichtung und in den dazu benachbarten Reihen in die
entgegengesetzte Reihenrichtung erfolgt und dass die Wortleitung auf dem aktiven Bereich verbreitert ist.
Der Patentanspruch 1 nach Hilfsantrag gibt zusätzlich die Lehre, dass der Versatz
innerhalb einer Reihe unterschiedlich groß ist.
4. Der DRAM-Speicher nach Patentanspruch 1 des Hauptantrags beruht im Hinblick auf den Stand der Technik gemäß den Druckschriften D5 und D6 nicht auf
einer erfinderischen Tätigkeit des zuständigen Fachmanns.
Dieser ist als Diplom-Physiker oder Diplom-Ingenieur der Elektrotechnik mit Hochschulabschluss und mehrjähriger Berufserfahrung im Entwurf von Halbleiterspeichern zu definieren.
Die Druckschrift D5 offenbart in Übereinstimmung mit der Lehre des Patentanspruchs 1 nach Hauptantrag:
einen DRAM-Speicher (semiconductor storage device / Abstract,
Fig. , 2), aufweisend
−
ein Feld von Speicherzellentransistoren (MOS transistors /
Abstract, Fig. 1, 2) in einem Halbleitersubstrat (semiconductor
substrate 101 / Abstract, Fig. 2), wobei das Feld von Speicherzellentransistoren in einer Vielzahl von in Reihen und
Spalten angeordneten (bit lines 110 which are extended in the
direction perpendicular to the word lines 104 / Abstract, Fig. 1)
und durch eine Vorrichtungsisolationsschicht (103 / Fig. 2) definierten Aktivbereichen (element areas 102 / Abstract, Fig. 1)
ausgebildet ist, wobei die Aktivbereiche von Reihe zu Reihe
alternierend in Reihenrichtung zueinander versetzt angeordnet
sind (element areas 102 / Abstract, Fig. 1), und
−
ein Feld von Speicherknoten (layer capacitive electrodes 109 /
Abstract, Fig. 1, 2), wobei jeder Speicherknoten über einen
Steckkontakt (capacitive electrode contacts 108 / Abstract,
Fig. 1, 2), der in einem Kontaktloch ausgebildet ist, mit einem
Source-Bereich eines
jeweiligen Speicherzellentransistors
elektrisch verbunden ist (Then layer capacitive electrodes 109
are connected to the source areas of the transistors through
lower capacitive electrode contacts 108 / Abstract, Fig. 1, 2).
Zusätzlich entnimmt der Fachmann auch das Merkmal hinsichtlich der verbreiterten Gateelektrode bereits der Druckschrift D5, denn dort wird im Zusammenhang
mit der Darlegung des Standes der Technik anhand Figur 14 ein DRAM-Speicher
erläutert, bei dem die Wortleitung 184 und damit die Gateelektrode der Speicherzellentransistoren auf dem aktiven Bereich 180a breiter ausgebildet ist als auf der
Vorrichtungsisolationsschicht 182. Auch wenn dieses Merkmal in der Beschreibung der Druckschrift D5 nicht näher erläutert wird, gehört es zum Fachwissen
des zuständigen Fachmanns, dass mit dieser Verbreiterung des Gates und der
damit einhergehenden Vergrößerung des Kanalbereichs unerwünschte Effekte
aufgrund schmaler Kanäle beim Speichertransistor verringert werden können. Er
wird daher die in Figur 14 der Druckschrift D5 gezeigte Verbreiterung des Gates
auch bei dem Ausführungsbeispiel nach Figur 1 anwenden, wodurch - wie der
Fachmann ohne weiteres erkennt - die Kanalbreiten und -längen der MOS-
Zugriffstransistoren vergrößert und ihre elektrischen Eigenschaften verbessert
werden können.
Der Fachmann wird daher den DRAM-Speicher so ausgestalten, dass - mit den
Worten des Patentanspruchs 1 nach Hauptantrag - jeder Speicherzellentransistor
eine Gateelektrode enthält, welche den Aktivbereich und die Vorrichtungsisolationsschicht überkreuzt, wobei das Gate jeweiliger Transistoren auf dem Aktivbereich breiter als das auf der Vorrichtungsisolationsschicht ist.
Somit ergibt sich für den Fachmann aus der Lehre der Druckschrift D5 ein DRAM-
Speicher aufweisend die Merkmale des Oberbegriffs und das zweite kennzeichnende Merkmal bezüglich der Gateverbreiterung.
Die im Patentanspruch 1 nach Hauptantrag gegebene Lehre unterscheidet sich
demnach von der Lehre der Druckschrift D5 allein durch das erste kennzeichnende Merkmal, nämlich durch den Versatz der Speicherknoten innerhalb einer
Reihe.
Dieses Merkmal entnimmt der Fachmann jedoch der einschlägigen Druckschrift
D6.
Dort ist in Figur 4 und der zugehörigen Beschreibung ein DRAM-Speicher offenbart, aufweisend
ein Feld von Speicherzellentransistoren in einem Halbleitersubstrat, wobei das
Feld von Speicherzellentransistoren in einer Vielzahl von in Reihen und Spalten
angeordneten und durch eine Vorrichtungsisolationsschicht definierten Aktivbereichen ausgebildet ist und
ein Feld von Speicherknoten, wobei jeder Speicherknoten über einen Steckkontakt, der in einem Kontaktloch ausgebildet ist, mit einem Source-Bereich eines jeweiligen Speicherzellentransistors elektrisch verbunden ist (Referring to FIG. 4, a
semiconductor substrate 20 on which a plurality of MOS transistors (not shown), a
plurality of electrical connection plugs (not shown) and an interlayer dielectric layer
(not shown) are formed is prepared. A plur lity of storage node electrodes 22 are
arranged on the semiconductor substrate so as to be in contact with either the
electrical connection plug (not shown) contacting the source region (not shown) of
each of the MOS transistors (not shown) or the source region of each of the MOS
transistors (not shown) / vgl. Spalte 4, Zeilen 47 bis 56).
Zur Vermeidung von Kurzschlüssen aufgrund unerwünschter Brücken zwischen
Speicherknoten und zur Vergrößerung der verfügbaren Speicherknotenfläche lehrt
Druckschrift D6, die Speicherknoten zueinander versetzt anzuordnen (In the present embodiment, the storage node electrodes 22 are arranged in the following
way to minimize the probability of a bridge being generated. The storage node
electrodes 22 are arranged a predetermined distance apart in X and Y directions.
In FIG. 4, S1 indicates the distance between adjacent storage node electrodes in
the X direction, and S2 indicates the distance between adjacent storage node
electrodes in the Y direction. Storage node electrodes 22a belonging to evennumbered columns are shifted in the +Y direction or -Y direction a predetermined
distance. The shifted storage node electrodes are referred to as 22a and the nonshifted storage node electrodes are referred to as 22b. The shifted storage node
electrodes 22a are shifted the same distance. In the present embodiment, the storage node electrodes 22 belonging to even-numbered columns are shifted down a
predetermined distance. Accordingly, the storage node electrodes 22a and 22b
belonging to the same row do not stand in a straight line. … Accordingly, it is possible to increase the area of the storage node electrodes 22, while preventing the
occurrence of a bridge / vgl. Spalte 4, Zeile 57 bis Spalte 5, Spalte 7 sowie
Spalte 6, Zeilen 14 bis 16).
Dabei werden die Speicherknoten in Übereinstimmung mit der im Patentanspruch 1 gegebenen Lehre bezüglich der mit den jeweiligen Source-Bereichen
verbundenen Steckkontakte versetzt, denn das Schaltungsdesign wird lediglich im
Hinblick auf die Lage der Speicherknoten verändert, während die übrigen Schaltungselemente, insbesondere die Steckkontakte, ihre ursprüngliche Lage beibehalten (Therefore, even though the arrangement of the storage node electrodes is
changed, preceding and subsequent processes are not affected by the change in
arrangement of the storage node electrodes, and thus additional expenses for
changing the design of the storage node electrodes are not incurred / vgl.
Spalte 6, Zeilen 40 bis 45).
Dieses Versetzen erfolgt in Druckschrift D6 zwar in Y-Richtung, die dort als Spaltenrichtung definiert ist, während die X-Richtung die Reihenrichtung vorgibt. Eine
Zuordnung der Spalten und Reihen zur Ausrichtung der Speicherzelle erfolgt in
Druckschrift D6 jedoch nicht und bleibt dem Fachmann überlassen. Auch in der
vorliegenden Anmeldung wird hervorgehoben, dass die Ausdrücke Reihe und
Spalte keine spezielle horizontale oder vertikale Ausrichtung anzeigen sollen (Beschreibungsseite 16, dritter Absatz). Damit ist in Druckschrift D6 wie auch in der
Anmeldung die Zuordnung der Bauelemente hinsichtlich der Reihen und Spalten
des Speicherzellenfeldes austauschbar, so dass sich dem Fachmann aus Druckschrift D6 auch die Lehre ergibt, die Speicherknoten einer Reihe und die Speicherknoten einer benachbarten Reihe jeweils bezüglich der mit den jeweiligen
Source-Bereichen verbundenen Steckkontakte jeweiliger Speicherzellentransistoren in zueinander entgegengesetzten Reihenrichtungen versetzt anzuordnen.
Diese Lehre bei dem DRAM-Speicher nach der Druckschrift D5 anzuwenden,
womit Kurzschlüsse zwischen Speicherknoten vermieden und eine variierende
Breite der Wortleitung ermöglicht werden, bedarf keiner erfinderischen Tätigkeit
des Fachmanns.
Der DRAM-Speicher nach dem geltenden Patentanspruch 1 gemäß Hauptantrag
ist somit nicht patentfähig.
5. Der - zweifellos gewerblich anwendbare - DRAM nach dem geltenden
Patentanspruch 1 gemäß Hilfsantrag ist gegenüber dem im Verfahren befindlichen
Stand der Technik neu und beruht diesem gegenüber auch auf einer erfinderischen Tätigkeit des zuständigen Fachmanns.
Nach der Lehre des Patentanspruchs 1 gemäß Hilfsantrag ist vorgesehen, dass
zusätzlich zur Lehre des Patentanspruchs 1 des Hauptantrags „der jeweilige Versatz zwischen den Speicherknoten einer Reihe und den damit verbundenen
Source-Bereichen in vorbestimmter Weise unterschiedlich groß ist“.
Für einen Versatz innerhalb einer Reihe um unterschiedliche Abstände gibt es in
dem nachgewiesenen Stand der Technik keine Anregung.
Die Druckschrift D6 lehrt zwar - wie oben dargelegt - einen Versatz der Elektroden, dieser ist jedoch bei allen Speicherknoten gleich groß (The shifted storage
node electrodes are referred to as 22a and the non-shifted storage node electrodes are referred to as 22b. The shifted storage node electrodes 22a are shifted the
same distance / vgl. Sp. 4, Zeile 67 bis Spalte 5, Zeile 3). Die Abstände für den
Versatz innerhalb einer Reihe unterschiedlich groß auszugestalten, wird somit
nicht nahe gelegt.
Druckschrift D1 betrifft einen DRAM-Speicher mit einem Zellenkondensator, dessen Speicherelektrode zur Kapazitätserhöhung zweipolig ausgebildet ist. Die beiden Pole sind über eine leitfähige Struktur miteinander verbunden, wobei einer der
beiden Pole mittig über dem Source-Bereich angeordnet ist (erster leitender
Pol 38, zweiter leitender Pol 44, leitfähige Struktur 24a / vgl. Fig. 7 i. V. m.
Spalte 7, Zeilen 30 bis 53). Gegenüber kastenförmigen Elektroden bietet dies den
Vorteil einer erhöhten Kapazität und gegenüber hohlzylinderförmigen Elektroden
den einer vereinfachten Photolithographie-Prozessführung. Ein Verschieben der
Speicherelektroden bezüglich der Source-Bereiche ist Druckschrift D1 nicht zu
entnehmen.
Druckschrift D2 befasst sich ebenso wie Druckschrift D3 mit dem Problem, dass
es aufgrund von Fehlausrichtungen bei der Strukturierung der DRAM-Speicherelektroden zu einer Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften und zu einem Abheben der Elektrode während des Ätzprozesses kommen kann (Druckschrift D2: … According to the method for forming the conventional storage
electrode as described above, when mis-alignment occurs upon the etch process
for forming the storage electrode, the mid portion of the storage electrode has a
narrow horizontal section. Thus, the storage electrodes are easily lifted, thereby
contaminating the surface of the semiconductor substrate / vgl. Fig. 1 bis 3 i. V. m.
Spalte 1, Zeile 43 bis Sp. 2, Zeile 21; sowie Druckschrift D3: … The size of this reduced area region may increase as the degree of photolithographic misalignment
during the patterning step increases. As will be understood by those skilled in the
art, this reduced area region 25 may degrade the electrical characteristics of the
storage capacitor / vgl. Fig. 1 i. V. m. Sp. 1, Zeilen 60 bis 64). Als Lösung wird in
beiden Druckschriften vorgeschlagen, die Speicherelektrode zweiteilig aus einem
Kontaktstopfen (D2: Fig. 6 und 11: plug pattern 19, 61; sowie D3: Fig. 5A: protruding contact plug 122d) und einer Elektrodenstruktur (D2: Fig. 6 und 11: storage
electrode 23, 65; sowie D3: capacitor electrode 124d) auszubilden. Dadurch erhöht sich die Toleranz gegenüber Fehljustierungen und ein Abheben der Elektroden kann verhindert werden. Der in den Figuren gezeigte Versatz bezieht sich auf
unerwünschte Fehljustierungen und nicht auf ein vom Design her vorgegebenes
Verschieben der Elektroden.
In Druckschrift D4 wird anhand der Figuren 1 bis 7 ein Herstellungsverfahren von
zylinderförmigen DRAM-Speicherkondensatoren 91 vorgeschlagen, bei dem
Kontaktlöcher in einer ersten Hilfsschicht 4 mit einem Isolator 7 und einer zweiten
Hilfsschicht 8 gefüllt und anschließend die erste Hilfsschicht 4 entfernt und die
seitlich mit dem Isolator 7 beschichteten Platzhalter 81 mit einer Polysiliziumschicht 9 bedeckt werden. Nach Entfernen der zweiten Hilfsschicht bilden sich die
zylinderförmigen Speicherknoten aus. Diese Prozessführung vermindert das Auftreten von Kurzschlüssen beim Ätzen der Hilfsschichten. Ein Versatz der Speicherelektroden bezüglich der Source-Gebiete wird nicht angesprochen.
Druckschrift D7 lehrt, die Speicherelektroden 22 hexagonal auszubilden und den
mit den jeweiligen Source-Bereichen verbundenen Steckkontakt 11 nicht mittig im
Hexagon, sondern zur Bitleitung verschoben auszubilden (A storage electrode 22
is formed to be a hexagon which has a side 22a parallel to the direction of a word
line WL; a storage contact 11 is shifted to the direction of a bit line BL from the
center of the hexagon / vgl. Abstract). Ein Versatz innerhalb einer Reihe in die
gleiche Richtung und um unterschiedliche Beträge wird jedoch nicht nahe gelegt.
Der DRAM-Speicher nach dem geltenden Patentanspruch 1 gemäß Hilfsantrag ist
demnach patentfähig.
6. An diesen Patentanspruch können sich die Unteransprüche 2 bis 9 gemäß
Hilfsantrag anschließen, da diese vorteilhafte Weiterbildungen des DRAM-Speichers nach dem Anspruch 1 angeben.
Bei dieser Sachlage war der angefochtene Beschluss aufzuheben und das Patent
im Umfang des Hilfsantrags zu erteilen.
III.
Die Rückzahlung der Beschwerdegebühr gemäß § 80 Abs. 3 PatG entspricht der
Billigkeit, denn bei ordnungsgemäßer und angemessener Sachbehandlung wäre
der Erlass des Zurückweisungsbeschlusses nicht in Betracht gekommen, so dass
sich die Beschwerde und die Zahlung der Beschwerdegebühr erübrigt hätten, vgl.
Schulte PatG, 8. Auflage, § 73, Rdn. 124 und 125 und § 80 Rdn. 110 bis 112.
Zum Verständnis der Angaben in den Patentansprüchen ist stets der Gesamtinhalt
der zugehörigen Beschreibungsunterlagen heranzuziehen, vgl. BGH GRUR 2001,
232, Leitsatz - „Brieflocher“. In der vorliegenden Anmeldung wird das Merkmal des
Versatzes der Speicherknoten bezüglich der Source-Bereiche ausführlich anhand
der Figuren 1, 5A und 5B erläutert. Dabei wird im zweiten Absatz der ursprünglichen Beschreibungsseite 23 ausgeführt, dass erste und zweite Speicherknoten (39a, 39b) gegenüber jeweiligen ersten und zweiten Source-Bereichen (11a,
11b) in der ersten Richtung seitlich versetzt und dritte und vierte Speicherknoten
(39c, 39d) gegenüber jeweiligen dritten und vierten Source-Bereichen (11c, 11d)
in der zweiten Richtung seitlich verschoben sind.
Die Beschreibungsunterlagen zeigen demnach, dass die Speicherknoten, unabhängig von ihrer genauen Ausgestaltung, versetzt zu den Source-Bereichen angeordnet sind.
Damit hätte die Prüfungsstelle bei sachgemäßer Behandlung der Anmeldung die
von ihr gerügten Unklarheiten ohne weiteres klarstellen und - bspw. durch eine
entsprechende Anregung in einem Prüfungsbescheid - auch auf eine dementsprechende Anspruchsformulierung hinwirken können, mit der die von ihr gerügten
Unklarheiten ohne weiteres hätten beseitigt werden können.
Abgesehen davon rechtfertigt die Ablehnung der von der Anmelderin beantragten
Anhörung die Rückzahlung der Beschwerdegebühr, denn eine solche - wenigstens einmalige - Anhörung wäre bei dieser Sachlage im vorliegenden Fall sachdienlich gewesen. Sie ist immer sachdienlich, wenn sie das Verfahren fördern
kann, insbesondere wenn sie eine schnellere und bessere Klärung als eine schriftliche Auseinandersetzung verspricht. Eine Ablehnung eines Antrags auf Anhörung
kommt deshalb nur ausnahmsweise in Betracht, nämlich wenn triftige Gründe dafür vorliegen, weil z. B. die Anhörung zu einer überflüssigen Verfahrensverzögerung führen würde oder weil nach mehreren Prüfungsbescheiden absehbar ist,
dass die Anmelderin auch zukünftig auf einer bisher beantragten Merkmalskombination beharren wird, vgl. Schulte PatG, 8. Auflage, § 46, Rdn. 8 und 9.
Die Ablehnung des Antrags auf Anhörung rechtfertigende Gründe sind im vorliegenden Fall nicht ersichtlich. Zwar hat die Anmelderin in ihrer Erwiderung auf den
Prüfungsbescheid die dort genannten Beanstandungen nicht vollständig aufgegriffen, was sie in ihrem Schriftsatz vom 10. Oktober 2005 durch Verweis auf den
abhängigen Patentanspruch 11 hinsichtlich der geometrischen Ausgestaltung der
Speicherknoten zum Ausdruck bringt. Daraus durfte die Prüfungsstelle jedoch
nicht den Schluss ziehen, dass die von der Anmelderin gleichzeitig beantragte
Anhörung nicht sachdienlich sei. Denn die Anmelderin hat in dem genannten
Schriftsatz neue Patentansprüche vorgelegt und damit zu erkennen gegeben,
dass sie zu Änderungen der Patentansprüche, die eine Gewährbarkeit des nachgesuchten Patents hätten begründen können, bereit war. Angesichts des Verhaltens der Anmelderin konnte die Prüfungsstelle also nicht davon ausgehen, eine
Annäherung der gegensätzlichen Standpunkte von Anmelderin und Prüfungsstelle
sei nicht zu erwarten und eine Anhörung verzögere das Verfahren lediglich.
Zu einer Durchführung der beantragten Anhörung bestand auch insofern Anlass,
als die Anmelderin in ihrer Eingabe vom 10. Oktober 2005 neue Patentansprüche 1 bis 14 als Ersatz für die ursprünglichen Patentansprüche 1 bis 71 eingereicht und eine Fortführung des Verfahrens mit lediglich einem unabhängigen Patentanspruch statt der ursprünglich 7 nebengeordneten Patentansprüche angestrebt hatte, um die zuvor von der Prüfungsstelle gerügten Mängel bezüglich der
Einheitlichkeit und der Klarheit zu beseitigen.
Bei einer sachgerechten Vorgehensweise hätte sich die Beschwerde und die
Zahlung der Beschwerdegebühr somit erübrigt, so dass die Rückzahlung der Beschwerdegebühr aus Gründen der Billigkeit anzuordnen war.
Dr. Tauchert
Dr. Hock
Brandt
Dr. Friedrich
zugleich für Vorsitzenden Richter am Bundespatentgericht der Dr. Tauchert, wegen Pensionierung an der Leistung der Unterschrift gehindert ist.
Pr