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BPatG Beschluss vom 11.06.2002 – 17 W (pat) 55/01

17. Senat

BUNDESPATENTGERICHT

17 W (pat) 55/01

_______________

(Aktenzeichen)

Verkündet am

11. Juni 2002

…

B E S C H L U S S

In der Beschwerdesache

betreffend das Patent 198 45 665

…

hat der 17. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf

die mündliche Verhandlung vom 11. Juni 2002 unter Mitwirkung des Vorsitzenden

Richters Dipl.-Phys. Grimm sowie der Richter Dr. Schmitt, Dipl.-Phys. Dr. Greis

und Dipl.-Ing. Schuster 6.70

beschlossen:

Die Beschwerde der Patentinhaberin wird zurückgewiesen.

G r ü n d e :

Auf die Anmeldung wurde die Erteilung des Patents mit der Bezeichnung

"Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für einen

IC-Baustein zum Einbau in Chipkarten"

am 17. August 2000 veröffentlicht.

Gegen das Patent wurde ein Einspruch erhoben. Nach Prüfung des für zulässig

erachteten Einspruchs hat die Patentabteilung 53 des Deutschen Patent- und Markenamts mit Beschluss vom 10. August 2001 das Patent gemäß § 61 Abs.1 Satz 1

PatG widerrufen.

Gegen diesen Beschluss richtet sich die Beschwerde der Patentinhaberin.

Die Patentinhaberin verfolgt ihr Patent nach dem in der mündlichen Verhandlung

vom 11. Juni 2002 gestellten Haupt- sowie Hilfsantrag weiter.

Der Patentanspruch 1 nach Hauptantrag lautet:

"Verfahren zur Herstellung eines Trägerelementes (4) für einen IC-Baustein (7) zum Einbau in Chipkarten (1), wobei das

Trägerelement (4) auf einem elektrisch isolierenden Kunststoffsubstrat (10) leitfähige Kontaktflächen (5) aufweist, die mit

entsprechenden Anschlussstellen (8) des IC-Bausteins (7) leitend verbunden sind, dass

in einem ersten Schritt ein Kunststoffsubstrat (10) mit zu

den Anschlussstellen (8) des IC-Bausteins (7) korrespondierenden Aussparungen (11) bereitgestellt wird,

in einem zweiten Schritt der IC-Baustein (7) mit seiner die

Anschlussstellen (8) aufweisenden Seite auf dem Kunststoffsubstrat (10) mittels eines Klebers (14) fixiert wird, dass

die Anschlussstellen (8) positionsgenau zu den Aussparungen (11) im Kunststoffsubstrat (10) angeordnet sind,

in einem dritten Schritt unter Verwendung einer Abdeckfolie (12), die nach Fertigstellung der Kontaktflächen (5) wieder entfernt wird, durch Abscheidung eines Metalls (19) aus

der Gasphase auf die von der Abdeckfolie (12) unverdeckten Bereiche (13) des Kunststoffsubstrats (10) die elektrisch

leitfähigen Kontaktflächen (5) unter Ausbildung von elektrisch leitenden Verbindungen (20) zu den Anschlussstellen (8) des IC-Bausteins (7) durch die Aussparungen (11)

des Kunststoffsubstrats (10) hindurch hergestellt werden,

wobei der Bereich (21) zwischen Kunststoffsubstrat (10)

und IC-Baustein (7) mit einer aushärtbaren dielektrischen

Flüssigkeit (17) ausgefüllt wird."

Der Patentanspruch 2 nach Hauptantrag lautet:

"Verfahren zur Herstellung eines Trägerelementes (4) für einen IC-Baustein (7) zum Einbau in Chipkarten (1), wobei das

Trägerelement (4) auf einem elektrisch isolierenden Kunststoffsubstrat (10) leitfähige Kontaktflächen aufweist, die mit

entsprechenden Anschlussstellen (8) des IC-Bausteins (7) leitend verbunden sind, dass

in einem ersten Schritt ein Kunststoffsubstrat (10) mit zu

den Anschlussstellen – ("11" lies:) - (8) des IC-Bausteins (7)

korrespondierenden Aussparungen (11) bereitgestellt wird,

in einem zweiten Schritt der IC-Baustein (7) mit seiner die

Anschlussstellen (8) aufweisenden Seite auf dem Kunststoffsubstrat (10) mittels eines Klebers (14) fixiert wird, dass

die Anschlussstellen (8) positionsgenau zu den Aussparungen (11) im Kunststoffsubstrat (10) angeordnet sind,

in einem dritten Schritt unter Verwendung einer Abdeckfolie (12), die nach Fertigstellung der Kontaktflächen (5) wieder entfernt wird, durch Aufbringen ("einer nach elektrisch"

lies:) einer elektrisch leitfähigen Paste oder Flüssigkeit (18)

auf die von der Abdeckfolie (12) unverdeckten Bereiche (13) des Kunststoffsubstrats (10) die elektrisch leitfähigen Kontaktflächen (5) unter Ausbildung von elektrisch leitenden Verbindungen (20) zu den Anschlussstellen (8) des

IC-Bausteins (7) durch die Aussparungen (11) im Kunststoffsubstrat (10) hindurch hergestellt werden, wobei der

Bereich (21) zwischen Kunststoffsubstrat (10) und IC-Baustein (7) mit einer aushärtbaren dielektrischen Flüssigkeit (17) ausgefüllt wird."

Der Patentanspruch 1 nach Hilfsantrag lautet:

"Verfahren zur Herstellung eines Trägerelementes (4) für einen IC-Baustein (7) zum Einbau in Chipkarten (1), wobei das

Trägerelement (4) auf einem elektrisch isolierenden Kunststoffsubstrat (10) leitfähige Kontaktflächen (5) aufweist, die mit

entsprechenden Anschlussstellen (8) des IC-Bausteins (7) leitend verbunden sind, dass

in einem ersten Schritt ein Kunststoffsubstrat (10) mit zu

den Anschlussstellen (8) des IC-Bausteins (7) korrespondierenden Aussparungen (11) bereitgestellt wird,

in einem zweiten Schritt der IC-Baustein (7) mit seiner die

Anschlussstellen (8) aufweisenden Seite auf dem Kunststoffsubstrat (10) mittels eines Klebers (14) fixiert wird, dass

die Anschlussstellen (8) positionsgenau zu den Aussparungen (11) im Kunststoffsubstrat (10) angeordnet sind,

in einem dritten Schritt unter Verwendung einer Abdeckfolie (12), die nach Fertigstellung der Kontaktflächen (5) wieder entfernt wird, durch Abscheidung eines Metalls (19) aus

der Gasphase auf die von der Abdeckfolie (12) unverdeckten Bereiche (13) des Kunststoffsubstrats (10) die elektrisch

leitfähigen Kontaktflächen (5) unter Ausbildung von elektrisch leitenden Verbindungen (20) zu den Anschlussstellen (8) des IC-Bausteins (7) durch die Aussparungen (11)

des Kunststoffsubstrats (10) hindurch hergestellt werden,

wobei der Bereich (21) zwischen Kunststoffsubstrat (10)

und IC-Baustein (7) mit einer aushärtbaren dielektrischen

Flüssigkeit (17) ausgefüllt wird, und dass der IC-Baustein (7) mit einer Vergussmasse zur Ausbildung eines

schützenden Gehäuses (6) überzogen wird."

Der Patentanspruch 2 nach Hilfsantrag lautet:

"Verfahren zur Herstellung eines Trägerelementes (4) für einen IC-Baustein (7) zum Einbau in Chipkarten (1), wobei das

Trägerelement (4) auf einem elektrisch isolierenden Kunststoffsubstrat (10) leitfähige Kontaktflächen (5) aufweist, die mit

entsprechenden Anschlussstellen (8) des IC-Bausteins (7) leitend verbunden sind, dass

in einem ersten Schritt ein Kunststoffsubstrat (10) mit zu

den Anschlussstellen – ("11" lies:) - (8) des IC-Bausteins (7)

korrespondierenden Aussparungen (11) bereitgestellt wird,

in einem zweiten Schritt der IC-Baustein (7) mit seiner die

Anschlussstellen (8) aufweisenden Seite auf dem Kunststoffsubstrat (10) mittels eines Klebers (14) fixiert wird, dass

die Anschlussstellen (8) positionsgenau zu den Aussparungen (11) im Kunststoffsubstrat (10) angeordnet sind,

in einem dritten Schritt unter Verwendung einer Abdeckfolie (12), die nach Fertigstellung der Kontaktflächen (5) wieder entfernt wird, durch Aufbringen ("einer nach elektrisch"

lies:) einer elektrisch leitfähigen Paste oder Flüssigkeit (18)

IC-Bausteins (7) durch die Aussparungen (11) im Kunststoffsubstrat (10) hindurch hergestellt werden, wobei der

Bereich (21) zwischen Kunststoffsubstrat (10) und IC-Baustein (7) mit einer aushärtbaren dielektrischen Flüssigkeit (17) ausgefüllt wird, und dass der IC-Baustein (7) mit

einer Vergussmasse zur Ausbildung eines schützenden Gehäuses (6) überzogen wird."

Zur Begründung ihrer Beschwerde trägt die Patentinhaberin vor, daß die in den

Ansprüchen 1 und 2 nach Haupt- und Hilfsantrag enthaltene Verwendung einer

Abdeckfolie eine besondere Flexibilität bei der Gestaltung der Kontaktflächen erlaube. Des weiteren bringe die in die Ansprüche 1 und 2 nach Haupt- und Hilfsantrag aufgenommene Kombination von Kleber und dielektrischer Flüssigkeit besondere Vorzüge hinsichtlich der Fixierung des IC-Bausteins auf einem ebenen

Kunststoffsubstrat. Durch die angesprochenen Maßnahmen beruhten die Gegenstände der Ansprüche 1 und 2 nach Hauptantrag auf erfinderischer Tätigkeit. Die

in die Ansprüche 1 und 2 nach Hilfsantrag zusätzlich aufgenommene Maßnahme

der Ausbildung eines schützenden Gehäuses um den IC-Baustein erhöhe noch

den erfinderischen Abstand zum Stand der Technik.

Die Patentinhaberin stellt den Antrag,

den angefochtenen Beschluss aufzuheben und das Patent

198 45 665 mit folgenden Unterlagen aufrechtzuerhalten:

mit Hauptantrag bezeichnete Patentansprüche 1 bis 3, überreicht in der mündlichen Verhandlung am 11. Juni 2002,

hilfsweise mit Hilfsantrag bezeichnete Patentansprüche 1

und 2, überreicht

in der mündlichen Verhandlung am

11. Juni 2002,

und jeweils Beschreibung und Zeichnungen gemäß der Patentschrift.

Die Einsprechende beantragt,

die Beschwerde zurückzuweisen.

Sie hält die Gegenstände der Patentansprüche für nicht patentfähig, da sie im Hinblick auf den im Verfahren befindlichen Stand der Technik nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit beruhten.

II.

Die frist- und formgerecht eingelegte Beschwerde ist zulässig. Sie hat in der Sache aber keinen Erfolg, da keine rechtsbeständige Erfindung vorliegt, §§ 1, 4, 21

Abs. 1 Nr. 1 PatG.

Das Patent bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Trägerelementes

für einen IC-Baustein zum Einbau in Chipkarten. Die diesbezügliche patentgemäße Aufgabe wird darin gesehen, ein Verfahren zu schaffen, mit dem Trägerelemente für IC-Bausteine zur Verwendung in Chipkarten einfach, kostengünstig und

zuverlässig unter Fixierung des IC-Bausteins an ein ebenes Kunststoffsubstrat

herzustellen sind, wobei mit diesem Verfahren außerdem eine geringe Bauhöhe

des Trägerelementes erreicht werden soll.

Die jeweils eine unabhängige Lösung dieser Aufgabe vermittelnden Ansprüche 1

und 2 nach Hauptantrag lassen sich wie folgt in Merkmale gliedern:

Anspruch 1 nach Hauptantrag:

a) Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements (4) für einen

IC-Baustein (7) zum Einbau in Chipkarten (1), wobei das

Trägerelement (4) auf einem elektrisch

isolierenden

Kunststoffsubstrat (10) leitfähige Kontaktflächen (5) aufweist,

die mit entsprechenden Anschlussstellen (8) des

IC-

Bausteins (7) leitend verbunden sind, dass

in einem ersten Schritt ein Kunststoffsubstrat (10) mit zu den

Anschlussstellen (8)

des

IC-Bausteins (7)

korrespondierenden Aussparungen (11) bereitgestellt wird,

in einem zweiten Schritt der IC-Baustein (7) mit seiner die

Anschlussstellen (8)

aufweisenden Seite

auf

dem

Kunststoffsubstrat (10) mittels eines Klebers (14) fixiert wird,

dass die Anschlussstellen (8) positionsgenau zu den

Aussparungen (11) im Kunststoffsubstrat (10) angeordnet

sind,

in einem dritten Schritt

d1) unter Verwendung einer Abdeckfolie (12), die nach

Fertigstellung der Kontaktflächen (5) wieder entfernt wird,

d2) durch Abscheidung eines Metalls (19) aus der Gasphase

d3) auf die von der Abdeckfolie (12) unverdeckten Bereiche (13)

des Kunststoffsubstrats (10)

d4) die elektrisch leitfähigen Kontaktflächen (5)

d5) unter Ausbildung von elektrisch leitenden Verbindungen (20)

zu den Anschlussstellen (8) des IC-Bausteins (7) durch die

Aussparungen (11)

im Kunststoffsubstrat

(10) hindurch

hergestellt werden,

d6) wobei der Bereich (21) zwischen Kunststoffsubstrat (10) und

IC-Baustein (7) mit einer aushärtbaren dielektrischen

Flüssigkeit (17) ausgefüllt wird.

Anspruch 2 nach Hauptantrag ist gegenüber Anspruch 1 insoweit abgeändert, als

Merkmal d2) den folgenden Wortlaut hat:

d2) "durch Aufbringen einer elektrisch leitfähigen Paste oder

Flüssigkeit (18)".

Die unabhängigen Ansprüche 1 und 2 nach Hilfsantrag weisen jeweils zusätzlich

folgendes Merkmal auf:

d7) "und dass der IC-Baustein (7) mit einer Vergußmasse zur

Ausbildung eines schützenden Gehäuses (6) überzogen

wird".

Im Prüfungs- und Einspruchsverfahren sind folgende Druckschriften herangezogen worden:

1) DE 196 32 113 C1

2) DE 692 19 488 T2

3) US 4 952 420

4) US 4 731 645 und

5) DE 30 29 667 C2

Aus Druckschrift 4 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für einen IC-Baustein 5 zum Einbau in Chipkarten (Sp. 1, Z. 20-29; Sp. 6, Z. 3 - 8) bekannt, wobei das Trägerelement auf einem elektrisch isolierenden Kunststoffsubstrat 2 leitfähige Kontaktflächen 9 aufweist, die mit entsprechenden Anschlussstellen 3 des IC-Baustein 5 verbunden sind (Fig. 4).

Beim bekannten Verfahren wird zunächst ein Kunststoffsubstrat 2 - beispielsweise

aus Epoxy-Material (Sp. 4, Z. 12, 13) - mit zu den Anschlussstellen 3 des IC-Bausteins 5 korrespondierenden Aussparungen 4 bereitgestellt und nachfolgend der

IC-Baustein 5 mit seiner die Anschlussstellen 3 aufweisenden Seite derart mit dem

Kunststoffsubstrat in Verbindung gebracht, daß die Anschlussstellen 3 positionsgenau zu den Aussparungen 4 im Kunststoffsubstrat angeordnet sind (Sp. 2,

Z. 35-45; Sp. 5, Z. 39-48; Sp. 8, Z. 5-16). Für die nachfolgende Aufbringung der

leitenden Kontaktflächen 9 und der damit in Zusammenhang stehenden Ausbildung der elektrisch leitenden Verbindungen zu den Anschlussstellen 3 des IC-

Bausteins 5, wozu leitendes Material auf Polymerbasis (leitfähige Paste) Verwendung findet (Sp. 8, Z. 3, 4; Sp. 5, Z. 46), das bevorzugt mittels Siebdruck verarbeitet wird (Sp. 5, Z. 48, 49), werden IC-Baustein und Kunststoffsubstrat gegeneinander mit bekannten mechanischen Mitteln fixiert (Sp. 4, Z. 61 ff.). Die Fixierung

kann hierbei auch über den Aufbringvorgang hinaus bestehen (Sp. 5, Z. 12-18).

Von diesem aus Druckschrift 4 bekannten Verfahren zur Herstellung eines Trägerelementes unterscheidet sich jenes nach Anspruch 1 gemäß Hauptantrag insoweit, als

in Merkmal c) konkret angegeben ist, daß die Fixierung des IC-

Bausteins auf dem Kunststoffsubstrat mittels eines Klebers

erfolgt,

- nach den Merkmalen d1) bis d3) die leitenden Kontaktflächen

und Verbindungen mittels Abdeckfolie und Abscheidung eines

Metalls aus der Gasphase hergestellt werden, und

- nach Merkmal d6) der Bereich zwischen dem Kunststoffsubstrat

und dem IC-Baustein mit einer aushärtbaren dielektrischen

Flüssigkeit ausgefüllt wird.

Diese Unterschiede lassen das Verfahren nach Anspruch 1 gemäß Hauptantrag

jedoch nicht auf erfinderischer Tätigkeit beruhen, da die entsprechenden Maßnahmen dem Fachmann - einem Fachhochschul-Ingenieur der Fachrichtung Elektronik mit mehrjähriger Berufserfahrung auf dem Gebiet der Chipkartentechnik - aus

dem vorstehend genannten Stand der Technik bekannt sind und ihr Einsatz bei

dem Verfahren gemäß Druckschrift 4 eine Aneinanderreihung von für den Fachmann vorhersehbaren Wirkungen ohne synergistische Effekte hervorruft.

Aus Druckschrift 4 ist es - wie oben erwähnt - bereits bekannt, den IC-Baustein

dauerhaft bezüglich des Kunststoffsubstrates zu fixieren. Dieses mittels eines Klebers vorzunehmen, ist für den Fachmann beispielsweise durch Druckschrift 1,

Sp. 3, Z. 7-19, nahegelegt.

Die in den Merkmalen d1) bis d3) enthaltene Herstellung der leitfähigen Kontaktflächen und elektrisch leitenden Verbindungen zu den Anschlussstellen des IC-

Bausteins mittels Abscheidung eines Metalls aus der Gasphase anstelle der Verwendung einer elektrisch leitfähigen Paste gemäß Druckschrift 4 beruht im Hinblick auf Druckschrift 3 ebenfalls nicht auf erfinderischer Tätigkeit. Druckschrift 3

beschreibt die Aufbringung von Leiterbahnmustern auf ein Substrat durch Aufdampfen von Metall (PVD oder CVD / Physical bzw. Chemical Vapor Deposition,

Sp. 3, Z. 55), also durch Abscheidung eines Metalls aus der Gasphase. Hierbei

wird eine Abdeckmaske oder Abdeckfolie (Sp. 6, Z. 23 - 43; Sp. 7, Z. 35 - 52) verwendet, die während des eigentlichen Aufdampfens auf dem Substrat aufliegt und

später wieder entfernt wird (Sp. 3, Z. 64 - Sp. 4, Z. 31, insbesondere Z. 28 - 29).

Als beschichtungsgeeignete Substrate für die Aufbringung von leitenden Bahnen

werden diverse Arten von Kunststoffsubstraten aufgezählt (Sp. 3, Z. 17-23). Die in

Druckschrift 3 beschriebene Methode der Abscheidung von Metall aus der Gasphase wird insoweit als besonders vorteilhaft beschrieben, als gleichzeitig mit der

Herstellung der gewünschten Kontaktflächen auf dem entsprechenden Substrat

auch die Durchkontaktierung der Aussparungen im Substrat erfolgt (Sp. 2,

Z. 25-40; Sp. 6, Z. 63 bis Sp. 7, Z. 4). Durch diese in Druckschrift 3 aufgezeigten

Vorzüge wird dem Fachmann vor Augen geführt, dass bei dem aus Druckschrift 4

bekannten Verfahren zur Herstellung eines Trägerelementes anstelle der dort beschriebenen Verwendung von leitfähigem Material auf Polymerbasis auch die

Methode der Abscheidung eines Metalls aus der Gasphase mit Vorteil einsetzbar

ist. Zur Anwendung der in der beanspruchten Lehre enthaltenen Verfahrensschritten d1) bis d3) ist somit, wie bereits erwähnt, keine erfinderische Tätigkeit erforderlich.

Zum Merkmal d6) des Anspruchs 1 nach Hauptantrag ist nochmals auf die Druckschrift 1 zu verweisen. Zur Erreichung des dort angesprochenen Zieles, nämlich

der Herstellung einer u.a. den Biegebelastungen genügende Chipkarte (Sp. 2,

Z. 25-31) wird - zusätzlich zu der oben angesprochenen Klebefixierung des IC-

Bausteins am Substrat - eine dünne Isolationsschicht aus einem Werkstoff mit

Dielektrikumseigenschaften im Bereich zwischen dem IC-Baustein und den zugeordneten Kontaktflächen 3 vorgesehen (Sp. 4, Z. 7-15; Sp. 5, Z. 5 - 9; Figur 1, Bezugsziffer 9). Hierdurch werden der mechanischen Stabilität abträgliche Leerräume zwischen den jeweiligen Kontaktanschlüssen 11 vermieden. Es liegt somit

nahe, eine vergleichbare Maßnahme entsprechend Merkmal d6) ebenfalls zur Vermeidung von Leerräumen beim Verfahren nach Anspruch 1 gemäß Hauptantrag

vorzusehen.

Das von der Patentinhaberin vorgetragene Argument, die nach der Lehre des Anspruchs 1 gemeinsam getroffenen Maßnahmen der Fixierung des IC-Bausteins

mittels Kleber am Substrat und der Ausfüllung des (verbleibenden) Bereichs zwischen IC-Baustein und Substrat mit einer aushärtbaren dielektrischen Flüssigkeit

wirke besonders vorteilhaft bei einem ebenen Substrat, war nicht zu beachten, da

eine ebene Ausgestaltung des Substrates nicht Bestandteil der beanspruchten

Lehre ist.

Um zum Gegenstand des Anspruchs 1 nach Hauptantrag zu kommen, war für den

Fachmann aus den aufgezeigten Gründen keine erfinderische Tätigkeit erforderlich. Dieser Anspruch ist somit nicht rechtsbeständig. Da über einen Antrag nur

einheitlich entschieden werden kann, sind auch die Ansprüche 2 und 3 nach

Hauptantrag nicht rechtsbeständig.

Die in den Anspruch 1 nach Hilfsantrag zusätzlich aufgenommene Maßnahme

nach Merkmal d7), betreffend den Überzug des IC-Bausteins mit einer Vergußmasse zur Ausbildung eines schützenden Gehäuses, wird dem Fachmann durch

Druckschrift 4 nahegelegt. Dort ist die Umhüllung des IC-Bausteins bereits angesprochen, nämlich in Sp. 5, Z. 12-18 unter Verwendung von Vergußmasse und in

Sp. 6, Z. 16-19 unter Verwendung von entsprechend verklebten Plättchen.

Folglich beruht auch der Gegenstand des Anspruchs 1 nach Hilfsantrag nicht auf

erfinderischer Tätigkeit. Dieser Anspruch ist somit zusammen mit dem zum Hilfsantrag gehörenden Anspruch 2 ebenfalls nicht rechtsbeständig.

Die Beschwerde der Patentinhaberin war daher zurückzuweisen.

Grimm

Dr. Schmitt

Dr. Greis

Schuster