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BPatG Beschluss vom 19.05.2021 – 35 W (pat) 415/19
35. Senat · ECLI:DE:BPatG:2021:190521B35Wpat415.19.0
BUNDESPATENTGERICHT
35 W (pat) 415/19 _______________________
(Aktenzeichen)
Verkündet am
19. Mai 2021
…
B E S C H L U S S
In der Beschwerdesache
…
ECLI:DE:BPatG:2021:190521B35Wpat415.19.0
betreffend das Gebrauchsmuster 20 2011 110 910
hat der 35. Senat (Gebrauchsmuster-Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts
auf die mündliche Verhandlung vom 19. Mai 2021 unter Mitwirkung des
Vorsitzenden Richters Metternich sowie der Richter Dr. Friederich und
Dr.- Ing. Kapels
beschlossen:
1. Die Beschwerden der Antragstellerin und der Antragsgegnerin werden
zurückgewiesen.
2. Die Kosten der Beschwerdeverfahren werden gegeneinander aufgehoben.
G r ü n d e
I.
Die Beteiligten streiten über den Bestand des Gebrauchsmusters 20 2011 110 910
(i.F.: Streitgebrauchsmuster).
Das am 16. Februar 2017 beantragte Streitgebrauchsmuster ist aus der
europäischen Anmeldung EP11850200.4, veröffentlicht als WO/2012/086888 (i.F.:
Stammanmeldung), mit dem Anmeldetag 13. Juni 2011 abgezweigt worden. Es
beansprucht die ausländische Priorität 24. Dezember 2010, KR 10-2010-0134584
(i.F.: Prioritätsanmeldung). Es ist am 2. März 2017 mit der Bezeichnung
„Lichtemittierender Diodenchip“ und den Schutzansprüchen 1 – 21 eingetragen
worden und – nachdem die Verlängerungsgebühren für das 9. und 10. Schutzjahr
bezahlt worden sind – zum Zeitpunkt der mündlichen Verhandlung noch in Kraft.
Das Streitgebrauchsmuster betrifft einen
lichtemittierenden Diodenchip mit
verbesserter Leuchteffizienz (Vgl. Abs.
[0001] der Gebrauchsmusterschrift,
i.F.: GS.), insbesondere einen LED-Chip umfassend ein Substrat, eine unter dem
Substrat angeordnete alternierende Laminat-Bodenstruktur und eine auf dem
Substrat angeordnete lichtemittierende Struktur, die eine erste und zweite leitende
Halbleiterschicht sowie eine dazwischen angeordnete aktive Schicht aufweist (vgl.
Schutzanspruch 1).
Hierbei geht es insbesondere um die optische Leistung von Weißlicht-LED-
Anordnungen oder –packages, welche i.d.R. blaues oder ultraviolettes Licht
emittierende LED-Chips beinhalten. Die Leuchteffizienz der LED-Chips hat dabei
erheblichen Einfluss auf die optische Leistung der Weißlicht-LED-Anordnungen. Bei
der Steigerung der Leuchteffizienz der LED-Chips gibt es mehrere Möglichkeiten,
die aber auch mit Nachteilen verbunden sind. Möglich ist z.B. die Anordnung von
Metallreflektoren, deren Reflexionsvermögen sich aber durch Oxidation
verschlechtern kann. Es können daher auch Laminate aus alternierend
übereinander gestapelten Materialien mit verschiedenen Brechungsindizes
eingesetzt werden. Diese weisen neben relativ stabilen Reflexionseigenschaften
zwar ein hohes Reflexionsvermögen auf. Jedoch erstreckt sich dieses nur über
einen schmalen Wellenlängenbereich, um dann stark abzufallen und ist auch
winkelabhängig. Zwar kann der Wellenlängenbereich durch Erhöhen der Anzahl
gestapelter Schichten in der alternierenden Laminatstruktur und Anpassung der
jeweiligen Schichtdicken erweitert werden. Allerdings ist es bei einer großen Anzahl
von Schichten in der alternierenden Laminatstruktur schwierig, die optimale Dicke
jeder Schicht zu bestimmen (vgl. Abs. [0002 – 0007] GS.).
Eine der gebrauchsmustergemäßen Erfindung zugrundeliegende Aufgabe ist in der
GS. nicht expressis verbis formuliert. Sie kann – ausgehend von der GS.,
insbesondere den Abs. [0008 – 0009] – dahingehend angesehen werden, dass ein
LED-Chip mit verbesserter Leuchteffizienz insbesondere für den Einsatz in
Weißlicht-LED-Anordnungen bereitgestellt werden soll.
Schutzanspruch 1 lautet in der eingetragenen Fassung (mit einer den Beteiligten
übergebenen Merkmalsgliederung):
M1
M2
M3
Lichtemittierender Dioden(LED)-Chip umfassend:
ein Substrat;
eine auf dem Substrat angeordnete lichtemittierende Struktur,
M3.1 wobei
die
lichtemittierende Struktur eine
erste
leitende
Halbleiterschicht, eine zweite leitende Halbleiterschicht und eine
aktive Schicht umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen der ersten
leitenden Halbleiterschicht und der zweiten leitenden Halbleiterschicht
angeordnet ist;
M4
und eine alternierende Laminat-Bodenstruktur, die unter dem Substrat
angeordnet ist;
M4.1 wobei die alternierende Laminat-Bodenstruktur eine Vielzahl von
dielektrischen Paaren umfasst, wobei jedes der dielektrischen Paare
eine erste Materialschicht mit einem ersten Brechungsindex und eine
zweite Materialschicht mit einem zweiten Brechungsindex umfasst,
wobei der erste Brechungsindex grösser als der zweite
Brechungsindex ist; wobei die Vielzahl von dielektrischen Paaren
umfasst:
M4.1.1 eine Vielzahl von ersten dielektrischen Paaren mit der ersten
Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei die erste
Materialschicht und die zweite Materialschicht jeweils eine optische
Dicke von weniger als λ/4 aufweisen;
M4.1.2 mindestens ein zweites dielektrisches Paar jeweils mit der ersten
Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei eine der ersten
Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke
von weniger als λ/4 und die andere eine optische Dicke von größer als
λ/4 aufweist;
M4.1.3 und eine Vielzahl von dritten dielektrischen Paaren mit der ersten
Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei jede der ersten
Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke
von größer λ/4 als aufweist;
M5
wobei Leuchtstoffe in einer Harzschicht dispergiert sind, die auf dem
lichtemittierenden Dioden(LED)-Chip gebildet ist;
M4.1.4 wobei λ eine zentrale Wellenlänge von 550 nm des emittierten
sichtbaren Lichtbereichs von 400 bis 700 nm ist;
M4.1.5 wobei die ersten dielektrischen Paare näher am oder weiter vom dem
Substrat angeordnet sind als alle der dritten dielektrischen Paare.
Die Schutzansprüche 2 – 11 sind auf diesen Schutzanspruch 1 rückbezogene
Unteransprüche, zu deren Wortlaut auf die GS. verwiesen wird.
Schutzanspruch 12 ist ein nebengeordneter Anspruch mit den Merkmalen M1, M2,
M3, M4, M4.1, M 4.1.1, M4.1.3, M4.1.4 und M.4.1.5 und ohne das Merkmal M5,
wobei das anstelle des Merkmals M4.1.2 des Schutzanspruchs 1 eingefügte
Merkmal M4.1.2‘ wie folgt lautet:
M4.1.2‘ eine Vielzahl von zweiten dielektrischen Paaren jeweils mit der ersten
Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei eine der ersten
Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke
von weniger als λ/4 und die andere eine optische Dicke von größer als
λ/4 aufweist.
Die Schutzansprüche 13 – 21 sind auf den Schutzanspruch 12 rückbezogene
Unteransprüche, zu deren Wortlaut wiederum auf die GS. verwiesen wird.
Mit Schriftsatz vom 29. September 2017 hat die Antragstellerin die Teil-Löschung
des Streitgebrauchsmusters im Umfang der Schutzansprüche 1, 2, 5, 6, 8, 12, 13,
16, 17 und 19 beantragt. Zur Übersendung dieses Teil-Löschungsantrags per
Telefax befinden sich in den elektronisch geführten patentamtlichen Akten mehrere
Eingänge, datierend auf den 29. September 2017, von denen einer auf S. 11 des
42 Seiten umfassenden Löschungsschriftsatzes abbricht und ein weiterer ohne
Anlagen eingegangen ist. Nach Aktenlage ist ein vollständiger Löschungsantrag mit
allen Anlagen am 2. Oktober 2017 beim DPMA eingegangen.
Gemäß einer bei den patentamtlichen Akten befindlichen Telefonnotiz der
Vorsitzenden der Gebrauchsmusterabteilung vom 24. Oktober 2017 ist der
Antragsgegnerin zunächst nicht der vollständige Löschungsantrag zugestellt
worden, sondern der am 29. September 2017 nur unvollständig per Telefax
eingegangene Antrag; hierzu befindet sich ein Empfangsbekenntnis der
Verfahrensbevollmächtigten vom 20. Oktober 2017 bei den patentamtlichen Akten.
Die Antragsgegnerin hat ihrerseits mit Eingabe v. 24. Oktober 2017 darauf
hingewiesen, dass der Löschungsantrag ihr nicht vollständig zugestellt worden sei.
Mit Amtsschreiben v. 24. Oktober 2017 ist der Antragsgegnerin der vollständige
Löschungsantrag
übermittelt worden, wobei
die
Vorsitzende
der
Gebrauchsmusterabteilung darauf hinwies, dass die Widerspruchsfrist gegen den
Löschungsantrag erst mit Zustellung des vollständigen Antrags beginne. Diese
Zustellung an die Antragsgegnerin ist nach Aktenlage am 2. November 2017 erfolgt.
Die Antragstellerin hat den Teil-Löschungsantrag darauf gestützt, dass der
Gegenstand des Streitgebrauchsmusters über den Inhalt der Anmeldung, wie er in
der ursprünglichen Fassung eingereicht worden sei, hinausginge, sowie darauf,
dass der Gegenstand des Streitgebrauchsmusters nicht schutzfähig sei. Zum Stand
der Technik hat sie mehrere Entgegenhaltungen in das Verfahren eingeführt,
nämlich die druckschriftlichen Entgegenhaltungen WO 2010/077 287 A1 (D1),
US 5 998 925 A (D3) und US 2011/0 114 969 A1 (D6) sowie die Fachaufsätze von
Zhao, Y. S. et al.: “Efficiency Enhancement of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes
with a Back-Surface Distributed Bragg Reflector” In: Journal of Electronic Materials,
Vol. 32, 2003, No. 12, S. 1523-1526 (D2), Schubert, E. F.: “Light-Emitting Diodes”,
Cambridge University Press, 2006 (Second Edition), S. 170-180 (D4) und Macleod,
H. A.: “Thin-Film Optical Filters”, Institute of Physics Publishing Bristol and
Philadelphia, Third Edition, 2001, S. 193-200 (D5).
Die Antragsgegnerin hat dem Löschungsantrag mit Schriftsatz vom
21. November 2017, eingegangen am gleichen Tag, widersprochen und ihren
Widerspruch mit Schriftsatz v. 29. Januar 2018 begründet, wobei sie der Auffassung
der Antragstellerin entgegengetreten ist.
Nach weiteren gewechselten Schriftsätzen, in denen die Antragstellerin auch
beanstandet hatte, dass das Streitgebrauchsmuster die Priorität der Erstanmeldung
nicht wirksam beansprucht habe, und die Antragsgegnerin eine erste geänderte
Anspruchsfassung als Hilfsantrag eingereicht hatte, hat die Gebrauchsmusterabteilung mit Zwischenbescheid v. 6. November 2018 den Beteiligten als
vorläufige Auffassung mitgeteilt, dass mit der Löschung des Streitgebrauchsmusters zu rechnen sei. Die Antragsgegnerin hat danach weitere Hilfsanträge 1 – 4
vom 11. März 2019 eingereicht, zu deren Anspruchsfassungen auf die
patentamtlichen Akten verwiesen wird.
In der mündlichen Verhandlung vor der Gebrauchsmusterabteilung am 2. April 2019
hat die Antragsgegnerin einen erneut geänderten Hilfsantrag eingereicht.
Schutzanspruch 1 nach diesem Hilfsantrag 1 weist die Merkmale des eingetragenen
Schutzanspruchs 1 sowie am Schluss das nachfolgend genannte Merkmal 4.1.6
auf:
M4.1.6 wobei das mindestens eine zweite dielektrische Paar von einem
ersten dielektrischen Paar und einem weiteren zweiten dielektrischen
Paar umgeben ist.
Die eingetragenen Schutzansprüche 2 und 5 sind in dieser Fassung gestrichen,
während die weiteren angegriffenen Schutzansprüche 6, 8, 12, 13, 16, 17 und 19
unverändert beibehalten worden und die nicht-angegriffenen Schutzansprüche
unberührt geblieben sind.
Die Antragstellerin hat weiterhin die Löschung des Streitgebrauchsmusters im
Umfang der angegriffenen Schutzansprüche 1, 2, 5, 6, 8, 12, 13, 16, 17 und 19
beantragt.
Die Antragsgegnerin hat als Hauptantrag die Zurückweisung des Löschungsantrags
beantragt. Hilfsweise hat sie das Streitgebrauchsmuster
im Umfang der
Anspruchsfassung nach Hilfsantrag v. 2. April 2019 verteidigt.
Mit in der mündlichen Verhandlung v. 2. April 2019 verkündetem Beschluss hat die
Gebrauchsmusterabteilung das Streitgebrauchsmuster
im Umfang der
Schutzansprüche 1, 2, 5, 6, 8, 12, 13, 16, 17 und 19 teilgelöscht, soweit es über die
Fassung des in der mündlichen Verhandlung übergebenen Hilfsantrags hinausgeht,
den Löschungsantrag im Übrigen zurückgewiesen und von den Kosten 40% der
Antragsgegnerin und 60% der Antragstellerin auferlegt. Zur Begründung hat die
Gebrauchsmusterabteilung im Wesentlichen ausgeführt:
Bei der Frage der Wirksamkeit der Abzweigung des Streitgebrauchsmusters sei
bezüglich der Stammanmeldung teilweise Erfindungsidentität gegeben. Jedoch
könne die Wirksamkeit der Abzweigung dahingestellt bleiben, weil alle im Verfahren
befindlichen Entgegenhaltungen vor dem Anmeldetag der Stammanmeldung
veröffentlicht worden seien. Da Erfindungsidentität mit dem Gegenstand der D6,
eine von der Antragsgegnerin eingereichte Anmeldung gegeben sei, sei der
Gegenstand der Ansprüche 1 und 12 bereits in der D6 beschrieben worden, so dass
die Priorität der Erstanmeldung nicht beansprucht werden könne. Die
Veröffentlichung der D6 sei aber innerhalb der Neuheitsschonfrist erfolgt, so dass
diese bei der Beurteilung der Schutzfähigkeit nicht zu berücksichtigen sei. Der
Gegenstand des eingetragenen Schutzanspruchs 1 sei zwar neu. Die D2 habe alle
Merkmale außer dem Merkmal M5 vorweggenommen, i.V.m. dem fachmännischen
Wissen sei der Gegenstand des eingetragenen Schutzanspruchs 1 nahegelegt. Der
Gegenstand des Schutzanspruchs 1 nach Hilfsantrag sei nicht unzulässig erweitert.
Die Gegenstände von Schutzanspruch 1 und Schutzanspruch 12 nach Hilfsantrag
seien neu und durch den Stand der Technik auch nicht nahegelegt.
Der Beschluss ist der Antragstellerin am 9. Mai 2019 und der Antragsgegnerin am
10. Mai 2019 zugestellt worden.
Gegen diesen Beschluss haben beide Beteiligte selbständig Beschwerde eingelegt,
und zwar die Antragstellerin mit Schriftsatz v. 6. Juni 2019, eingegangen am selben
Tag (Bl. 8/9 d.A.), und die Antragsgegnerin mit Schriftsatz v. 7. Juni 2019, ebenfalls
am selben Tag eingegangen (Bl. 10/11 d.A.).
Die Antragstellerin beanstandet weiterhin unzulässige Erweiterung, da die
Stammanmeldung die Merkmale M4.1.4, M5, M4.1.6 so, wie sie
im
Streitgebrauchsmuster beansprucht seien, nicht offenbart habe. Die Priorität der
Erstanmeldung könne für die Anspruchsfassung nach Hilfsantrag nicht beansprucht
werden, da die Erstanmeldung für M4.1.6 keine Stütze enthalte. Ferner sei der
Gegenstand der eingetragenen Fassung nicht schutzfähig, da er von der D6
neuheitsschädlich vorweggenommen worden sei. In Bezug auf das Merkmal M4.1.4
beanstandet die Antragstellerin auch fehlende Ausführbarkeit. Ferner sei der
Gegenstand des Streitgebrauchsmusters durch die D2 i.V.m. der D3 oder durch D1
i.V.m. dem mit Beschwerdebegründung v. 2. Dezember 2019 vorgelegten und als
FROH09C bezeichneten Fachaufsatz von Popov, K. V. et al.: „Broadband highreflection multilayer coatings at oblique angles of incidence“, Applied Optics,
Vol. 36, No. 10, 1 April 1997 sowie i.V.m. dem diesen zitierenden und als FROH09B
bezeichneten
Internetaufsatz http://www.sspectra.com/designs/bbhr.html oder
durch die Veröffentlichung (WO 2012/086 888 A1) der Stammanmeldung des
Streitgebrauchsmusters i.V.m. der ebenfalls von der Antragstellerin eingereichten,
als FROH10 bezeichneten Firmenschrift EAPL2835WB4 des Herstellers Everlight
Americas nahegelegt. Nachdem die Antragsgegnerin weitere Hilfsanträge 2 – 4
eingereicht hat, hat die Antragstellerin die Druckschrift US 2009/0108250,
bezeichnet als FROH15 als weitere Entgegenhaltung in das Verfahren eingeführt.
Bezüglich dieser Hilfsanträge beanstandet sie in Zusammenhang mit den dort
beschriebenen Laminat-Strukturen und deren Anordnung wiederum unzulässige
Erweiterung und auch fehlende Schutzfähigkeit, insbesondere auch mit Blick auf die
letztgenannte Entgegenhaltung FROH15.
Die Antragstellerin beantragt,
den Beschluss der Gebrauchsmusterabteilung des DPMA vom 2. April 2019
abzuändern, das Streitgebrauchsmuster 20 2011 110 910 im Umfang der
Schutzansprüche 1, 2, 5, 6, 8, 12, 13, 16, 17 und 19 zu löschen, sowie, die
Beschwerde der Antragsgegnerin zurückzuweisen.
Die Antragsgegnerin beantragt,
den Beschluss der Gebrauchsmusterabteilung des DPMA vom 2. April 2019
abzuändern und den Löschungsantrag sowie die Beschwerde der
Antragstellerin zurückzuweisen,
hilfsweise in nachfolgend genannter Reihenfolge:
- Hilfsantrag 1 vom 2. April 2019,
- Hilfsanträge 2 – 4 vom 7. Mai 2021,
den Löschungsantrag und die Beschwerde der Antragstellerin im Umfang der
Schutzansprüche
nach
einem
der
vorgenannten Hilfsanträge
zurückzuweisen.
Die
Antragsgegnerin
wendet
sich
gegen
die
Auffassung
der
Gebrauchsmusterabteilung und der Antragstellerin, der Gegenstand der
eingetragenen Fassung sei durch die D2 nahegelegt. Unzutreffend sei auch die
Auffassung, wonach die Prioritätsbeanspruchung der Erstanmeldung wegen
Erfindungsidentität mit der D6 wirkungslos sei. Ferner liege keine unzulässige
Erweiterung vor, die Abzweigung des Streitgebrauchsmusters sei wirksam. Des
Weiteren sei der Gegenstand des Streitgebrauchsmusters insbesondere durch eine
Kombination der D2 mit der D3 nicht nahegelegt. Auch im Übrigen sei sowohl
bezüglich der eingetragenen Fassung als auch der Fassung nach Hilfsantrag 1
Schutzfähigkeit zu bejahen, wobei auch Ausführbarkeit gegeben sei. Die mit
Schriftsatz v. 7. Mai 2021 weiteren als Hilfsanträge 2, 3 und 4 eingereichten
Anspruchsfassungen seien ebenfalls als zulässig und schutzfähig zu erachten.
Wegen der weiteren Einzelheiten wird auf den angefochtenen Beschluss der
Gebrauchsmusterabteilung, die Schriftsätze der Beteiligten und den übrigen
Akteninhalt verwiesen.
II.
Die von beiden Beteiligten jeweils selbständig gegen den Beschluss der
Gebrauchsmusterabteilung des DPMA vom 2. April 2019 erhobenen Beschwerden
sind zulässig, insbesondere form- und fristgerecht eingelegt worden. Sie sind jedoch
unbegründet.
1.
Die Beschwerde der Antragsgegnerin
ist unbegründet, weil der
eingetragenen Fassung des Streitgebrauchsmusters, die Gegenstand der
Beschwerde der Antragsgegnerin ist, wegen Fehlens eines erfinderischen Schritts
der Löschungsgrund der fehlenden Schutzfähigkeit entgegensteht (§ 15 Abs. 1 Nr. 1
GebrMG i.V.m. § 1 Abs. 1 GebrMG).
a.
Die Antragsgegnerin hat dem streitgegenständlichen Löschungsantrag
innerhalb der Monatsfrist des § 17 Abs. 1 Satz 1 GebrMG wirksam widersprochen,
so dass das Löschungsverfahren mit inhaltlicher Überprüfung der von der
Antragstellerin geltend gemachten Löschungsgründe – darunter auch fehlende
Schutzfähigkeit - durchzuführen war.
Die Frist zur Erklärung des Widerspruchs gegen den Löschungsantrag hat nicht
bereits mit Zustellung des am 29. September 2017 beim DPMA nur unvollständig
eingegangenen Löschungsantrags begonnen, sondern – wie die Vorsitzende der
Gebrauchsmusterabteilung mit Amtsschreiben vom 24. Oktober 2017 zu Recht
hingewiesen hat – mit Zustellung des vollständigen Löschungsantrags an die
Antragsgegnerin am 2. November 2017. Die Erklärungsfrist des § 17 Abs. 1 Satz 1
GebrMG soll der Antragsgegnerin Gelegenheit geben, unter Abwägung auch des
Kostenrisikos zu prüfen, ob und in welchem Umfang sie sich gegen den
Löschungsantrag
verteidigen will
(vgl. Bühring, Braitmayer, Haberl,
Gebrauchsmustergesetz, 9. Aufl., § 17, Rn. 14). Dazu war die Antragsgegnerin aber
erst in der Lage, nachdem ihr der vollständige Löschungsantrag vorlag.
b.
Als Fachmann ist vorliegend ein Physiker oder Elektrotechnikingenieur mit
Hochschulabschluss und Erfahrung im Bereich der Entwicklung von Halbleiter-
Leuchtdioden zu definieren.
c.
Der beanspruchte LED-Chip wird im Streitgebrauchsmuster anhand der
nachfolgend wiedergegebenen Figuren 1 und 2 sowie der zugehörigen
Beschreibung in den Absätzen [0026] bis [0037] erläutert.
Entsprechend den Merkmalen M1 bis M4 umfasst der LED-Chip (100) ein Substrat
(21) aus bspw. Saphir oder SiC, eine darauf angeordnete lichtemittierende Struktur
(30) mit einer ersten leitenden Halbleiterschicht (25), einer zweiten leitenden
Halbleiterschicht (29) und einer dazwischen angeordneten aktiven Schicht (27)
sowie eine alternierende Laminat-Bodenstruktur (43), die unter dem Substrat (21)
angeordnet ist. Die erste und zweite leitende Halbleiterschicht sowie die aktive
Schicht können aus einem GaN-basierten Verbindungshalbleitermaterial wie
(Al,In,Ga)N gebildet sein, wobei die aktive Schicht (27) so zusammengesetzt ist,
dass die gewünschte Wellenlänge emittiert wird, bspw. UV- oder blaues Licht.
Zusätzlich kann der LED-Chip (100) eine Pufferschicht (23), eine transparente
Elektrodenschicht (31), Elektrodenpads (33, 35), eine alternierende Laminat-
Oberstruktur
(37), eine alternierende Laminat-Unterstruktur
(39), eine
Zwischenschicht (41) zur Verbesserung der Haftung und einen Metallreflektor (45)
umfassen.
Wesentlich für die anspruchsgemäße Lösung ist die Ausbildung der unter dem
Substrat angeordneten alternierenden Laminat-Bodenstruktur (43). Diese ist
gebildet durch alternierend übereinander angeordnete erste Materialschichten mit
einem ersten Brechungsindex, bspw. TiO2 (n≈2,4) und einer zweiten Materialschicht
mit einem zweiten Brechungsindex bspw. SiO2 (n≈1,5). Dies zeigt beispielhaft
Fig. 2, in der das Verhältnis der optischen Dicke (n∙λ) zur Wellenlänge λ
schichtenweise
für TiO2 und SiO2 gezeigt
ist. Links von der gestrichelt
eingezeichneten Ellipse bis zum Schichtenpaar 9 ist die optische Dicke beider
Schichten der dielektrischen Paare größer als λ/4 (= dritte dielektrische Paare) und
rechts von der Ellipse ab dem Schichtenpaar 13 ist die optische Dicke beider
Schichten der dielektrischen Paare kleiner als λ/4 (= erste dielektrische Paare). Bei
den dazwischenliegenden Schichtenpaaren 10 bis 12 ist hingegen die optische
Dicke der einen Schicht des Schichtenpaares größer als λ/4 und die der anderen
Schicht kleiner als λ/4 (= zweite dielektrische Paare). Dies kommt in den Merkmalen
M4.1 bis M4.1.3 der Ansprüche 1 und 12 zum Ausdruck, wobei Merkmal M4.1.5 die
Schichtenfolge dahingehend präzisiert, dass die ersten dielektrischen Paare näher
am oder weiter vom dem Substrat angeordnet sind als alle der dritten dielektrischen
Paare.
Aufgrund des breiten Anspruchswortlauts kann zwischen dem zweiten
dielektrischen Paar und den ersten bzw. dritten dielektrische Paaren eine beliebige
Anzahl weiterer Schichten angeordnet sein, denn die Merkmalen M4 bis M4.1.3
umfassen auch eine Laminat-Bodenstruktur, bei denen die ersten dielektrischen
Paare, das mindestens eine zweite dielektrische Paar und das dritte dielektrische
Paar nicht direkt aufeinanderfolgend angeordnet sind, sondern durch eine oder
mehrere dielektrische Schichten voneinander beabstandet sind.
Nach Merkmal M5 ist auf dem LED-Chip eine Harzschicht gebildet, in der
Leuchtstoffe dispergiert sind. Nach dem Verständnis des Streitgebrauchsmusters
(vgl. dort bspw. Abs. [0056] der Beschreibung) ist der Gegenstand des Anspruchs 1
somit als ein LED-Package mit einem LED-Chip auszulegen.
Gemäß dem Merkmal M4.1.4 ist λ eine zentrale Wellenlänge von 550 nm des
emittierten sichtbaren Lichtbereichs von 400 bis 700 nm. Dieses Merkmal legt die
Größe λ/4 auf einen Wert von 137,5 nm fest, so dass die optische Dicke der
jeweiligen dielektrischen Schichten unter- bzw. oberhalb von 137,5 nm liegen muss.
Zusätzlich kommt mit dem Merkmal M4.1.4 zum Ausdruck, dass der beanspruchte
LED-Chip Licht mit einer Wellenlänge im sichtbaren Lichtbereich von 400 bis 700
nm emittiert und dass λ = 550 nm eine zentrale Wellenlänge des emittierten
sichtbaren Lichtbereichs ist. Für ein korrektes Verständnis dieser Angabe sind
insbesondere die Absätze [0030], [0033], [0034], [0040], [0047], [0048], [0051],
[0055] und [0056] zu berücksichtigen.
Aus diesen Fundstellen ergibt sich folgendes Funktionsprinzip des LED-Chips bzw.
Packages:
Die aktive Schicht
(27) emittiert Licht, bevorzugt
im UV oder blauen
Wellenlängenbereich bis 500 nm, bspw. bei einer Wellenlänge von 460 nm, wie in
Absatz [0040] ausgeführt. Das von der aktiven Schicht Richtung Substrat (21)
abgestrahlte Licht wird von der alternierenden Laminat-Bodenstruktur (43) Richtung
Oberseite reflektiert und kann von dem ggf. vorhandenen Leuchtstoff zumindest
teilweise in Licht anderer Wellenlänge, bspw. im Wellenlängenbereich von grün bis
gelb konvertiert und zu weißem Licht gemischt werden. Zur weiteren Erhöhung der
Effizienz können auch eine alternierende Laminat-Ober- und Unterstruktur (37, 39)
sowie ein Metallreflektor (45) vorhanden sein. Dabei ist die alternierende Laminat-
Oberstruktur (37) so ausgebildet, dass sie das von der aktiven Schicht emittierte
Licht durchlässt, das vom Leuchtstoff emittierte Licht hingegen reflektiert. Die
alternierende Laminat-Unterstruktur (39) unter dem Pad (35) dient wiederum der
Reflexion des Lichts der aktiven Schicht (27) Richtung Substrat (21), damit dieses
nach Reflexion durch die alternierende Laminat-Bodenstruktur (43) an der
Oberseite des LED-Chips austreten kann.
Insbesondere ist die alternierende Laminat-Bodenstruktur (43) so ausgelegt, dass
sie das von der aktiven Schicht (27) Richtung Substrat (21) abgestrahlte Licht, das
bspw. im blauen Wellenlängenbereich bis 500 nm liegt, gut reflektiert, vgl. die
Absätze [0033], [0034] und [0040]. Soll nicht nur senkrecht, sondern auch schräg
einfallendes Licht gut reflektiert werden, muss der Reflexionsbereich der Laminat-
Bodenstruktur über den Bereich von 500 nm hinaus auf 700 nm erweitert werden,
was durch die spezielle Ausbildung der Schichtdicken der dielektrischen Paare
erreicht wird. Dementsprechend wird als Maß für die Schichtdicke nicht die
Wellenlänge des Emissionslichts der aktiven Schicht von bspw. 460 nm genommen,
sondern längerwelliges Licht von 550 nm Wellenlänge, was eine zentrale
Wellenlänge des sichtbaren Lichtspektrums von 400 bis 700 nm ist.
Eine Lichtemission kann zwar sowohl über die aktive Schicht als auch über die
Leuchtstoffe
in der Harzschicht erfolgen, doch umfasst Anspruch 12 als
lichtemittierenden Bereich nur die aktive Schicht aber keinen Leuchtstoff, weshalb
der Fachmann das gleichlautende Merkmal M4.1.4 der beiden nebengeordneten
Ansprüche 1 und 12, wonach der LED-Chip Licht mit einer Wellenlänge im
sichtbaren Lichtbereich von 400 bis 700 nm emittiert und λ = 550 nm eine zentrale
Wellenlänge des emittierten sichtbaren Lichtbereichs ist, auf die Lichtemission der
aktiven Schicht (27) bezieht. Dieses Verständnis stimmt auch mit den Ausführungen
in obigen Fundstellen der Beschreibung überein, die belegen, dass die
alternierende Laminat-Bodenstruktur (43) nicht für eine gute Reflexion des Lichts
der Leuchtstoffe, sondern des Lichts der aktiven Schicht (27) ausgelegt ist.
Folglich emittiert nach Merkmal M4.1.4 die aktive Schicht des LED-Chips Licht mit
einer Wellenlänge im sichtbaren Lichtbereich von 400 bis 700 nm, wobei λ = 550
nm eine zentrale Wellenlänge des emittierten sichtbaren Lichtbereichs ist. Weder
aus dem Wortlaut dieses Merkmals noch aus der Beschreibung ergibt sich, dass
der LED-Chip bzw. die aktive Schicht ein kontinuierliches Lichtspektrum von 400 bis
700 nm emittieren muss, denn das Merkmal M4.1.4 verlangt nur, dass innerhalb der
Grenzen von 400 bis 700 nm eine Lichtemission erfolgt. Auch aus Absatz [0040]
folgt, dass die aktive Schicht kein kontinuierliches Lichtspektrum, sondern ein
engbandiges, bspw. blaues Licht mit einer Wellenlänge von 460 nm emittiert. Der
Teil des Merkmals M4.1.4, wonach die aktive Schicht des LED-Chips Licht mit einer
Wellenlänge im sichtbaren Lichtbereich von 400 bis 700 nm emittiert, ist somit
erfüllt, wenn die aktive Schicht an einer beliebigen Stelle innerhalb dieses
Wellenlängenbereichs Licht emittiert.
Daher versteht der Fachmann das Merkmal M4.1.4, wonach λ = 550 nm eine
zentrale Wellenlänge des emittierten sichtbaren Lichtbereichs von 400 bis 700 nm
ist, in der Weise, dass der aktive Bereich Licht emittiert, dessen Wellenlänge im
Bereich von 400 bis 700 nm, bspw. bei 460 nm liegt, und dass die Größe λ = 550
nm, die die Dicke der Schichten der Dielektrikumpaare vorgibt, gleichzeitig auch im
Zentrum des Lichtbereichs von 400 bis 700 nm liegt, innerhalb dessen die aktive
Schicht Licht emittiert.
Das Merkmal M4.1.4 gibt dem Fachmann somit auch eine ausführbare Lehre.
d.
Der LED-Chip des Anspruchs 1 nach Hauptantrag wird dem Fachmann
ausgehend von Druckschrift D2 in Verbindung mit seinem durch Druckschrift D3
belegten Fachwissen nahegelegt und beruht nicht auf einem erfinderischen Schritt.
Druckschrift D2 offenbart anhand der nachfolgend wiedergegebenen Figur 2 und
der zugehörigen Beschreibung auf Seite 1524
mit den Worten des Anspruchs 1 nach Hauptantrag einen:
M1
M2
M3
Lichtemittierender Dioden(LED)-Chip (LED-structure) umfassend:
ein Substrat (Sapphire substrate);
eine auf dem Substrat (Sapphire substrate) angeordnete lichtemittierende
Struktur,
M3.1 wobei die lichtemittierende Struktur eine erste leitende Halbleiterschicht (n-
GaN), eine zweite leitende Halbleiterschicht (p-GaN) und eine aktive Schicht
(MQW, multiple quantum well) umfasst, wobei die aktive Schicht (MQW)
zwischen der ersten leitenden Halbleiterschicht (n-GaN) und der zweiten
leitenden Halbleiterschicht (p-GaN) angeordnet ist;
M4
und eine alternierende Laminat-Bodenstruktur (14.5 pairs of TiO2/SiO2 DBR
(distributed Bragg reflector)), die unter dem Substrat (Sapphire substrate)
angeordnet ist;
M4.1 wobei die alternierende Laminat-Bodenstruktur (DBR) eine Vielzahl von
dielektrischen Paaren (14.5 pairs of TiO2/SiO2 DBR) umfasst, wobei jedes
der dielektrischen Paare eine erste Materialschicht (TiO2) mit einem ersten
Brechungsindex (nTiO2=2,4) und eine zweite Materialschicht (SiO2) mit einem
zweiten Brechungsindex
(nSiO2=1,5)
umfasst, wobei der
erste
Brechungsindex (nTiO2) grösser als der zweite Brechungsindex (nSiO2=2) ist;
wobei die Vielzahl von dielektrischen Paaren umfasst:
Somit ist aus Druckschrift D2 ein LED-Chip mit den Merkmalen M1 bis M4.1 des
Anspruchs 1 nach Hauptantrag bekannt.
Auf den Seiten 1524 und 1525 der D2 ist weiter ausgeführt, dass die Lichtemission
der blaues oder grünes Licht emittierenden InGaN/GaN-LED-Chips eine spektrale
Bandbreite von 120 nm bei einer herstellungsbedingten Streuung der Wellenlänge
der maximalen Lichtemission von bis zu 20 nm hat. Ein üblicher DBR aus
alternierenden ersten und zweiten λ/4-Materialschichten, bspw. TiO2 und SiO2,
könne zwar prinzipiell eine gute Reflexion über diesen Wellenlängenbereich
gewährleisten, da dessen spektrale Reflexionsbandbreite bis zu 140 nm betrage,
doch gelte dies nur für senkrecht auf den Reflektor einfallendes Licht. Bei schräg
einfallendem Licht sei die spektrale Reflexionsbandbreite deutlich schmaler und zu
niedrigeren Wellenlängen verschoben. Daher schlägt D2 zur Kompensation dieser
Winkelabhängigkeit die Kombination zweier DBRs vor, nämlich einen für eine
maximale Reflexion bei 470 nm ausgelegten DBR-Reflektor mit sieben λ/4
-TiO2/SiO2-Paaren und einen sich anschließenden und für eine maximale Reflexion
bei 520 nm ausgelegten DBR-Reflektor mit siebeneinhalb λ/4-TiO2/SiO2-Paaren.
Somit haben die sieben ersten Paare eine optische Dicke von 470/4 = 117,5 nm
und die siebeneinhalb folgenden Paare eine optische Dicke von 520/4 = 130 nm.
Auf das zugehörige, von der Antragstellerin mit ihrem Löschungsantrag vom
29. September 2017 auf Seite 29, Tabelle 4 angeführte Beispiel eines solchen
Reflektors hat die Gebrauchsmusterinhaberin in ihrer Beschwerdebegründung vom
3. Dezember 2019 auf Seite 10 mit folgender Tabelle Bezug genommen:
Dementsprechend umfasst der
in D2 offenbarte kombinierte DBR sieben
aufeinanderfolgende λ/4-TiO2/SiO2-Paare, deren Schichten jeweils eine optische
Dicke von 117,5 nm haben, und sieben sich anschließende, aufeinanderfolgende
λ/4-TiO2/SiO2-Paare, deren Schichten jeweils eine optische Dicke von 130 nm
haben. Hinsichtlich der Frage, ob in D2 auch ein drittes Paar mit unterschiedlichen
optischen Schichtdicken offenbart wird,
ist zu berücksichtigen, dass
anspruchsgemäß die ersten dielektrischen Paare, das mindestens eine zweite
dielektrische Paar und das dritte dielektrische Paar nicht aufeinanderfolgend
angeordnet sein müssen, sondern auch voneinander beabstandet sein können.
Somit sind bspw. die Schichten 1 bis 6 drei erste dielektrische TiO2/SiO2-Paare mit
einer kleineren optischen Dicke von 117,5 nm, die Schichten 23 bis 28 drei dritte
dielektrische TiO2/SiO2-Paare mit einer größeren optischen Dicke von 130 nm, und
die Schichten 14 und 15 ein zweites dielektrisches TiO2/SiO2-Paar mit zwei
Schichten unterschiedlicher optischer Dicke von 117,5 nm bzw. 130 nm.
Daher offenbart D2 auch, dass die Vielzahl von dielektrischen Paaren mit den
Worten des Anspruchs 1 nach Hauptantrag folgendes umfasst:
M4.1.1
eine Vielzahl von ersten dielektrischen Paaren mit der ersten
Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei die erste
Materialschicht und die zweite Materialschicht jeweils eine optische
Dicke von weniger als λ/4 aufweisen (vgl. die Schichten 1 bis 6 aus obiger
Tabelle);
M4.1.2 mindestens ein zweites dielektrisches Paar jeweils mit der ersten
Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei eine der ersten
Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke von
weniger als λ/4 und die andere eine optische Dicke von größer als λ/4
aufweist (vgl. die Schichten 14 und 15 aus obiger Tabelle);
M4.1.3
und eine Vielzahl von dritten dielektrischen Paaren mit der ersten
Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei jede der ersten
Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke von
größer λ/4 als aufweist (vgl. die Schichten 23 bis 28 aus obiger Tabelle);
M5
wobei Leuchtstoffe in einer Harzschicht dispergiert sind, die auf dem
lichtemittierenden Dioden(LED)- Chip gebildet ist;
M4.1.4‘ wobei λ eine zentrale Wellenlänge von 550 495 nm des emittierten
sichtbaren Lichtbereichs von 400 bis 700 nm ist ((470 nm + 520 nm)/2);
M4.1.5
wobei die ersten dielektrischen Paare näher am oder weiter vom dem
Substrat angeordnet sind als alle der dritten dielektrischen Paare.
In Fig. 1 der D2 ist das resultierende Reflexionsspektrum eines Reflektors gemäß
obiger Tabelle für senkrechten und 30° Lichteinfall gezeigt und in Fig. 4 die
Winkelabhängigkeit der Reflexion. Demnach übersteigt die Reflexion bei
senkrechtem Lichteinfall über einen bei 515 nm zentrierten Wellenlängenbereich
von mehr als 190 nm Breite einen Wert von 90 %. Im Unterschied zum sehr guten
Reflexionsvermögen im Bereich von 400 nm bis 600 nm bei senkrechtem
Lichteinfall ist das Reflexionsvermögen bei einem 30° Lichteinfall schon ab ca. 500
nm deutlich schlechter.
Tabelle I zeigt die durch den DBR hervorgerufene Steigerung der Lichtintensität für
vier verschiedene Emissionswellenlängenbereiche der aktiven Schicht im Bereich
von 454 nm bis 527 nm.
In Übereinstimmung mit den Ausführungen auf Seite 1524 hat der kombinierte DBR
bei kürzeren Wellenlängen eine bessere Reflexion als bei höheren Wellenlängen.
So führt der kombinierte DBR, der die beiden für 470 nm und 520 nm ausgelegten
DBRs umfasst, bei der Probe A mit einer Peakwellenlänge von 454 bis 459 nm zu
einer Intensitätssteigerung von 67 Prozent, wohingegen er bei der Probe D, deren
aktive Schicht Strahlung mit einer Peakwellenlänge von 515 nm bis 527 nm
emittiert, die Lichtintensität um lediglich 29,5 Prozent steigert.
Um die Intensität auch bei höheren Wellenlängen zu steigern, werden auf
Seite 1525, linke Spalte, letzter Absatz zwei unterschiedliche Möglichkeiten
vorgeschlagen, nämlich den DBR an die
jeweilige Emissionswellenlänge
anzupassen oder den DBR als Breitband-Reflektor auszubilden, was durch eine
größere Spreizung der beiden DBR-Peak-Wellenlängen erreicht werden könne. Im
ersten Fall bedeutet dies, dass der Fachmann die optische Dicke der DBR-
Schichten bei der Probe D statt auf 470 nm und 520 nm an die höhere
Emissionswellenlänge im Bereich von 515 nm bis 527 nm, bspw. 525 nm anpasst
und folglich auf 525 nm und 575 nm einstellt. In diesem Fall sind dann die Schichten
1 bis 6 drei erste dielektrische TiO2/SiO2-Paare mit einer kleineren optischen Dicke
von 131,25 nm, die Schichten 23 bis 28 drei dritte dielektrische TiO2/SiO2-Paare mit
einer größeren optischen Dicke von 143,75 nm, und die Schichten 14 und 15 ein
zweites dielektrisches TiO2/SiO2-Paar mit zwei Schichten unterschiedlicher
optischer Dicke von 131,25 nm bzw. 143,75 nm.
Damit entnimmt der Fachmann das Merkmal M4.1.4, wonach λ eine zentrale
Wellenlänge von 550 nm des emittierten sichtbaren Lichtbereichs von 400 bis 700
nm ist, der Druckschrift D2 in naheliegender Weise.
Das verbleibende Merkmal M5 des Anspruchs 1 nach Hauptantrag, dass
Leuchtstoffe in einer Harzschicht dispergiert sind, die auf dem lichtemittierenden
Dioden(LED)-Chip gebildet ist, stellt eine dem Fachmann zum Prioritätstag aufgrund
seines Fachwissens bekannte und übliche Maßnahme dar, um Weißlicht-LEDs auf
Basis der in D2 beschriebenen InGaN/GaN LEDs bereitstellen zu können, vgl. als
Beleg für dieses Fachwissen das Abstract der Druckschrift D3.
Somit ergibt sich der Gegenstand des Anspruchs 1 nach Hauptantrag für den
Fachmann in naheliegender Weise ausgehend von Druckschrift D2 i.V.m. seinem
durch D3 belegten Fachwissen, weshalb der Gegenstand des Anspruchs 1 nach
Hauptantrag nicht schutzfähig ist.
e.
Bei dieser Sachlage kann dahingestellt bleiben, ob die Fassung der
eingetragenen
Schutzansprüche,
insbesondere
der
nebengeordneten
Schutzansprüche 1 und 12, zulässig ist oder ob insoweit der von der Antragstellerin
ebenfalls geltend gemachte Löschungsgrund der unzulässigen Erweiterung (§15
Abs. 1 Nr. 3 GebrMG) gegeben ist.
2.
Die Beschwerde der Antragstellerin ist ebenfalls unbegründet, da die
Gebrauchsmusterabteilung
den
Löschungsantrag
im
Umfang
der
Anspruchsfassung nach dem erstinstanzlichen Hilfsantrag, nunmehr Hilfsantrag 1,
mangels Vorliegen eines Löschungsgrunds im Ergebnis zu Recht zurückgewiesen
hat.
a.
Die Fassung der nebengeordneten Schutzansprüche 1 und 12 nach
Hilfsantrag 1
ist zulässig.
Insbesondere
liegt
insoweit keine unzulässige
Erweiterung i.S.d. § 15 Abs. 1 Nr. 3 GebrMG vor.
In diesem Zusammenhang kann dahinstehen, ob es hierbei auf den
Offenbarungsgehalt der mit der Beantragung des Streitgebrauchsmusters
eingereichten Unterlagen oder – wozu der Senat neigt - in erster Linie auf
denjenigen der Stammanmeldung ankommt, aus der das Streitgebrauchsmuster
abgezweigt worden ist. Denn inhaltlich geht der Gegenstand der Schutzansprüche
1 und 12 nicht über das hinaus, was die als WO 2012/086 888 A1 veröffentlichte
Stammanmeldung offenbart hat und weist insoweit insbesondere kein aliud auf.
Die Merkmale M1 bis M4.1.3 und M4.1.5 der Ansprüche 1 und 12 sind in den
ursprünglichen Ansprüchen 1 und 2 sowie auf Seite 6, Zeilen 16 bis 23 der
Stammanmeldung offenbart, wobei die Offenbarung der Präzisierung in Merkmal
M4.1.2‘ betreffend die Vielzahl von zweiten dielektrischen Paaren implizit durch die
genannte Fundstelle auf Seite 6 gegeben ist, weil dort offenbart ist, dass wenigstens
ein zweites dielektrisches Paar vorhanden ist, was auch das Vorhandensein einer
Vielzahl von zweiten dielektrischen Paaren umfasst. Das den Leuchtstoff
betreffende Merkmal M5 des Anspruchs 1 findet sich auf Beschreibungsseite 10,
Zeilen 16 bis 22, woraus auch hervorgeht, dass die alternierende Laminat-
Oberstruktur
(37), die alternierende Laminat-Unterstruktur
(39) und der
Metallreflektor (45) keine zwingend notwendigen, sondern nur optionale Merkmale
sind, weshalb sie auch nicht zusammen mit Merkmal M5 in den Anspruch 1
aufgenommen werden müssen. Das Merkmal M4.1.4 entnimmt der Fachmann der
Seite 6, Zeilen 7 bis 23 und Seite 7, Zeilen 22 bis 25 der Stammanmeldung, denn
gemäß diesen Fundstellen hat die alternierende Laminat-Bodenstruktur ein
Reflexionsvermögen von 90% oder mehr hinsichtlich des von der aktiven Schicht
emittierten und unter einem Winkel von 0° bis 60° auf die Struktur einfallenden
Lichts, und zwar insbesondere im Bereich von 400 nm bis 700 nm. Dies offenbart
somit auch, dass die aktive Schicht Licht emittiert, dessen Wellenlänge im Bereich
von 400 nm bis 700 nm liegt, bspw. blaues Licht mit einer Wellenlänge von 460 nm.
Die weitere Angabe, wonach λ = 550 nm eine zentrale Wellenlänge des
Lichtbereichs von 400 nm bis 700 nm ist, innerhalb dessen die aktive Schicht Licht
emittiert, ist ebenfalls diesen Fundstellen zu entnehmen, vgl. Seite 6, Zeilen 7 bis
23. Das Zusatzmerkmal M4.1.6 des Anspruchs 1 nach Hilfsantrag 1 ist dem
Anspruch 2 des Streitgebrauchsmusters entnommen und auf Seite 7, Zeilen 10 bis
13 der Stammanmeldung offenbart. Darüber hinaus ergibt sich dieses Merkmal in
der Stammanmeldung auch aus Fig. 2 und der zugehörigen Beschreibung auf
Seite 6, Zeile 16 bis Seite 7, Zeile 9. Die Merkmale der angegriffenen abhängigen
Ansprüche 2, 5, 6 und 8 bzw. 13, 16, 17 und 19 sind in der Stammanmeldung auf
Seite 6, Zeile 29 bis Seite 7, Zeile 13 sowie auf Seite 8, Zeilen 31 und 32 offenbart.
Nach alledem
ist die Abzweigung des Streitgebrauchsmusters aus der
Stammanmeldung EP11850200.4, veröffentlicht als WO/2012/086888,
in jeder
Hinsicht wirksam, so dass zum einen der Anmeldetag der Stammanmeldung auch
als Anmeldetag des Streitgebrauchsmusters beansprucht werden kann (§ 5 Abs. 1
Satz 1 GebrMG) und zum anderen der Löschungsgrund der unzulässigen
Erweiterung gemäß § 15 Abs. 1 Nr. 3 GebrMG nicht gegeben ist.
b.
Die gemäß den selbständigen Schutzansprüchen 1 und 12 des
Hilfsantrags 1 beanspruchten LED-Chips sind schutzfähig, da sie durch den in das
Verfahren
eingeführten Stand
der Technik weder
neuheitsschädlich
vorweggenommen sind, noch dem Fachmann nahegelegt werden.
Gemäß dem Zusatzmerkmal M.4.1.6 des Schutzanspruchs 1 nach Hilfsantrag 1 ist
das mindestens eine zweite dielektrische Paar von einem ersten dielektrischen Paar
und einem weiteren zweiten dielektrischen Paar umgeben. Demnach sind unter
dem Substrat zwei benachbarte zweite dielektrische Paare vorhanden, von denen
das eine Paar an ein erstes dielektrisches Paar anschließt.
b.1
In Druckschrift D2 findet der Fachmann bezüglich dieses Merkmals keine
Anregung. Denn wie sich aus der zum Hauptantrag angeführten Tabelle ergibt, kann
der in D2 beschriebene DBR nur ein zweites dielektrisches Paar aufweisen, nämlich
die Schichten 14 und 15. Einen Hinweis, ein weiteres zweites dielektrisches Paar
mit zwei unterschiedlichen optischen Schichtdicken einzubringen, findet der
Fachmann in dieser Druckschrift nicht, und es gibt für ihn auch aus fachmännischer
Hinsicht keinen Anlass dafür.
Für den LED-Chip des Schutzanspruchs 12 gilt dies in gleicher Weise, denn da der
in D2 beschriebene DBR nur ein zweites dielektrisches Paar aufweist und es für den
Fachmann keinen Anlass gibt, zwei oder mehr zweite dielektrische Paare
anzuordnen, begründet das Merkmal M4.1.2‘ des Anspruchs 12, wonach die unter
dem Substrat angeordnete alternierende Laminat-Bodenstruktur eine Vielzahl von
zweiten dielektrischen Paaren aufweist, bezüglich der D2 einen erfinderischen
Schritt des Fachmanns.
b.2
Druckschrift
D1
offenbart in Fig. 14 und der
zugehörigen Beschreibung in
den Absätzen
[0070] bis
[0072] mit den Worten des
Anspruchs 1 nach Hilfsantrag
1 einen:
M1
M2
M3
Lichtemittierender Dioden(LED)-Chip (LED 180) umfassend:
ein Substrat (Sapphire substrate);
eine auf dem Substrat (growth substrate 190) angeordnete lichtemittierende
Struktur,
M3.1 wobei die lichtemittierende Struktur eine erste leitende Halbleiterschicht (ntype epitaxial layer 186), eine zweite leitende Halbleiterschicht (p-type
epitaxial layer 188) und eine aktive Schicht (active layer/region 184) umfasst,
wobei die aktive Schicht
(184)
zwischen der ersten
leitenden
Halbleiterschicht (186) und der zweiten leitenden Halbleiterschicht (188)
angeordnet ist;
M4
und eine alternierende Laminat-Bodenstruktur (composite layer 196), die
unter dem Substrat (190) angeordnet ist.
Zudem ist der D1 auch das Merkmal M5 zu entnehmen, dass Leuchtstoffe in einer
Harzschicht dispergiert sind, die auf dem lichtemittierenden Dioden(LED)-Chip
gebildet ist, vgl. die Absätze [0006]: „The reflective cup may be filled with an
encapsulant material 16 which may contain a wavelength conversion material such
as a phosphor.“ und [0046]: „The LED chip 50 can also be covered with one or more
conversion materials, such as pmosphors, such that at least some of the light from
the LED passes through the one or-more phosphors and is converted to one or more
different wavelengths of light“. Die die Ausbildung der alternierenden Laminat-
Bodenstruktur betreffenden Merkmale M4.1 bis M4.1.6 des Anspruchs 1 nach
Hilfsantrag 1 sind in Druckschrift D1 jedoch nicht beschrieben. In diesem
Zusammenhang hat die Antragstellerin die Druckschrift FROH09C und den darauf
aufbauenden Internetartikel FROH09B vorgelegt und ausgeführt, dass der
Fachmann ausgehend von Druckschrift D1 die Laminat-Bodenstruktur
in
naheliegender Weise entsprechend dem Internetartikel FROH09B ausbilden würde
und damit den LED-Chip nach Anspruch 1 des Hilfsantrags 1 erhalte, der deshalb
auf keinem erfinderischen Schritt beruhe.
Diese Argumentation ist aber unzutreffend. Zwar werden in Druckschrift FROH09C
Berechnungen zu kombinierten DBRs mit sehr guten Reflexionseigenschaften im
Wellenlängenbereich von 400 bis 800 nm vorgestellt und in den Figuren 5 bis 7
Reflexionsspektren sowohl von Breitbandreflektoren, die sehr gut bei
Einfallswinkeln im Bereich von 0 bis 50° reflektieren, als auch von Reflektoren mit
sehr guten Reflexionseigenschaften bei einem Einfallswinkel von 50° gezeigt.
Jedoch findet sich in FROH09C kein Hinweis über die Dicke der DBR-Schichten
und deren Variation entsprechend dem Merkmalskomplex M4.1.1 bis M4.1.6,
sondern nur eine Offenbarung für die Gesamtzahl der Schichten des DBR und die
Anzahl der Teil-DBRs.
Der Internetartikel FROH09B dessen Vorveröffentlichung die Antragstellerin mit
dem Anlagenkonvolut FROH09 nachgewiesen hat und der den Titel „Broadband
High-Reflection Coating at 50 Degrees“ trägt, verweist zunächst auf die Druckschrift
FROH09C und offenbart in der Tabelle auf Seite 2 die Schichtenfolge des DBR
entsprechend FROH09C, Fig. 5, linke Spalte. Mit den in FROH09C genannten
Materialien SiO2 (n=1,45) und Nb2O5 (n=2,35) für die dielektrischen Schichten ergibt
sich die nachfolgend wiedergegebene Schichtenfolge, die der Seite 20 der
Beschwerdebegründung der Antragstellerin vom 2. Dezember 2019 entnommen ist.
Dieser DBR offenbart zwar das Zusatzmerkmal M4.1.6 des Anspruchs 1 nach
Hilfsantrag 1, wonach das mindestens eine zweite dielektrische Paar von einem
ersten dielektrischen Paar und einem weiteren zweiten dielektrischen Paar
umgeben ist, vgl. die Schichten 28 und 29, doch ist es für den Fachmann ausgehend
vom LED-Chip der Druckschrift D1 nicht naheliegend, bei diesem den Reflektor der
FROH09B als alternierende Laminat-Bodenstruktur einzusetzen.
Denn wie der Titel der FROH09B
bereits zum Ausdruck bringt, ist dieser
Reflektor nach Fig. 5, linke Spalte der
FROH09C dazu ausgelegt, unter
einem Winkel von 50° einfallendes
Licht in einem breiten Wellenlängenbereich von 400 bis 800 nm gut zu
reflektieren. Der Fachmann ist aber
bestrebt, einen Reflektor einzusetzen,
der
im
gewünschten Wellenlängenbereich nicht nur über einen
kleinen,
sondern
einen
großen
Winkelbereich gut reflektiert. Zudem
wird in den Absätzen [0048], [0054]
und
[0056] von Druckschrift D1
hervorgehoben, dass die Reflexionsstrukturen mit
vier
oder
fünf
dielektrischen Schichten das blaue
LED-Licht
über
einen
breiten
Winkelbereich
besser
reflektieren
würden als herkömmliche DBRs und
dass die gewünschte Reflexion bei
gleichzeitiger
Minimierung
der
benötigten Schichtanzahl
erreicht
werde, was
die Herstellungsanforderungen und -kosten verringere. Daher gibt es für den Fachmann weder aus
Herstellungsgründen noch aus die Reflexionseigenschaften betreffenden Gründen
einen Anlass, die Fünfschichtstruktur der D1 durch den aufwändigen 43 Schichten
umfassenden Reflektor der FROH09B zu ersetzen.
Somit beruhen die LED-Chips gemäß den Schutzansprüchen 1 und 12 des
Hilfsantrags 1 auch auf einem erfinderischen Schritt bezüglich der Druckschrift D1
und der Druckschriften FROH09C und FROH09B.
b.3
Die auf die Gebrauchsmusterinhaberin zurückgehende Druckschrift FROH07
(D6) ist am 19. Mai 2011 und damit innerhalb von 6 Monaten vor dem Anmeldetag
13. Juni 2011 der europäischen Patentanmeldung EP 11850200.4, von der das
Streitgebrauchsmuster abgezweigt wurde, veröffentlicht worden. Sie bleibt nach §
3 Abs. 1 GebrMG folglich außer Betracht.
b.4
Die weiteren Druckschriften D3, D4, D5, FROH10 und FROH15 können die
LED-Chips der Schutzansprüche 1 und 12 des Hilfsantrags 1 und deren Laminat-
Bodenstruktur ebenfalls nicht nahelegen, da sie lediglich den Leuchtstoff von
Weißlicht-LEDs (D3) oder einzelne Aspekte von DBRs (D4, D5, FROH15) betreffen
bzw. nachveröffentlicht sind (FROH10).
c.
Auf die Zulässigkeit und Schutzfähigkeit der Anspruchsfassungen nach den
weiteren Hilfsanträgen 2 – 4 kommt es daher nicht mehr an.
3.
Die Kostenentscheidung beruht auf §§ 18 Abs. 2 Satz 2 GebrMG, 84 Abs. 2
III.
Rechtsmittelbelehrung
Gegen diesen Beschluss steht den am Beschwerdeverfahren Beteiligten das
Rechtsmittel der Rechtsbeschwerde zu. Da der Senat die Rechtsbeschwerde nicht
zugelassen hat, ist sie nur statthaft, wenn gerügt wird, dass
1.
2.
das beschließende Gericht nicht vorschriftsmäßig besetzt war,
bei dem Beschluss ein Richter mitgewirkt hat, der von der Ausübung des
Richteramtes kraft Gesetzes ausgeschlossen oder wegen Besorgnis der Befangenheit mit Erfolg abgelehnt war,
3.
4.
einem Beteiligten das rechtliche Gehör versagt war,
ein Beteiligter im Verfahren nicht nach Vorschrift des Gesetzes vertreten war,
sofern er nicht der Führung des Verfahrens ausdrücklich oder stillschweigend
zugestimmt hat,
5.
der Beschluss aufgrund einer mündlichen Verhandlung ergangen ist, bei der
die Vorschriften über die Öffentlichkeit des Verfahrens verletzt worden sind, oder
6.
der Beschluss nicht mit Gründen versehen ist.
Die Rechtsbeschwerde ist innerhalb eines Monats nach Zustellung des Beschlusses beim Bundesgerichtshof, Herrenstr. 45 a, 76133 Karlsruhe, durch einen beim
Bundesgerichtshof zugelassenen Rechtsanwalt als Bevollmächtigten schriftlich
einzulegen.
Metternich
Dr. Friedrich
Dr.-Ing. Kapels
Fi