Rechtsprechung / BPatG / 2021
BPatG Beschluss vom 22.06.2021 – 23 W (pat) 22/19
23. Senat · ECLI:DE:BPatG:2021:220621B23Wpat22.19.0
BUNDESPATENTGERICHT
23 W (pat) 22/19 _______________________
(Aktenzeichen)
Verkündet am
22. Juni 2021
…
B E S C H L U S S
In der Beschwerdesache
betreffend die Patentanmeldung 102 13 395.6
…
hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf
die mündliche Verhandlung vom 22. Juni 2021 unter Mitwirkung des Vorsitzenden
Richters Dr. Strößner sowie der Richter Dr. Friedrich, Dr. Himmelmann und Dr.
Kapels
ECLI:DE:BPatG:2021:220621B23Wpat22.19.0
beschlossen:
1. Der Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen
Patent- und Markenamts vom 14. Mai 2019 wird aufgehoben.
2. Es wird ein Patent erteilt mit der Bezeichnung „Indiumgalliumnitrid-
Glättungsstrukturen für III-Nitrid-Anordnungen“, dem Anmeldetag
26. März 2002 unter Inanspruchnahme der Priorität US 823732 vom
29. März 2001 auf der Grundlage folgender Unterlagen:
- Patentansprüche 1 bis 20,
- Beschreibungsseiten 1 bis 18,
jeweils überreicht
in der
mündlichen Verhandlung am 22. Juni 2021;
-
11 Blatt Zeichnungen mit Figuren 1 bis 5, 6A, 6B, 6C, 7 bis 10,
11A, 11B, 12 und 13 eingegangen im Deutschen Patent- und
Markenamt am Anmeldetag.
G r ü n d e
I.
Die vorliegende Anmeldung mit dem Aktenzeichen 102 13 395.6 und der
Bezeichnung „Indiumgalliumnitrid-Glättungsstrukturen für III-Nitrid-Anordnungen“
wurde am 26. März 2002 unter Inanspruchnahme der US-Priorität 09/823732 vom
29. März 2001 beim Deutschen Patent- und Markenamt eingereicht und am 10.
Oktober 2002 mit der DE 102 13 395 A1 offengelegt. Prüfungsantrag wurde wirksam
am 13. März 2009 gestellt.
Die Prüfungsstelle für Klasse H01L hat im Prüfungsverfahren auf den Stand der
Technik gemäß den Druckschriften
GB 2 338 107 A
US 5 793 054 A
US 5 587 593 A
JP 2000 - 216 432 A (mit englischer Maschinenübersetzung)
JP 11-008 437 A (mit englischer Maschinenübersetzung)
D1
D2
D3
D4
D5
verwiesen und im ersten Prüfungsbescheid vom 11. Dezember 2013 u. a.
ausgeführt, dass die Licht emittierende Anordnung des ursprünglichen Anspruchs 1
nicht neu sei hinsichtlich Druckschrift D1 und die des ursprünglichen Anspruchs 21
dem Fachmann durch die Druckschrift D1 i.V.m. Druckschrift D3 nahegelegt werde.
Das Verfahren des ursprünglichen Anspruchs 24 sei ebenfalls nicht neu bezüglich
Druckschrift D1 und die Display-Anordnung nach Anspruch 27 beruhe auf keiner
erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns. Die Licht emittierende Anordnung des
ursprünglichen Anspruchs 11 sei hingegen patentfähig bezüglich der
im
Erstbescheid angeführten Druckschriften D1 bis D3.
Mit Eingabe vom 4. April 2014 hat die Anmelderin einen lediglich hinsichtlich der
Bezugszeichen geänderten Anspruchssatz vorgelegt, zu dem die Prüfungsstelle mit
Bescheid vom 19. Juli 2018 – zusätzlich zu Bedenken betreffend die Einheitlichkeit
und Anspruchsformulierung – unter Verweis auf die in einer Nachrecherche
ermittelten Druckschriften D4 und D5 ausgeführt hat, dass die Anordnungen der
Ansprüche 1, 11 und 21 sowie das Verfahren nach Anspruch 24 nicht neu seien
gegenüber Druckschrift D4 bzw. D5 und dass die Anordnung nach Anspruch 27
dem Fachmann durch Druckschrift D1 nahegelegt werde.
In der weiteren Eingabe vom 14. Januar 2019 hat die Anmelderin einen weiter
geänderten Anspruchssatz eingereicht, woraufhin die Prüfungsstelle zur Anhörung
am 14. Mai 2019 geladen und im beigelegten Zusatz dargelegt hat, dass die Licht
emittierenden Anordnungen der neuen selbständigen Ansprüche 1, 10 und 19 aus
Druckschrift D4 bzw. D5 bekannt seien und dem Fachmann die Anordnung des
Anspruchs 1 auch durch die Druckschrift D5 nahegelegt werde. Zudem sei das
Verfahren des Anspruchs 22 nicht neu bezüglich Druckschrift D4 und werde dem
Fachmann auch durch D5 nahegelegt. Die Anordnung nach Anspruch 25 beruhe
ebenfalls auf keiner erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns.
Zum Ende der am 14. Mai 2019 durchgeführten Anhörung, zu der die Anmelderin
entsprechend ihrer Eingabe vom 6. Mai 2019 nicht erschienen war, hat die
Prüfungsstelle die Anmeldung aus den im Ladungszusatz dargelegten Gründen
zurückgewiesen.
Gegen diesen der Anmelderin am 17. Mai 2019 zugestellten Beschluss richtet sich
die am 6. Juni 2019 beim Deutschen Patent- und Markenamt elektronisch
eingegangene Beschwerde mit der nachgereichten Beschwerdebegründung vom
28. Mai 2021.
In der mündlichen Verhandlung am 22. Juni 2021 hat die Anmelderin einen neuen
Anspruchssatz und eine neue Beschreibung vorgelegt.
Sie beantragt:
1.
den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen
Patent- und Markenamts vom 14. Mai 2019 aufzuheben.
2.
Ein Patent zu erteilen mit der Bezeichnung „Indiumgalliumnitrid-
Glättungsstrukturen für III-Nitrid-Anordnungen“, dem Anmeldetag 26.
März 2002 unter Inanspruchnahme der Priorität US 823732 vom 29.
März 2001 auf der Grundlage folgender Unterlagen:
- Patentansprüche 1 bis 20,
- Beschreibungsseiten 1 bis 18, jeweils überreicht in der mündlichen
Verhandlung am 22. Juni 2021;
-
11 Blatt Zeichnungen mit Figuren 1 bis 5, 6A, 6B, 6C, 7 bis 10, 11A,
11B, 12 und 13 eingegangen im Deutschen Patent- und Markenamt
am Anmeldetag.
Die in der mündlichen Verhandlung eingereichten selbständigen Ansprüche 1 und
18 haben folgenden Wortlaut:
1.
Licht emittierende III-Nitrid-Anordnung mit:
- einem Substrat (11);
- einem über dem Substrat (11) liegenden n-Gebiet (12);
- einer über dem n-Gebiet (12) liegenden Indium enthaltenden
Glättungsschicht (14, 60),
o wobei die Glättungsschicht (14, 60) zumindest 200∙10-10 m
(Ångström) dick ist;
- einer über der Glättungsschicht (14, 60) liegenden Spacerschicht (15);
o wobei die Spacerschicht eine Dicke von 10∙10-10 m bis 200∙10-10
m aufweist;
- einem über der Spacerschicht (15) liegenden aktiven Gebiet (16);
- einem über dem aktiven Gebiet (16) liegenden p-Gebiet (17),
wobei die Glättungsschicht (14, 60) eine größere Dotierstoffkonzentration
enthält als die Spacerschicht (15) und das n- Gebiet (12) höher dotiert ist
als die Glättungsschicht (14, 60) und eine Oberfläche der Glättungsschicht
(14, 60) weniger als einen halben Mikrometer von einer Oberfläche des
aktiven Gebietes (16) liegt,
und wobei die Glättungsschicht (14) InGaN ist, das einen In-Anteil zwischen
etwa 2 und etwa 12 Prozent hat.
18. Verfahren zum Bilden einer Licht emittierenden III-Nitrid-Anordnung, gemäß
wenigstens einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Verfahren
umfasst:
- Aufwachsen eines über einem Substrat (11) liegenden n-Gebietes
(12);
- Aufwachsen einer über einem n-Gebiet (12) liegenden Indium
enthaltenden Glättungsschicht (14, 60) bis zu einer Dicke von
zumindest 200∙10-10 m (Ångström),
- Aufwachsen einer über der Glättungsschicht (14, 60) liegenden
Spacerschicht (15) bis zu einer Dicke von 10∙10-10 m bis 200∙10-10 m;
- Aufwachsen eines über der Spacerschicht (15) liegenden aktiven
Gebiets (16);
- Aufwachsen eines über dem aktiven Gebiet (16) liegenden p-Gebiets
(17);
wobei die Glättungsschicht (14, 60) eine größere Dotierstoffkonzentration
enthält als die Spacerschicht (15) und das n-Gebiet (12) höher dotiert ist als
die Glättungsschicht (14, 60) und eine Oberfläche der Glättungsschicht (14)
weniger als einen halben Mikrometer von einer Oberfläche des aktiven
Gebietes (16) liegt,
wobei die Glättungsschicht (14) InGaN ist, das einen In-Anteil zwischen
etwa 2 und etwa 12 Prozent hat.
Hinsichtlich der abhängigen Ansprüche 2 bis 17, 19 und 20 sowie der weiteren
Unterlagen und Einzelheiten wird auf den Akteninhalt verwiesen.
II.
Die form- und fristgerecht erhobene Beschwerde der Anmelderin ist zulässig und
erweist sich nach dem Ergebnis der mündlichen Verhandlung vom 22. Juni 2021
auch als begründet. Sie führt zur Aufhebung des Beschlusses der Prüfungsstelle für
Klasse H01L vom 14. Mai 2019 und zur Erteilung des Patents gemäß dem in der
mündlichen Verhandlung gestellten Antrag (§ 79 Abs. 1 PatG i. V. m. § 49 Abs. 1
PatG), denn die geltenden Patentansprüche sind zulässig (§ 38 PatG), und ihre
gewerblich anwendbare Lehre (§ 5 PatG) ist auch patentfähig (§§ 1 bis 4 PatG).
Als Fachmann
ist hier
ein Physiker oder Elektrotechnikingenieur mit
Hochschulabschluss und Erfahrung im Bereich der Entwicklung GaN-basierter
Leuchtdioden zu definieren.
1.
Die Anmeldung betrifft eine Licht emittierende Halbleiterdiode (LED).
Deren Funktionsprinzip besteht darin, dass eine n-dotierte mit einer p-dotierten
Halbleiterschicht in Kontakt gebracht und an der entstandenen pn-Halbleiterdiode
in Durchlassrichtung eine Spannung angelegt wird, wodurch die Elektronen des n-
Halbleiters mit den Löchern des p-Halbleiters rekombinieren und bei geeigneten
Materialien Licht emittiert wird. Zur Erhöhung der Lichtemission wird bei
hocheffizienten LEDs eine aktive Schicht an der Grenzfläche zwischen dem n- und
p-Halbleiter eingefügt, die eine Abfolge unterschiedlicher Halbleiterschichten
umfasst, die
sog. Heterostrukturen bilden und den Elektron-Loch-
Rekombinationsprozess unterstützen.
Bevorzugte Materialsysteme für die Herstellung hocheffizienter und lichtstarker
LEDs mit einem Emissionsspektrum im sichtbaren Spektralbereich sind Halbleiter
der Gruppe
III-V,
insbesondere
binäre,
ternäre
und
quaternäre
Verbindungshalbleiter aus Gallium, Aluminium, Indium und Stickstoff, die auch als
III-Nitridmaterialien bezeichnet werden. Typischerweise werden solche
III-
Nitridschichten auf Saphir-, Siliciumcarbid- oder Galliumnitridsubstraten epitaktisch
aufgewachsen, wobei Saphirsubstrate trotz ihrer relativ schlechten strukturellen und
thermischen Anpassung an III-Nitridschichten besonders häufig verwendet werden,
da Saphirkristalle (Al2O3) zur hexagonalen Symmetriegruppe gehören und mit
atomar glatter Oberfläche hinreichend kostengünstig verfügbar sowie einfach
handhabbar und gut zu reinigen sind.
Für eine hohe Lichtausbeute ist die Qualität der Schichtgrenzflächen zwischen den
einzelnen Schichten ausschlaggebend und dabei insbesondere die Qualität der
Schichtgrenzflächen unter und in dem aktiven Gebiet. Diese hängt in starkem Maß
von dem Zustand der Aufwachsfläche ab, wobei eine unzureichende Reinheit oder
Orientierung der Substratoberfläche sowie schlechte Aufwachsbedingungen und
Verunreinigungen zu einer schlechten Aufwachsqualität führen.
Ein mögliches Verfahren für die Bereitstellung von GaN-Schichten mit glatter
Oberflächenmorphologie besteht darin, zunächst eine dicke GaN-Schicht bei einer
hohen Temperatur von ungefähr 1100 °C und unter hohen molaren
Gasphasenkonzentrationsverhältnissen
von Gruppe-V-Gruppe-III-Elementen
aufzuwachsen. Denn derart aufgewachsene GaN-Schichten haben im Vergleich zu
unter Standard-Aufwachsbedingungen aufgewachsenen GaN-Schichten ein hohes
Verhältnis der lateralen zur vertikalen Aufwachsgeschwindigkeit, was es den GaN-
Schichten ermöglicht, über raue Oberflächen hin zu wachsen und eine glatte
Oberfläche für das Aufwachsen nachfolgender Schichten auszubilden. Um jedoch
eine glatte, plane Oberfläche zu erhalten, müssen auf diese Weise aufgewachsene
GaN-Schichten dick sein, was eine lange Aufwachsdauer erfordert.
Vor diesem Hintergrund liegt der Anmeldung als technisches Problem die Aufgabe
zugrunde, eine Licht emittierende III-Nitrid-Anordnung mit einer guten Qualität der
Schichtgrenzflächen unter und in dem aktiven Gebiet bei einer reduzierten
Aufwachsdauer sowie ein zugehöriges Herstellungsverfahren zur Verfügung zu
stellen, vgl. Seite 1 bis Seite 2, erster Absatz der Beschreibung.
Gelöst wird diese Aufgabe durch die Licht emittierende III-Nitrid-Anordnung des
Anspruchs 1 und das zugehörige Herstellungsverfahren nach Anspruch 18.
Wie in der nachfolgend wiedergegebenen Fig. 1 der Anmeldung dargestellt, weist
die beanspruchte III-Nitrid LED ein Substrat (11) aus bspw. Saphir, ein über dem
Substrat (11) liegendes n-Gebiet (12), eine darüber angeordnete, mindestens 20
nm dicke InGaN-Glättungsschicht (14) mit einem Indiumanteil zwischen etwa 2 und
12 Prozent, sowie darüber eine 1 bis 20 nm dicke Spacerschicht (15), das aktive
Gebiet (16) und ein p-Gebiet (17) auf. Dabei ist das n-Gebiet (12) stärker dotiert als
die Glättungsschicht (14), die wiederum stärker dotiert ist als die Spacerschicht (15).
Zudem liegt eine Oberfläche der Glättungsschicht (14) weniger als 500 nm von einer
Oberfläche des aktiven Gebietes (16).
Die Licht emittierende III-Nitrid-Anordnung zeichnet sich neben der speziellen
Schichtfolge insbesondere durch die Dicke und Dotierung der Spacerschicht aus,
die so gewählt sind, dass a) die Spacerschicht dick genug ist, um die
Aufwachsbedingungen während der Herstellung des aktiven Gebietes zu
stabilisieren, und dünn genug
ist, um die günstigen Auswirkungen der
Glättungsschicht auf die Oberflächeneigenschaften der über der Glättungsschicht
aufgewachsenen Halbleiterschichten nicht zu schmälern, und dass b) die
Spacerschicht so dotiert ist, dass der Strom gleichmäßig im aktiven Gebiet verteilt
ist und in Kombination mit der Dicke nur unwesentlich die Durchlassspannung
verändert, vgl. Beschreibungsseite 6, Zeilen 1 bis 12.
Für das nebengeordnete Herstellungsverfahren des Anspruchs 18 gelten diese
Erläuterungen in gleicher Weise.
2.
Der in der Verhandlung überreichte Anspruchssatz ist zulässig (§ 38 PatG), da
die darin beanspruchte Anordnung und das zugehörige Herstellungsverfahren in
den ursprünglichen Unterlagen offenbart sind.
Die Ansprüche 1 und 18 des Haupt- und Hilfsantrags umfassen die Merkmale der
ursprünglichen Ansprüche 1 bzw. 24 und die den Schichtaufbau der Anordnung
bzw. des Verfahrens betreffenden Zusatzmerkmale, die in den Figuren 1 und 2
sowie in der ursprünglichen Beschreibung auf Seite 3, Zeile 14 bis Seite 4, Zeile 24
und Seite 9, Zeilen 1 bis 4 offenbart sind. Die abhängigen Ansprüche 2 bis 17, 19
und 20 sind die angepassten ursprünglichen Ansprüche 2 bis 4, 6, 8, 10 bis 14, 16,
18, 20 bis 23, 25 und 26, wobei sich die Zulässigkeit der Umformulierung der
ursprünglichen Nebenansprüche 11 und 20 als nunmehr abhängige Ansprüche 8
und 15 aus Seite 2, Zeilen 7 bis 18 und Seite 5, Zeile 5 bis Seite 6, Zeile 16 ergibt.
3.
Die Lehren der Ansprüche 1 und 18 sind für den Fachmann ausführbar (§ 34
Abs. 4 PatG), da bereits deren Wortlaut mit den Zeichnungen ausreichend ist, um
dem Fachmann eine nacharbeitbare Lehre anzugeben und
zudem
Ausführungsbeispiele im Zusammenhang mit den Figuren 1, 2 und 6A bis 6C die
beanspruchte Anordnung sowie das zugehörige Herstellungsverfahren näher
beschreiben.
4.
Die gewerblich anwendbare (§ 5 PatG) Anordnung nach Anspruch 1 und das
Herstellungsverfahren nach Anspruch 18 sind gegenüber dem ermittelten Stand der
Technik neu (§ 3 PatG) und beruhen diesem gegenüber auf einer erfinderischen
Tätigkeit (§ 4 PatG) des Fachmanns, so dass sie gegenüber diesem Stand der
Technik patentfähig sind (§ 1 Abs. 1 PatG).
Gemäß den Ansprüchen 1 und 18 umfasst die Licht emittierenden III-Nitrid-
Anordnung von unten nach oben ein Substrat, ein n-Gebiet, eine mindestens 20 nm
dicke InGaN-Glättungsschicht, eine lediglich 1 bis 20 nm dicke Spacerschicht, ein
aktives Gebiet und ein p-Gebiet.
Für eine solche Ausgestaltung einer Licht emittierenden III-Nitrid-Anordnung gibt es
in dem entgegengehaltenen Stand der Technik keine Anregung.
Die den nächstkommenden Stand
der Technik darstellende Druckschrift
D5 offenbart in der nebenstehenden
Fig.
und
der
zugehörigen
Beschreibung im Abstract und Absatz
[0020] mit den Worten des Anspruchs
1 eine
Licht emittierende III-Nitrid-Anordnung (vgl. den Titel: „Gallium Nitride Light-Emitting
Device“) mit:
-
-
-
einem Substrat (sapphire 101);
einem über dem Substrat (101) liegenden n-Gebiet (n-type-gallium-nitride
contact layer 103);
einer über dem n-Gebiet
(103)
liegenden
Indium enthaltenden
Glättungsschicht (n type In0.1Ga0.9N layer 104),
o wobei die Glättungsschicht (104) zumindest 200∙10-10 m (Ångström)
dick ist (vgl. Fig. 1 und Abs. [0020]: „The n type In0.1Ga0.9N layer 104
with a thickness of 0.1 micrometer by which silicon was added.“);
-
einer über der Glättungsschicht (104) liegenden Spacerschicht (106, vgl. Fig.
1 und Abs. [0020]: „The n-type-gallium-nitride light guide layer 106 with a
thickness of 0.1 micrometer by which silicon was added.“);
o wobei die Spacerschicht (106) eine Dicke von 10∙10-10 m bis 200
1000∙10-10 m aufweist;
-
-
einem über der Spacerschicht (106) liegenden aktiven Gebiet (undoped
multiple quantum well structure active layer 107);
einem über dem aktiven Gebiet (107) liegenden p-Gebiet (vgl. Fig. 1 und Abs.
[0020]: „The p type Al0.2Ga0.8N layer 108 with a thickness of 200 A by which
magnesium was added.“),
wobei die Glättungsschicht (14, 60) eine größere Dotierstoffkonzentration enthält
als die Spacerschicht (15) und das n-Gebiet
(12) höher dotiert ist als die
Glättungsschicht (14, 60) und eine Oberfläche der Glättungsschicht (14, 60) weniger
als einen halben Mikrometer von einer Oberfläche des aktiven Gebietes (16) liegt,
und wobei die Glättungsschicht (n type In0.1Ga0.9N layer 104) InGaN ist, das einen
In-Anteil zwischen etwa 2 und etwa 12 Prozent hat.
Jedoch sind aus Druckschrift D5 nicht die Merkmale des Anspruchs 1 bekannt,
wonach
(a) die Spacerschicht (15) eine Dicke von 1 nm bis 20 nm aufweist,
(b) die Glättungsschicht (14, 60) eine größere Dotierstoffkonzentration enthält
als die Spacerschicht (15)
(c) das n-Gebiet (12) höher dotiert ist als die Glättungsschicht (14, 60) und
(d) eine Oberfläche der Glättungsschicht (14, 60) weniger als einen halben
Mikrometer von einer Oberfläche des aktiven Gebietes (16) liegt.
Insbesondere hat die der Spacerschicht
(15) der beanspruchten Anordnung
entsprechende Lichtleiterschicht (106) von Fig. 1 der Druckschrift D5 eine Dicke von
100 nm und ist daher mindestens fünfmal so dick wie die Spacerschicht der
beanspruchten Vorrichtung. Ausgehend von Druckschrift D5 gibt es für den
Fachmann aber keinen Anlass, die Lichtleiterschicht entsprechend obigem Merkmal
(a) mit einer Dicke von lediglich 1 bis 20 nm auszubilden, weil dann deren
lichtleitende Eigenschaften nicht mehr in ausreichenden Maße erfüllt wären.
Auch in Kombination mit den weiteren Druckschriften D1 bis D4 gibt es für den
Fachmann keinen diesbezüglichen Hinweis, zumal keine dieser Druckschriften die
beanspruchte Schichtenfolge offenbart.
Die Anordnung des Anspruchs 1 ist daher neu gegenüber den Druckschriften D1
bis D5, und sie wird dem Fachmann durch diesen Stand der Technik auch nicht
nahegelegt, so dass sie patentfähig ist.
Dies gilt in gleicher Weise für das zugehörige Herstellungsverfahren des
selbständigen Anspruchs 18.
5.
Den selbständigen Ansprüchen 1 und 18 können sich die Unteransprüche 2
bis 17 bzw. 19 und 20 anschließen, da sie die Anordnung nach Anspruch 1 bzw.
das Verfahren nach Anspruch 18 vorteilhaft weiterbilden. Zudem sind in der
geltenden Beschreibung mit Zeichnung die Gegenstände der Ansprüche
ausreichend erläutert.
6.
Bei dieser Sachlage war der angefochtene Beschluss der Prüfungsstelle für
Klasse H01L vom 14. Mai 2019 aufzuheben und das Patent im beantragten Umfang
zu erteilen.
III.
R e c h t s m i t t e l b e l e h r u n g
Gegen diesen Beschluss
steht der Anmelderin das Rechtsmittel der
Rechtsbeschwerde zu. Da der Senat die Rechtsbeschwerde nicht zugelassen hat,
ist sie nur statthaft, wenn einer der nachfolgenden Verfahrensmängel gerügt wird,
nämlich
1. dass das beschließende Gericht nicht vorschriftsmäßig besetzt war,
2. dass bei dem Beschluss ein Richter mitgewirkt hat, der von der
Ausübung des Richteramtes kraft Gesetzes ausgeschlossen oder
wegen Besorgnis der Befangenheit mit Erfolg abgelehnt war,
3. dass einem Beteiligten das rechtliche Gehör versagt war,
4. dass ein Beteiligter im Verfahren nicht nach Vorschrift des Gesetzes
vertreten war, sofern er nicht der Führung des Verfahrens
ausdrücklich oder stillschweigend zugestimmt hat,
5. dass der Beschluss aufgrund einer mündlichen Verhandlung
ergangen ist, bei der die Vorschriften über die Öffentlichkeit des
Verfahrens verletzt worden sind, oder
6. dass der Beschluss nicht mit Gründen versehen ist.
Die Rechtsbeschwerde ist
innerhalb eines Monats nach Zustellung des
Beschlusses
schriftlich durch einen beim Bundesgerichtshof zugelassenen Rechtsanwalt als
Bevollmächtigten beim Bundesgerichtshof, Herrenstr. 45 a, 76133 Karlsruhe,
einzureichen oder
durch einen beim Bundesgerichtshof
zugelassenen Rechtsanwalt als
Bevollmächtigten in elektronischer Form.
Zur Entgegennahme elektronischer Dokumente ist die elektronische Poststelle des
Bundesgerichtshofs bestimmt. Die elektronische Poststelle des Bundesgerichtshofs
ist über die auf der
Internetseite www.bundesgerichtshof.de/erv.html
bezeichneten Kommunikationswege erreichbar. Die Einreichung erfolgt durch die
Übertragung des elektronischen Dokuments in die elektronische Poststelle.
Elektronische Dokumente sind mit einer qualifizierten elektronischen Signatur oder
mit einer fortgeschrittenen elektronischen Signatur zu versehen.
Dr. Strößner
Dr. Friedrich
Dr. Himmelmann
Dr. Kapels