BPatG Beschluss vom 02.03.2021 – 23 W (pat) 21/19

BUNDESPATENTGERICHT

23 W (pat) 21/19 _______________________

(Aktenzeichen)

Verkündet am

2. März 2021

…

B E S C H L U S S

In der Beschwerdesache

…

betreffend die Patentanmeldung 102 13 358.1

hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf

die mündliche Verhandlung vom 2. März 2021 unter Mitwirkung des Vorsitzenden

Richters Dr. Strößner sowie der Richter Dr. Friedrich, Dr. Himmelmann und

Dr. Kapels

ECLI:DE:BPatG:2021:020321B23Wpat21.19.0

beschlossen:

1.

Der Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des

Deutschen Patent- und Markenamts vom 14. Mai 2019 wird

aufgehoben.

2.

Es wird ein Patent erteilt mit der geänderten Bezeichnung

„Licht emittierende III-Nitrid-Anordnung und Verfahren zu deren

Herstellung“,

dem Anmeldetag

26. März

unter

Inanspruchnahme der Priorität US 09823823 vom 29. März 2001

auf der Grundlage folgender Unterlagen:

- Patentansprüche 1 bis 11,

- Beschreibungsseiten 1 bis 15, jeweils überreicht in der

mündlichen Verhandlung am 2. März 2021;

- 11 Blatt Zeichnungen (Seiten 1/11 bis 11/11) mit Figuren 1 bis

5, 6A, 6B, 6C, 7 bis 10, 11A, 11B, 12 und 13, eingegangen im

Deutschen Patent- und Markenamt am Anmeldetag.

G r ü n d e

I.

Die vorliegende Anmeldung mit dem Aktenzeichen 102 13 358.1 wurde am

26. März 2002 mit

der

ursprünglichen Bezeichnung

„Indiumgalliumnitrid-

Glättungsstrukturen für III-Nitrid-Anordnungen“ unter Inanspruchnahme der US-

Priorität … beim Deutschen Patent- und Markenamt eingereicht und am 10. Oktober

2002 mit der DE 102 13 358 A1 offengelegt. Prüfungsantrag wurde wirksam am 22.

Januar 2009 gestellt.

Die Prüfungsstelle für Klasse H01L hat im Prüfungsverfahren auf den Stand der

Technik gemäß den Druckschriften

D1

D2

D3

US 5 793 054 A

GB 2 338 107 A

JP 11-008 437 A

D4 WO 1997/ 050 133 A1

D5

D6

D7

D8

D9

JP 2000 - 261 035 A (mit englischer Maschinenübersetzung)

JP 2000 - 216 432 A (mit englischer Maschinenübersetzung)

EP 1 039 555 A1

CA 2 322 490 A1

JP 2000 - 332 288 A (mit englischer Maschinenübersetzung)

D10

JP H11 - 54 794 A (mit englischer Maschinenübersetzung)

verwiesen und im ersten Prüfungsbescheid vom 6. Dezember 2013 u. a. darauf

hingewiesen, dass die Licht emittierenden Anordnungen der selbständigen

ursprünglichen Ansprüche 1, 10 und 13 nicht neu seien hinsichtlich der

Druckschriften D1 bzw. D2. Mit Eingabe vom 3. April 2014 hat die Anmelderin einen

neuen Anspruchssatz vorgelegt, zu dem die Prüfungsstelle mit Bescheid vom

19. Juli 2018 ausgeführt hat, dass auch die Licht emittierenden Bauelemente der

selbständigen Ansprüche 1, 10 und 13 nicht neu seien hinsichtlich der

Druckschriften D5, D2 bzw. D8 und dass für die Herstellungsverfahren nach den

Ansprüchen 23 und 24 das Gleiche wie zu den Ansprüchen 1 und 13 gelte. In der

weiteren Eingabe vom 14. Januar 2019 hat die Anmelderin einen abgeänderten

Anspruchssatz eingereicht, woraufhin die Prüfungsstelle zur Anhörung am

14. Mai 2019 geladen und im beigelegten Zusatz dargelegt hat, dass die Licht

emittierenden Anordnungen der neuen selbständigen Ansprüche 1, 8 und 11 aus

Druckschrift D8 bzw. D2 bekannt seien und dem Fachmann die Anordnung des

Anspruchs 1 auch durch die Druckschriften D5 und D6 nahegelegt werde. Zudem

ergebe sich das Verfahren des Anspruchs 20 für den Fachmann in naheliegender

Weise ausgehend von Druckschrift D5 in Verbindung mit einer der Druckschriften

D6 oder D7, und das Verfahren des Anspruchs 21 sei nicht neu hinsichtlich

Druckschrift D8.

Zum Ende der am 14. Mai 2019 durchgeführten Anhörung, zu der die Anmelderin

entsprechend ihrer Eingabe vom 3. Mai 2019 nicht erschienen war, hat die

Prüfungsstelle die Anmeldung aus den im Ladungszusatz dargelegten Gründen

zurückgewiesen.

Gegen diesen der Anmelderin am 17. Mai 2019 zugestellten Beschluss richtet sich

die am 6. Juni 2019 beim Deutschen Patent- und Markenamt elektronisch

eingegangene Beschwerde mit der nachgereichten Beschwerdebegründung vom

22. Januar 2021.

In der mündlichen Verhandlung am 2. März 2021 hat die Anmelderin einen neuen

Anspruchssatz vorgelegt.

Sie beantragt:

1.

den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen

Patent- und Markenamts vom 14. Mai 2019 aufzuheben.

2.

Ein Patent zu erteilen mit der geänderten Bezeichnung „Licht

emittierende

III-Nitrid-Anordnung

und Verfahren zu deren

Herstellung“,

dem Anmeldetag

26. März

unter

Inanspruchnahme der Priorität US 09823823 vom 29. März 2001

auf der Grundlage folgender Unterlagen:

-

-

-

Patentansprüche 1 bis 11,

Beschreibungsseiten 1 bis 15, jeweils überreicht in der

mündlichen Verhandlung am 2. März 2021;

11 Blatt Zeichnungen (Seiten 1/11 bis 11/11) mit Figuren 1 bis

5, 6A, 6B, 6C, 7 bis 10, 11A, 11B, 12 und 13, eingegangen im

Deutschen Patent- und Markenamt am Anmeldetag.

Die in der mündlichen Verhandlung eingereichten selbständigen Ansprüche 1 und

8 haben folgenden Wortlaut:

1.

Licht emittierende III-Nitrid-Anordnung mit:

-

-

-

einem Substrat (11);

einem über dem Substrat (11) liegenden n-Gebiet (12);

einer über dem n-Gebiet (12) liegenden Indium enthaltenden

Glättungsschicht (14, 60)

· wobei die Glättungsschicht (14, 60) eine sich verändernde

Dotierstoff-Konzentration aufweist und

· wobei sich der Anteil an Indium in der Glättungsschicht (14,

60) monoton verändert,

-

einer über der Glättungsschicht (14, 60) liegenden Spacerschicht

(15) mit konstanter Dotierstoffkonzentration und konstanter

Zusammensetzung,

einem über der Spacerschicht (15) liegenden aktiven Gebiet (16)

und

einem über dem aktiven Gebiet (16) liegenden p-Gebiet (17).

-

-

8.

Verfahren zum Bilden einer Licht emittierenden III-Nitrid-Anordnung

gemäß wenigstens einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das

Verfahren umfasst:

- Aufwachsen eines über einem Substrat (11) liegenden n-Gebietes

(12);

- Aufwachsen einer über dem n-Gebiet (12) liegenden Indium

enthaltenen Glättungsschicht (14, 60) mit einem sich monoton

verändernden Anteil an Indium und einer sich verändernden

Dotierstoffkonzentration,

- Aufwachsen einer über der Glättungsschicht (14,60) liegenden

Spacerschicht (15) mit einer konstanten Dotierstoffkonzentration

und einer konstanten Zusammensetzung,

- Aufwachsen eines über der Spacerschicht (15) liegenden aktiven

Gebiets (16) und

- Aufwachsen eines über dem aktiven Gebiet (16) liegenden p-

Gebiets (17),

wobei der sich verändernde Anteil an Indium in der Glättungsschicht

(14, 60) durch Verändern des Indium-Anteils auf monotone Weise

während des Aufwachsens der Glättungsschicht (14, 60) erreicht wird

und wobei während des Aufwachsens der Glättungsschicht (14, 60)

deren Dotierstoffkonzentration verändert wird.

Hinsichtlich der abhängigen Ansprüche 2 bis 7 und 9 bis 11 sowie der weiteren

Unterlagen und Einzelheiten wird auf den Akteninhalt verwiesen.

II.

Die form- und fristgerecht erhobene Beschwerde der Anmelderin ist zulässig und

erweist sich nach dem Ergebnis der mündlichen Verhandlung vom 2. März 2021

auch als begründet. Sie führt zur Aufhebung des Beschlusses der Prüfungsstelle für

Klasse H01L vom 14. Mai 2019 und zur Erteilung des Patents gemäß dem in der

mündlichen Verhandlung gestellten Antrag (§ 79 Abs. 1 PatG i. V. m. § 49 Abs. 1

PatG), denn die geltenden Patentansprüche sind zulässig (§ 38 PatG), und ihre

gewerblich anwendbare Lehre (§ 5 PatG) ist auch patentfähig (§§ 1 bis 4 PatG).

Als Fachmann

ist hier ein Physiker oder Elektrotechnikingenieur mit

Hochschulabschluss und Erfahrung im Bereich der Entwicklung GaN-basierter

Leuchtdioden zu definieren.

1.

Die Anmeldung betrifft eine Licht emittierende Halbleiterdiode (LED).

Deren Funktionsprinzip besteht darin, dass eine n-dotierte mit einer p-dotierten

Halbleiterschicht in Kontakt gebracht und an der entstandenen pn-Halbleiterdiode

in Durchlassrichtung eine Spannung angelegt wird, wodurch die Elektronen des

n-Halbleiters mit den Löchern des p-Halbleiters rekombinieren und bei geeigneten

Materialien Licht emittiert wird. Zur Erhöhung der Lichtemission wird bei

hocheffizienten LEDs eine aktive Schicht an der Grenzfläche zwischen dem n- und

p-Halbleiter eingefügt, die eine Abfolge unterschiedlicher Halbleiterschichten

umfasst, die

sog. Heterostrukturen bilden und den Elektron-Loch-

Rekombinationsprozess unterstützen.

Bevorzugte Materialsysteme für die Herstellung hocheffizienter und lichtstarker

LEDs mit einem Emissionsspektrum im sichtbaren Spektralbereich sind Halbleiter

der Gruppe

III-V,

insbesondere

binäre,

ternäre

und

quaternäre

Verbindungshalbleiter aus Gallium, Aluminium, Indium und Stickstoff, die auch als

III-Nitridmaterialien bezeichnet werden. Typischerweise werden

solche

III--Nitridschichten auf Saphir-, Siliciumcarbid- oder Galliumnitridsubstraten

epitaktisch aufgewachsen, wobei Saphirsubstrate trotz ihrer relativ schlechten

strukturellen und thermischen Anpassung an III-Nitridschichten besonders häufig

verwendet werden, da Saphirkristalle (Al2O3) zur hexagonalen Symmetriegruppe

gehören und mit atomar glatter Oberfläche hinreichend kostengünstig verfügbar

sowie einfach handhabbar und gut zu reinigen sind.

Für eine hohe Lichtausbeute ist die Qualität der Schichtgrenzflächen zwischen den

einzelnen Schichten ausschlaggebend und dabei insbesondere die Qualität der

Schichtgrenzflächen unter und in dem aktiven Gebiet. Diese hängt in starkem Maß

von dem Zustand der Aufwachsfläche ab, wobei eine unzureichende Reinheit oder

Orientierung der Substratoberfläche sowie schlechte Aufwachsbedingungen und

Verunreinigungen zu einer schlechten Aufwachsqualität führen.

Ein mögliches Verfahren für die Bereitstellung von GaN-Schichten mit glatter

Oberflächenmorphologie besteht darin, zunächst eine dicke GaN-Schicht bei einer

hohen Temperatur von ungefähr 1100 °C und unter hohen molaren

Gasphasenkonzentrationsverhältnissen

von Gruppe-V-Gruppe-III-Elementen

aufzuwachsen. Denn derart aufgewachsene GaN-Schichten haben im Vergleich zu

unter Standard-Aufwachsbedingungen aufgewachsenen GaN-Schichten ein hohes

Verhältnis der lateralen zur vertikalen Aufwachsgeschwindigkeit, was es den GaN-

Schichten ermöglicht, über raue Oberflächen hin zu wachsen und eine glatte

Oberfläche für das Aufwachsen nachfolgender Schichten auszubilden. Um jedoch

eine glatte, plane Oberfläche zu erhalten, müssen auf diese Weise aufgewachsene

GaN-Schichten dick sein, was eine lange Aufwachsdauer erfordert.

Vor diesem Hintergrund liegt der Anmeldung als technisches Problem die Aufgabe

zugrunde, eine Licht emittierende III-Nitrid-Anordnung mit einer guten Qualität der

Schichtgrenzflächen unter und in dem aktiven Gebiet bei einer reduzierten

Aufwachsdauer sowie ein zugehöriges Herstellungsverfahren zur Verfügung zu

stellen, vgl. Seite 1 bis Seite 2, erster Absatz der Beschreibung.

Gelöst wird diese Aufgabe durch die Licht emittierende III-Nitrid-Anordnung des

Anspruchs 1 und das zugehörige Herstellungsverfahren nach Anspruch 8.

Wie

in Fig. 1 der Anmeldung

dargestellt, weist die beanspruchte III-

Nitrid LED ein Substrat (11) aus bspw.

Saphir, ein über dem Substrat (11)

liegendes n-Gebiet (12), eine darüber

angeordnete und Indium enthaltende

Glättungsschicht

(14)

sowie die

darüber befindliche Schichtenfolge

aus Spacerschicht

(15), aktivem

Gebiet (16) und p-Gebiet (17) auf.

Dabei umfassen die III-Nitrid-Anordnungen gemäß Beschreibungsseite 3, Zeilen 17

bis 21, Halbleiterschichten mit der Zusammensetzung AlxGayIn1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1,

0≤x+y≤1), die Elemente der Gruppe III, wie z.B. Bor und Thallium enthalten können

und in denen ein Teil des Stickstoffs durch Phosphor, Arsen, Antimon oder Wismut

ersetzt werden kann. Zudem können die Schichten mit einem Dotierstoff dotiert

sein, bspw. mit Silizium, vgl. Seite 4, Zeilen 15 bis 17. Die Anmeldung unterscheidet

somit zwischen der Zusammensetzung der Halbleiterschichten, die durch eine

Variation der die Zusammensetzung bestimmenden Elemente (Al, Ga, In, N, B, Tl,

P, As, Sb, Bi) geändert werden kann, und der Dotierstoffkonzentration, die durch

eine Variation des Dotierstoffs (Si) geändert werden kann.

Für die beanspruchte Anordnung und das zugehörige Herstellungsverfahren ist

demnach wesentlich, dass die Glättungsschicht

(14) eine sich verändernde

Dotierstoff-Konzentration aufweist und sich der Anteil an

Indium

in der

Glättungsschicht (14) monoton verändert, wohingegen die Spacerschicht (15) mit

einer konstanten Dotierstoffkonzentration und einer konstanten Zusammensetzung

ausgebildet ist.

Fig. 6A zeigt Beispiele für den Verlauf des

Indium-Anteils in Aufwachsrichtung im n-

Gebiet (12), im Glättungsgebiet (14), in der

Spacerschicht (15) und im aktiven Gebiet

(16), wobei lediglich die in den Kurven B, C

und D dargestellten Verläufe von der

beanspruchten Anordnung umfasst sind, da

die Kurven A, E und F keinen in der

Glättungsschicht

(14)

sich monoton

verändernden Indium-Anteil bei gleichzeitig

konstanter

Zusammensetzung

der

Spacerschicht (15) wiedergeben und bei den

Beispielen E und F keine Spacerschicht ausgebildet ist.

Ähnliches gilt für den in Fig. 6B anhand

verschiedener Dotierungsprofile gezeigten

Verlauf der Dotierungskonzentration

in

Aufwachsrichtung

im n-Gebiet

(12),

im

Glättungsgebiet (14) und in der Spacerschicht

(15). So wird

lediglich der

in Kurve B

dargestellte Dotierungsverlauf

von

der

beanspruchten Anordnung umfasst, da nur bei

diesem Beispiel die Glättungsschicht (14) eine

sich verändernde Dotierstoff-Konzentration

aufweist und gleichzeitig eine Spacerschicht

(15) mit konstanter Dotierstoffkonzentration

vorhanden

ist.

Wie in den Kurven A und B von Fig. 6C

dargestellt, kann sich der Indium-Anteil in der

Glättungsschicht zwar linear (A) oder nicht linear,

bspw. parabolisch steigend (B), ändern, jedoch

ist von der beanspruchten Anordnung eine in den

Kurven C bis F gezeigte stufenförmige Änderung

des Indium-Anteils in der Glättungsschicht nicht

umfasst, da dies anmeldungsgemäß keine

monotone Veränderung darstellt.

Für das nebengeordnete Herstellungsverfahren

des Anspruchs 8 gelten dies Erläuterungen in

gleicher Weise.

2.

Der in der Verhandlung überreichte Anspruchssatz ist zulässig (§ 38 PatG), da

die darin beanspruchte Anordnung und das zugehörige Herstellungsverfahren in

den ursprünglichen Unterlagen offenbart sind.

Die den Schichtaufbau der Anordnung bzw. des Verfahrens nach den Ansprüchen

1 und 8 betreffenden Merkmale sind in den Figuren 1 und 2 sowie der Beschreibung

auf Seite 3, Zeile 14 bis Seite 4, Zeile 6 offenbart, und die den Anteils- und

Dotierungsverlauf betreffenden Präzisierungen finden sich im zweiten Absatz der

ursprünglichen Beschreibungsseite 6. Die abhängigen Ansprüche 2 bis 7 und 9 bis

11 sind die angepassten ursprünglichen abhängigen Ansprüche 3, 7 bis 9, 16, 19,

25, 26 und 28, wobei eine Kombination der ursprünglich auf unterschiedliche

Nebenansprüche rückbezogenen Unteransprüche vorliegend zulässig ist, da auf

Seite 6, zweiter Absatz eine gleichzeitige Änderung der Dotierstoff- und

Indiumkonzentration in der Glättungsschicht offenbart ist.

3.

Die Lehren der Ansprüche 1 und 8 sind für den Fachmann ausführbar (§ 34

Abs. 4 PatG), da bereits deren Wortlaut mit den Zeichnungen ausreichend ist, um

dem Fachmann eine nacharbeitbare Lehre anzugeben und

zudem

Ausführungsbeispiele im Zusammenhang mit den Figuren 1, 2 und 6A bis 6C die

beanspruchte Anordnung sowie das zugehörige Herstellungsverfahren näher

beschreiben.

4.

Die gewerblich anwendbare (§ 5 PatG) Anordnung nach Anspruch 1 und das

Herstellungsverfahren nach Anspruch 8 sind gegenüber dem ermittelten Stand der

Technik neu (§ 3 PatG) und beruhen diesem gegenüber auf einer erfinderischen

Tätigkeit (§ 4 PatG) des Fachmanns, so dass sie gegenüber diesem Stand der

Technik patentfähig sind (§ 1 Abs. 1 PatG).

Gemäß den Ansprüchen 1 und 8 weist die über dem n-Gebiet liegende Indium

enthaltende Glättungsschicht der Licht emittierenden III-Nitrid-Anordnung eine sich

verändernde Dotierstoff-Konzentration und einen sich monoton verändernden

Indium-Anteil auf, wohingegen die über der Glättungsschicht und unter dem aktiven

Gebiet liegende Spacerschicht eine konstante Dotierstoffkonzentration und eine

konstante Zusammensetzung hat.

Für eine solche Ausgestaltung gibt es in dem entgegengehaltenen Stand der

Technik keine Anregung.

Druckschrift D10 beschreibt gemäß seinem Abstract und den dort gezeigten Figuren

(a) und (b)

mit den Worten des Anspruchs 1 eine

Licht emittierende III-Nitrid-Anordnung (semiconductor light emitting element)

mit:

- einem Substrat (sapphire substrate 11);

- einem über dem Substrat (11) liegenden n-Gebiet (n-type AlyGa1-yN clad

layer 13);

- einer

über dem n-Gebiet

(13)

liegenden

Indium enthaltenden

Glättungsschicht (lnuGa1-uN grated layer 14)

· wobei die Glättungsschicht (14, 60) eine sich verändernde

Dotierstoff-Konzentration aufweist und

· wobei sich der Anteil an Indium in der Glättungsschicht (14) monoton

verändert (InGaN grated layers in which the ln composition gradually

changes are respectively formed, vgl. die Figuren des Abstracts),

- einer über der Glättungsschicht (14, 60) liegenden Spacerschicht (15) mit

konstanter Dotierstoffkonzentration und konstanter Zusammensetzung,

- einem über der Spacerschicht (15) liegenden aktiven Gebiet (active layer

15) und

- einem über dem aktiven Gebiet (15) liegenden p-Gebiet (p-type AlzGa1-zN

clad layer 17).

Ausgehend von der im Abstract der D10 dargelegten Problemstellung, die

Kristallinität des aktiven Gebiets zu verbessern, greift der Fachmann zwar in

naheliegender Weise auf die Lehre der Druckschrift D6 zurück, die gemäß den

Ausführungen im Abstract und in Absatz [0003] zur weiteren Verbesserung der

Kristallinität des aktiven Gebiets das Einbringen einer undotierten Spacerschicht

angrenzend zur aktiven Schicht empfiehlt, so dass der Fachmann zur

Leistungssteigerung diese Spacerschicht auch bei der in Druckschrift D10

beschriebenen Anordnung zwischen dem aktiven Gebiet und der Glättungsschicht

einbringt, ohne erfinderisch tätig werden zu müssen. Jedoch gibt es für den

Fachmann weder in Druckschrift D6 noch in Druckschrift D10 einen Hinweis, die

Glättungsschicht entsprechend dem Anspruch 1 zusätzlich mit einer sich

verändernden Dotierstoff-Konzentration auszubilden.

Eine Kombination der Druckschriften D5 und D6 kann die Anordnung des

Anspruchs 1 dem Fachmann ebenfalls nicht nahelegen. So beschreibt Druckschrift

D5 ähnlich wie Druckschrift D10 eine Licht emittierende III-Nitrid-Anordnung mit

einer Glättungsschicht, in der sich der Anteil an Indium monoton verändert, doch

findet der Fachmann auch hier keine Anregung, die Glättungsschicht mit einer sich

verändernden Dotierstoff-Konzentration auszubilden.

Druckschrift D8 ist lediglich für den nicht mehr beanspruchten Fall relevant, dass

der Indium-Anteil in der Glättungsschicht stufenweise, wie in den Kurven C bis F

von Fig. 6C der Anmeldung gezeigt, verändert wird. Sie beschreibt in der

nachfolgend wiedergegebenen Figur 4 und der zugehörigen Beschreibung auf den

Seiten 34 bis 54 eine als „Embodiment 2“ bezeichnete Licht emittierende III-Nitrid-

Anordnung (nitride semiconductor device, light emitting device) mit einem Substrat

(substrate 1) aus bspw. Saphir, einem n-und p-Gebiet (n-region 130, p-region 140),

einem dazwischenliegenden aktiven Gebiet (active layer 7) sowie p- und n-

Elektroden (p-electrode, n- electrode).

Das p-Gebiet (140) umfasst

auf der aktiven Schicht (7)

eine aus einer Mehrzahl

einzelner Schichten (108a,

108b) gebildete Vielschicht-

Struktur als Mantelschicht

(multi-film clad layer 108)

und

darüber

eine

p-

Kontaktschicht

(p-contact

layer 9), auf der die p-

Elektrode (11) angeordnet

ist.

In ähnlicher Weise

umfasst das n-Gebiet (130)

eine Pufferschicht

(buffer

layer 102) auf dem Substrat

(1)

und

darüber

eine

undotierte

GaN-Schicht

(undoped GaN layer 103)

sowie eine n-Kontaktschicht (n-contact layer 4), auf der die n-Elektrode (12)

angeordnet ist. Zusätzlich sind zwei Vielschicht-Strukturen (multi-film layer 105,

106) unterhalb des aktiven Gebiets (7) ausgebildet, die beide zumindest zwei

unterschiedliche Einzelschichten (105a, 105b bzw. 106a, 106b) aufweisen, vgl.

jeweils den dritten Absatz der Seiten 37 und 43 von Druckschrift D8. Die Vielschicht-

Struktur mit Bezugszeichen 106 kann aus einer Vielzahl abwechselnd angeordneter

Schichten (106a, 106b) bestehen, aber auch nur eine InGaN-Schicht (106a) und

eine III-Nitrid-Schicht (106b) mit anderer Zusammensetzung umfassen, wobei die

Reihenfolge der beiden Schichten 106a und 106b vertauscht und zusätzlich

zwischen dieser Vielschichtstruktur (106) und der aktiven Schicht (7) eine in Fig. 4

nicht dargestellte n-dotierte Nitrid-Halbleiterschicht ausgebildet werden kann, vgl. in

D8, Seite 43, Zeile 23 bis Seite 44, Zeile 12 und Seite 46, Zeilen 25 bis 29. Diese in

Fig. 4 nicht dargestellte Schicht entspricht der anmeldungsgemäßen Spacerschicht

(15), während die Vielschichtstruktur mit Bezugszeichen 106 eine Glättungsschicht

darstellt.

Im Unterschied zur in Druckschrift D8 offenbarten Anordnung verändert sich der

Indium-Anteil in der Glättungsschicht der Anordnung nach Anspruch 1 der

Anmeldung nicht stufenweise, sondern monoton, wie in den Kurven A und B von

Fig. 6C der Anmeldung dargestellt. Da der Fachmann der Druckschrift D8 keine

Anregung entnehmen kann, von der stufenweisen Änderung der Dotierung

abzuweichen, ist die Anordnung nach Anspruch 1 neu hinsichtlich der Druckschrift

D8 und beruht diesbezüglich auch auf einer erfinderischen Tätigkeit des

Fachmanns.

Die übrigen Druckschriften D1 bis D4, D7 und D9 liegen weiter ab und haben in der

mündlichen Verhandlung keine Rolle gespielt. Sie betreffen zwar einzelne Aspekte

der beanspruchten Anordnung, können dem Fachmann aber keinen Hinweis

bezüglich der speziellen Ausbildung der Glättungs- und Spacerschicht

entsprechend Anspruch 1 geben.

Die Anordnung des Anspruchs 1 ist daher neu gegenüber den Druckschriften D1

bis D10, und sie wird dem Fachmann durch diesen Stand der Technik auch nicht

nahegelegt, so dass sie patentfähig ist.

Dies gilt in gleicher Weise für das zugehörige Herstellungsverfahren des

selbständigen Anspruchs 8.

5.

Den selbständigen Ansprüchen 1 und 8 können sich die Unteransprüche 2 bis

7 bzw. 9 bis 11 anschließen, da sie die Anordnung nach Anspruch 1 bzw. das

Verfahren nach Anspruch 8 vorteilhaft weiterbilden. Zudem sind in der geltenden

Beschreibung mit Zeichnung die Gegenstände der Ansprüche ausreichend

erläutert.

6.

Bei dieser Sachlage war der angefochtene Beschluss der Prüfungsstelle für

Klasse H01L vom 14. Mai 2019 aufzuheben und das Patent im beantragten Umfang

zu erteilen.

III.

R e c h t s m i t t e l b e l e h r u n g

Gegen diesen Beschluss steht der Anmelderin

das Rechtsmittel der

Rechtsbeschwerde zu. Da der Senat die Rechtsbeschwerde nicht zugelassen hat,

ist sie nur statthaft, wenn einer der nachfolgenden Verfahrensmängel gerügt wird,

nämlich

1. dass das beschließende Gericht nicht vorschriftsmäßig besetzt war,

2. dass bei dem Beschluss ein Richter mitgewirkt hat, der von der

Ausübung des Richteramtes kraft Gesetzes ausgeschlossen oder

wegen Besorgnis der Befangenheit mit Erfolg abgelehnt war,

3. dass einem Beteiligten das rechtliche Gehör versagt war,

4. dass ein Beteiligter im Verfahren nicht nach Vorschrift des Gesetzes

vertreten war, sofern er nicht der Führung des Verfahrens

ausdrücklich oder stillschweigend zugestimmt hat,

5. dass der Beschluss aufgrund einer mündlichen Verhandlung

ergangen ist, bei der die Vorschriften über die Öffentlichkeit des

Verfahrens verletzt worden sind, oder

6. dass der Beschluss nicht mit Gründen versehen ist.

Die Rechtsbeschwerde ist

innerhalb eines Monats nach Zustellung des

Beschlusses

schriftlich durch einen beim Bundesgerichtshof zugelassenen Rechtsanwalt als

Bevollmächtigten beim Bundesgerichtshof, Herrenstr. 45 a, 76133 Karlsruhe,

einzureichen oder

durch einen beim Bundesgerichtshof

zugelassenen Rechtsanwalt als

Bevollmächtigten in elektronischer Form. Zur Entgegennahme elektronischer

Dokumente ist die elektronische Poststelle des Bundesgerichtshofs bestimmt. Die

elektronische Poststelle des Bundesgerichtshofs ist über die auf der Internetseite

www.bundesgerichtshof.de/erv.html

bezeichneten

Kommunikationswege

erreichbar. Die Einreichung erfolgt durch die Übertragung des elektronischen

Dokuments in die elektronische Poststelle. Elektronische Dokumente sind mit einer

qualifizierten elektronischen Signatur oder mit einer

fortgeschrittenen

elektronischen Signatur zu versehen.

Dr. Strößner

Dr. Friedrich

Dr. Himmelmann

Dr. Kapels

prö