BPatG Beschluss vom 06.07.2021 – 23 W (pat) 20/19

BUNDESPATENTGERICHT

23 W (pat) 20/19 _______________________

(Aktenzeichen)

Verkündet am

6. Juli 2021

…

B E S C H L U S S

In der Beschwerdesache

…

betreffend die Patentanmeldung 10 2014 106 472.0

hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf

die mündliche Verhandlung vom 6. Juli 2021 unter Mitwirkung des Vorsitzenden

Richters Dr. Strößner und der Richter Dr. Friedrich, Dr. Himmelmann und

Dr. Kapels

ECLI:DE:BPatG:2021:060621B23Wpat20.19.0

beschlossen:

1. Der Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen Patent-

und Markenamts vom 3. Mai 2019 wird aufgehoben.

2. Es wird ein Patent erteilt mit der Bezeichnung

„Verfahren zum

Strahlungsritzen eines Halbleitersubstrats“, dem Anmeldetag 8. Mai 2014

unter Inanspruchnahme der Priorität EP 13 167 717 vom 14. Mai 2013 auf

der Grundlage folgender Unterlagen:

- Patentansprüche 1 bis 11,

- Beschreibungsseiten 1, 5, 6 und 15, jeweils überreicht in der mündlichen

Verhandlung am 6. Juli 2021;

- Beschreibungsseiten 2 bis 4, 7 bis 14 und 16 bis 29, eingegangen im

Deutschen Patent- und Markenamt am 6. August 2014;

- Beschreibungsseite 5a, eingegangen

im Deutschen Patent- und

Markenamt am 14. April 2016;

-

6 Blatt Zeichnungen mit Figuren 1 bis 6, eingegangen im Deutschen

Patent- und Markenamt am 6. August 2014.

G r ü n d e

I.

Die vorliegende Anmeldung mit dem Aktenzeichen 10 2014 106 472.0 und der

Bezeichnung „Verfahren zum Strahlungsritzen eines Halbleitersubstrats“ wurde am

8. Mai 2014 beim Deutschen Patent- und Markenamt unter Inanspruchnahme der

europäischen Priorität EP 13 167 717 vom 14. Mai 2013 in englischer Sprache

angemeldet. Mit Eingabe vom 6. August 2014 wurde eine deutsche Übersetzung

der ursprünglichen Unterlagen eingereicht, die mit der DE 10 2014 106 472 A1 am

20. November 2014 offengelegt wurde. Mit Schriftsatz vom 17. September 2014

wurde Prüfungsantrag nach § 44 PatG gestellt.

Die Prüfungsstelle für Klasse H01L hat im Prüfungsverfahren auf den Stand der

Technik gemäß den folgenden Druckschriften verwiesen:

D1

US 2007 / 0 272 668 A1,

D2 WO 2011/ 116 968 A2

und

D3

US 2005 / 0 101 108 A1.

Sie hat in zwei Prüfungsbescheiden und einer Anhörung am 4. Februar 2019

ausgeführt, dass die Gegenstände der zu diesen Zeitpunkten jeweils geltenden

unabhängigen Ansprüche aufgrund fehlender erfinderischer Tätigkeit (§ 4 PatG)

nicht patentfähig seien (§ 1 Abs. 1 PatG).

Die Anmelderin hat in einer Eingabe vom 14. April 2016, mit der sie auch einen Satz

geänderte Ansprüche eingereicht hat, sowie in der Anhörung den Ausführungen der

Prüfungsstelle widersprochen.

In der am 4. Februar 2019 durchgeführten Anhörung wurde darüber hinaus ein

voraussichtlich patentfähiger Gegenstand erarbeitet. Zur Einreichung einer

Reinschrift wurde eine Frist von zwei Monaten vereinbart und ins schriftliche

Verfahren zurückgekehrt. Mit Eingabe vom 3. April 2019 erklärte die Anmelderin,

dass keine neuen Ansprüche eingereicht würden und beantragte, auf Basis der

Ansprüche vom 14. April 2016 einen beschwerdefähigen Beschluss zu erlassen.

In der Folge hat die Prüfungsstelle die Anmeldung mit Beschluss vom 3. Mai 2019

zurückgewiesen. In ihrer Beschlussbegründung hat sie ausgeführt, dass der

Gegenstand des Anspruchs 1 zwar ursprünglich offenbart und neu sei, dem

Fachmann aber aus der Druckschrift D1 in Verbindung mit der Druckschrift D2

nahegelegt sei, so dass dieser aufgrund fehlender erfinderischer Tätigkeit (§ 4

PatG) nicht patentfähig sei (§ 1 Abs. 1 PatG).

Gegen diesen der Anmelderin am 13. Mai 2019 zugestellten Beschluss hat die

Anmelderin mit Schriftsatz vom 3. Juni 2019, am selben Tag beim Deutschen

Patent- und Markenamt per Fax eingegangen, Beschwerde eingelegt und mit

Schreiben vom 26. Juni 2019 begründet.

Mit Schreiben vom 15. Juni 2021 sind der Anmelderin vom Senat die Druckschriften

D4

JP 2011-156551 A

und

D4a Maschinenübersetzung der Beschreibung der JP 2011-156551 A ins

Englische [abgerufen beim EPA am 10.06.2021]

zugesandt und deren Relevanz erläutert worden.

In der mündlichen Verhandlung am 6. Juli 2021 hat die Anmelderin neben neuen

Beschreibungsseiten 1, 5, 6 und 15 einen neuen Anspruchssatz mit Ansprüchen 1

bis 11 vorgelegt.

Sie beantragt:

1. den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen Patent-

und Markenamts vom 3. Mai 2019 aufzuheben.

2. Ein Patent zu erteilen mit der Bezeichnung „Verfahren zum Strahlungsritzen

eines Halbleitersubstrats“,

dem Anmeldetag

8. Mai 2014

unter

Inanspruchnahme der Priorität EP 13 167 717 vom 14. Mai 2013 auf der

Grundlage folgender Unterlagen:

- Patentansprüche 1 bis 11,

- Beschreibungsseiten 1, 5, 6 und 15, jeweils überreicht in der mündlichen

Verhandlung am 6. Juli 2021;

- Beschreibungsseiten 2 bis 4, 7 bis 14 und 16 bis 29, eingegangen im

Deutschen Patent- und Markenamt am 6. August 2014;

- Beschreibungsseite 5a, eingegangen

im Deutschen Patent- und

Markenamt am 14. April 2016;

-

6 Blatt Zeichnungen mit Figuren 1 bis 6, eingegangen im Deutschen

Patent- und Markenamt am 6. August 2014.

Der in der mündlichen Verhandlung überreichte Anspruch 1 lautet (Gliederung bei

unverändertem Wortlaut eingefügt):

1.

1.1

1.2

Verfahren zum Strahlungsritzen eines planaren Halbleitersubstrats

unter Verwendung einer Laserritzvorrichtung,

wobei eine Rille, die nicht die volle Dicke des Substrats durchdringt,

entlang einer Ritzlinie gebildet wird, die sich zwischen

gegenüberliegenden Reihen von Halbleitervorrichtungen auf einer

Targetfläche des Substrats erstreckt,

1.3

wobei ein kartesisches Koordinatensystem XYZ definiert wird, bei

dem:

1.3.1

- die Targetfläche in der XY-Ebene liegt;

1.3.2

- die Rille sich parallel zur Y-Richtung erstreckt, mit einer Breite in

der X-Richtung;

dabei gilt für dieses Verfahren:

1.4

- Das Substrat

ist auf einem beweglichen Substrathalter

eingespannt, um so die Targetfläche einem Laserritzkopf zu

präsentieren;

1.5

- Die relative Bewegung wird zwischen dem Substrathalter und dem

Ritzkopf bewirkt, um so zu erreichen, dass die Laserstrahlung vom

Kopf entlang eines Verlaufs der Ritzlinie versetzt wird,

1.6

wobei bei Betrachtung in der XY-Ebene der Laserritzkopf ein

zweidimensionales Array von Laserstrahlpunkten zum Bilden der

Rille erzeugt,

1.7

wobei das zweidimensionale Array mehrere Laserstrahlpunkte

entlang der Breite der Rille und mehrere Laserstrahlpunkte entlang

der Länge der Rille umfasst,

1.8

wobei nicht alle Laserstrahlpunkte dieselbe Strahlenintensität

haben,

1.9

wobei die Strahlenintensität von einem oder mehreren

Laserstrahlpunkten anpassbar ist.

Der selbstständige Anspruch 11 lautet (Gliederung bei unverändertem Wortlaut

eingefügt):

11.

Vorrichtung

zum

Strahlungsritzen

eines

planaren

Halbleitersubstrats unter Verwendung von Laserstrahlung

11.1

unter Verwendung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1

bis 10,

11.2

wobei eine Rille, die nicht die volle Dicke des Substrats durchdringt,

entlang einer Ritzlinie gebildet wird, die sich zwischen

gegenüberliegenden Reihen von Halbleitervorrichtungen auf einer

Targetfläche des Substrats erstrecken, wobei die Vorrichtung

Folgendes umfasst:

11.3

11.4

- einen Laserritzkopf zum Erzeugen der Laserstrahlung;

- einen beweglichen Substrathalter, auf dem das Substrat so

festklemmbar

ist, dass die Targetfläche dem Laserritzkopf

dargeboten wird;

11.5

- Mittel zum Erzeugen einer Relativbewegung zwischen dem

Substrathalter und dem Ritzkopf, um so zu bewirken, dass

Laserstrahlung vom Kopf entlang eines Verlaufs der Ritzlinie

versetzt wird,

dadurch gekennzeichnet,

11.6

dass der Laserritzkopf so verkörpert wird, dass er ein

zweidimensionales Array von Laserstrahlen zum Bilden der Rille

erzeugt.

Hinsichtlich der Unteransprüche 2 bis 10, sowie der weiteren Einzelheiten wird auf

den Akteninhalt verwiesen.

II.

Die form- und fristgerecht erhobene Beschwerde der Anmelderin ist zulässig und

erweist sich nach dem Ergebnis der mündlichen Verhandlung vom 6. Juli 2021 auch

als begründet. Sie führt zur Aufhebung des Beschlusses der Prüfungsstelle für

Klasse H01L vom 3. Mai 2019 und zur Erteilung des Patents gemäß dem in der

mündlichen Verhandlung gestellten Antrag (§ 79 Abs. 1 PatG i. V. m. § 49 Abs. 1

PatG), denn die geltenden Patentansprüche sind zulässig (§ 38 PatG), und ihre

gewerblich anwendbare Lehre (§ 5 PatG) ist auch patentfähig (§§ 1 bis 4 PatG).

1. Die Anmeldung betrifft ein Verfahren zum Strahlungsritzen eines planaren

Halbleitersubstrats, sowie eine Vorrichtung zum Strahlungsritzen (vgl. geltende

Beschreibung, S. 1, erster und zweiter Absatz). Das Ritzen von Halbleitersubstraten

unter Verwendung einer Laserritzvorrichtung ist ein bekanntes Verfahren in der

Halbleiterproduktion. Es wird insbesondere auf Halbleitersubstrate angewendet, die

eine relativ spröde und/oder schlecht haftende obere Schicht umfassen, z.B. wie im

Fall einer sogenannten oberen ”low-k”-Dielektrikumsschicht. Solche Deckschichten,

die normalerweise 1 - 10 Mikrometer dick sind, sind mit mechanischen Mitteln

schwierig zu ritzen, da diese häufig ein Zerspringen und/oder eine Ablösung der

Deckschicht in Bereichen verursachen, die an die vorgesehene Rille grenzen. Durch

Verwendung eines Strahlungsritzwerkzeugs können diese Deckschichten besser

abgetragen werden. Entsprechende Substrate werden dabei zuerst unter

Verwendung einer Laserritzvorrichtung geritzt und zu einem späteren Zeitpunkt

unter Verwendung eines mechanischen Werkzeugs vereinzelt. Ein weiterer Vorteil

ist, dass neben dem sauberen Ritzen der problematischen Deckschicht das

Strahlungsritzen auch bestimmte oberflächliche Metallstrukturen, wie zum Beispiel

Testelementgruppen,

in der Vereinzelungsstraße entfernen kann. Dieses

verbessert auch die Nutzungsdauer von Klingen, die für die anschließende

mechanische Vereinzelung verwendet werden. Die Tiefe einer Strahlungsrille

beträgt normalerweise etwa 15 µm. Da die Sägeblätter, die für die nachfolgende

Vereinzelung verwendet werden, häufig relativ dick sind (z.B. etwa 50 µm), muss

die Rille selbst entsprechend breit sein, z.B. etwa 60 µm. Da der

Strahlungsritzprozess thermischer Natur ist, bewirkt dieser eine Wärmeerzeugung

innerhalb der Rille sowie in einem peripheren Bereich, der entlang der Außenkanten

der Rille verläuft. Diese an die Rille angrenzende wärmebeeinflusste Zone (HAZ)

ist ein Bereich, in dem die Temperaturen zu niedrig sind, um eine Ablation zu

bewirken, jedoch hoch genug, um andere unerwünschte thermische Effekte zu

verursachen, wie zum Beispiel Verbrennen, Schmelzen, Verfärbung oder eine

Änderung anderer physikalischer/chemischer Eigenschaften, wie zum Beispiel

einer dielektrischen Konstante, einer Impedanz, oder einer kristallinen Phase. Um

dieses HAZ-Problem zu vermeiden, kann die Breite der Vereinzelungsstraße erhöht

werden, so dass Bauelemente, die sich entlang der Rille befinden, weiter weg von

der HAZ versetzt werden. Jedoch führt eine breitere Vereinzelungsstraße zu einem

Verlust an verfügbarer Bauelementfläche auf dem Substrat und damit zu einem

unerwünschten Kostenanstieg pro Bauelement (vgl. geltende Beschreibung, S. 4,

dritter Absatz bis S. 5, dritter Absatz).

Hiervon ausgehend liegt der Anmeldung als technisches Problem die Aufgabe

zugrunde, einen verbesserten und flexibleren Strahlungsritzprozess bereitzustellen,

insbesondere einen steuerbaren Strahlungsritzprozess, der eine stärker begrenzte

wärmebeeinflusste Zone (HAZ) aufweist (vgl. geltende Beschreibung, S. 5, letzter

Absatz bis S. 5a, erster Absatz).

Gelöst wird diese Aufgabe durch das Verfahren nach Anspruch 1, sowie durch die

Vorrichtung des nebengeordneten Anspruchs 11.

2. Als Fachmann ist hier ein Physiker oder Elektroingenieur mit langjähriger

Berufserfahrung im Bereich der Waferprozessierung zu definieren.

3. Die Merkmale in den geltenden Ansprüchen bedürfen der näheren Betrachtung:

Das Verfahren gemäß Anspruch 1 dient dem Strahlungsritzen eines planaren

Halbleitersubstrats unter Verwendung einer Laserritzvorrichtung (Merkmale 1., 1.1).

Unter einem planaren Halbleitersubstrat wird ein flaches Substrat verstanden, auf

dem eine Halbleitervorrichtung oder eine andere integrierte Vorrichtung hergestellt

wird (vgl. geltende Beschreibung, S. 1, letzter Absatz bis S. 2, zweiter Absatz). Unter

einer Laserritzvorrichtung versteht der Fachmann eine Vorrichtung mit zumindest

einem Laser zum Ritzen.

Gemäß Merkmal 1.2 wird eine Rille, die nicht die volle Dicke des Substrats

durchdringt, entlang einer Ritzlinie gebildet. Unter einer Ritzlinie wird eine Linie

verstanden, entlang derer das Substrat geritzt werden soll. Bei einem

Halbleitersubstrat liegt diese Ritzlinie im Allgemeinen in einer Vereinzelungsstraße

(vgl. Beschreibung, S. 2, letzter Absatz). Die Ritzlinie erstreckt sich zwischen

gegenüberliegenden Reihen von Halbleitervorrichtungen auf einer Targetfläche des

Substrats. Die Erzeugung einer nicht die volle Dicke des Substrats durchdringenden

Rille verursacht nicht direkt das Trennen des Substrats (in Z-Richtung) (vgl.

Beschreibung, S. 3, zweiter Absatz).

Darüber hinaus wird ein kartesisches Koordinatensystem XYZ definiert, bei dem die

Targetfläche des Substrats in der XY-Ebene liegt (Merkmale 1.3, 1.3.1). Die Rille

erstreckt sich parallel zur Y-Richtung und weist eine Breite in der X-Richtung auf

(Merkmal 1.3.2).

Das Substrat ist auf einem beweglichen Substrathalter eingespannt, um die

Targetfläche des Substrats einem Laserritzkopf zu präsentieren (Merkmal 1.4).

Unter einem ”Laserritzkopf” wird eine optische Einheit verstanden, die zum

Erzeugen und Richten von Ritzlaserstrahlung

in einer Laserritzvorrichtung

verwendet werden kann. Solch ein Kopf umfasst im Allgemeinen mindestens eine

Laserquelle und eine zugehörige Bilderzeugungs-/Fokussierungsoptik. Er kann

auch eine oder mehrere Hilfskomponenten umfassen, wie zum Beispiel Strahlteiler,

optische Beugungselemente oder Filter, zum Ausführen von speziellen

Verarbeitungsoperationen bei der Laserstrahlung (vgl. Beschreibung, S. 3, zweiter

Absatz bis S. 4, erster Absatz).

Gemäß Merkmal 1.5 wird eine relative Bewegung zwischen dem Substrathalter und

dem Ritzkopf herbeigeführt, damit die Laserstrahlung des Ritzkopfes entlang eines

Verlaufs der Ritzlinie versetzt wird. Das Merkmal 1.5 verlangt dabei nur eine

Relativbewegung und definiert somit nicht, ob der Substrathalter, oder der Ritzkopf,

oder beide bewegt werden.

Dabei erzeugt der Laserritzkopf zum Bilden der Rille, bei Betrachtung in der XY-

Ebene, ein zweidimensionales Array von Laserstrahlpunkten (Merkmal 1.6). Dieses

zweidimensionale Array von Laserstrahlpunkten liegt somit in der Ebene der

Targetfläche

des

Substrats.

Die

Strahlpunkte können beispielsweise

in

einem Gittermuster angeordnet sein, wobei

jeder einzelne Strahl im Array beispielsweise

durch seinen eigenen Laser erzeugt wird,

oder die Ausgabe eines einzigen Lasers in

mehrere Teilstrahlen aufgeteilt wird (vgl.

Beschreibung, S. 12, drittletzter Absatz bis

S. 13, erster Absatz). Die Figur 3 der

Anmeldung

zeigt

beispielhaft

ein

zweidimensionales Laserstrahlarray „B“ mit

zwölf Strahlpunkten in „n“ Reihen und „m“

Spalten. Eine Ritzlinie „2“ liegt entlang der Mitte einer Vereinzelungsstraße „2'“ (vgl.

Beschreibung S. 23, letzter Absatz).

Gemäß Merkmal 1.7

umfasst

das

zweidimensionale Array mehrere

Laserstrahlpunkte entlang der Breite der Rille und mehrere Laserstrahlpunkte

entlang der Länge der Rille. Somit sind innerhalb der Rille entlang der Länge und

der Breite der Rille jeweils mehrere Laserstrahlpunkte angeordnet. Dieses

ermöglicht eine glattere Verteilung der Strahlungsenergie als im Fall eines einzigen

Strahls mit größerem Durchmesser (vgl. Beschreibung, S. 6, vierter Absatz).

Das Merkmal 1.8 präzisiert, dass nicht alle Laserstrahlpunkte dieselbe

Strahlenintensität haben. Beispielsweise können Laserstrahlen an den Rändern des

Arrays, bei Betrachtung parallel zur Rillenbreite, eine geringere Intensität als in

einem zentralen Teil des Arrays haben. Dieses ermöglicht beispielsweise eine

Erzeugung eines

trogförmigen statt eines

flachen Rillenbodens und eine weitere

Reduzierung der wärmebeeinflussten Zone

(HAZ) (vgl. Figur 4). Durch Verwenden einer

etwas

schwächeren

"nachlaufenden"

Strahlintensität an der Rückseite des Arrays

kann ein "thermischer Nachbehandlungseffekt"

auf dem Boden der Rille erreicht werden, der

die Rauheit der Bodenfläche reduziert. Durch

Verwenden einer schwächeren "führenden" Strahlintensität an der Vorderseite des

Arrays kann ein "thermischer Vorbehandlungseffekt" auf die Oberfläche des

Substrats, beispielsweise eine relativ sanfte Ritzung von sprödem Low-k-Material,

erreicht werden (vgl. Beschreibung, S. 8, erster Absatz bis S. 10, erster Absatz; S.

24, zweiter bis letzter Absatz, sowie Figur 4).

Darüber hinaus

ist die Strahlenintensität von einem oder mehreren

Laserstrahlpunkten anpassbar (Merkmal 1.9). Dabei wird bewusst die Intensität von

einem oder mehreren Strahlen beispielsweise so angepasst, dass sie zu schwach

sind, um eine Ablösung zu verursachen, aber stark genug sind, um eine Erwärmung

(und Schmelzen) zu bewirken, so dass eine nichtablative thermische Verarbeitung

durchgeführt werden kann (vgl. S. 7, erster Absatz).

Der nebengeordnete Anspruch 11 bezieht sich auf eine Vorrichtung zum

Strahlungsritzen eines planaren Halbleitersubstrats unter Verwendung von

Laserstrahlung. Diese Vorrichtung verwendet ein Verfahren nach einem der

Ansprüche 1 bis 10.

4. Die in der Verhandlung überreichten Ansprüche 1 bis 11 sind zulässig.

Der Anspruch 1 geht aus dem ursprünglichen englischsprachigen Anspruch 1

hervor. Diesem sind die Merkmale 1. bis 1.6 zu entnehmen, wobei die Änderungen

in den Merkmalen 1.2 und 1.6 in der ursprünglichen englischsprachigen

Beschreibung auf der Seite 2, Zeilen 22 bis 25, sowie Seite 4, Zeilen 24 bis 26

offenbart sind. Die Merkmale 1.7 bis 1.9 sind in der ursprünglichen Beschreibung

auf der Seite 4, Zeilen 24 bis 31, auf der Seite 5, Zeilen 3 bis 5, sowie im

ursprünglichen Anspruch 8 offenbart.

Der nebengeordnete Anspruch 11 geht aus dem ursprünglichen englischsprachigen

Anspruch 12 hervor. Das hinzugefügte Merkmal 11.1 ist der ursprünglichen

Beschreibung, Seite 12, Zeilen 31 bis 33, zu entnehmen.

Die Unteransprüche 2 bis 10 entsprechen den ursprünglichen Ansprüchen 2 bis 7

und 9 bis 11 bei Anpassung der Rückbezüge.

Die Gegenstände der Ansprüche 1 bis 11 sind somit ursprünglich offenbart und

damit zulässig.

5. Die gewerblich anwendbaren (§ 5 PatG) Gegenstände der geltenden Ansprüche

1 und 11 sind jeweils gegenüber dem ermittelten Stand der Technik neu (§ 3 PatG)

und beruhen diesem gegenüber auf einer erfinderischen Tätigkeit (§ 4 PatG) des

Fachmanns, so dass sie patentfähig sind (§ 1 Abs. 1 PatG).

5.1 Die Druckschrift D4 bzw. D4a offenbart in Übereinstimmung mit dem Wortlaut

des geltenden Anspruchs 1 ein

1.

Verfahren zum Strahlungsritzen eines planaren Halbleitersubstrats

(vgl. D4a, Abs.

[0001]: „forming a laser machining groove by

irradiating a laser beam along a street formed on the surface of a

workpiece such as a semiconductor wafer“)

1.1

unter Verwendung einer Laserritzvorrichtung (vgl. Abs.

[0017]:

„laser processing apparatus“ und Fig. 1),

1.2

wobei eine Rille („groove 101“), die nicht die volle Dicke des

Substrats durchdringt, entlang einer Ritzlinie („street 14“) gebildet

wird, die sich zwischen gegenüberliegenden Reihen von

Halbleitervorrichtungen auf einer Targetfläche des Substrats

erstreckt (vgl. Abs. [0032]: „In the semiconductor wafer 10 shown in

FIGS. 9 and 10, a plurality of devices 13 such as ICs and LSIs are

arranged in a matrix by a laminate 12 in which an insulating film and

a functional film forming a circuit are laminated on the surface of a

semiconductor substrate 11 such as silicon is formed in. Each

device 13 is partitioned by streets 14 formed in a grid pattern.“,

[0039]:

„a laser processing groove 101 … deeper than the

laminated body 12 is simultaneously formed.” und Fig. 12, 13),

1.3

wobei ein kartesisches Koordinatensystem XYZ definiert wird (vgl.

Fig. 1), bei dem:

1.3.1

- die Targetfläche in der XY-Ebene liegt (vgl. Fig. 1, 11, 12 (b));

1.3.2

- die Rille sich parallel zur Y-Richtung erstreckt, mit einer Breite in

der X-Richtung (vgl. Fig. 11, 12 (b), 13; welche der beiden

Richtungen mit x oder y bezeichnet wird, ist für den Fachmann

beliebig);

dabei gilt für dieses Verfahren:

1.4

- Das Substrat

ist auf einem beweglichen Substrathalter

eingespannt, um so die Targetfläche einem Laserritzkopf zu

präsentieren (vgl. Abs. [0036]: „When the street 14 formed on the

semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36 is detected as

described above and the laser beam irradiation position is aligned,

the chuck table is as shown in FIG. 12 (a)“);

1.5

- Die relative Bewegung wird zwischen dem Substrathalter und dem

Ritzkopf bewirkt, um so zu erreichen, dass die Laserstrahlung vom

Kopf entlang eines Verlaufs der Ritzlinie versetzt wird (vgl. Abs.

[0037]: „Next, the chuck table 36 is determined in the direction

indicated by the arrow X1 in FIG. 12A while irradiating the four laser

beams LB2x, LB2y and LB2x, LB2y from the condenser 6 by

operating the laser beam irradiating means 52.

(Laser beam

irradiation process).“),

1.6teils wobei bei Betrachtung in der XY-Ebene der Laserritzkopf ein

[ein]zweidimensionales Array von Laserstrahlpunkten zum Bilden

der Rille erzeugt (vgl. Abs. [0037]: „four laser beams LB2x, LB2y

and LB2x, LB2y“ und Fig. 12 (b)),

1.7

wobei das zweidimensionale Array mehrere Laserstrahlpunkte

entlang der Breite der Rille und mehrere Laserstrahlpunkte entlang

der Länge der Rille umfasst,

1.8

wobei nicht alle Laserstrahlpunkte dieselbe Strahlenintensität

haben,

1.9

wobei die Strahlenintensität von einem oder mehreren

Laserstrahlpunkten anpassbar ist.

Somit unterscheidet sich das Verfahren des Anspruchs 1 von dem aus Druckschrift

D4/D4a dadurch, dass ein zweidimensionales statt eines eindimensionalen Arrays

von Laserstrahlpunkten zum Bilden der Rille erzeugt wird (Merkmal 1.6rest), dass

das zweidimensionale Array mehrere Laserstrahlpunkte entlang der Breite der Rille

und mehrere Laserstrahlpunkte entlang der Länge der Rille umfasst (Merkmal 1.7),

dass nicht alle Laserstrahlpunkte dieselbe Strahlenintensität haben (Merkmal 1.8),

und dass die Strahlenintensität von einem oder mehreren Laserstrahlpunkten

anpassbar ist (Merkmal 1.9). Damit ist das Verfahren des Anspruchs 1 gegenüber

der Offenbarung der Druckschrift D4/D4a neu (§ 3 PatG).

Es beruht zudem auch auf einer erfinderischen Tätigkeit (§ 4 PatG).

Ausgehend von der im Absatz [0011] der D4/D4a dargelegten Problemstellung,

gleichzeitig sowohl eine breite Laserbearbeitungsnut zu bilden, als auch eine

effektive Bearbeitung entlang einer Bearbeitungslinie durchzuführen (vgl. Abs.

[0011]: „its main technical problem is that a wide laser machining groove can be

formed at the same time, and effective machining can be performed along a

machining line“), wobei zum einen eine breite Laserbearbeitungsnut gebildet wird,

indem mehrere optische Achsen orthogonal zur Bearbeitungsvorschubrichtung

angeordnet werden (vgl. Abs.

[0014], Z. 157 – 160: „Therefore, a wide laser

machining groove can be formed at the same time by positioning a plurality of optical

axes separated by the laser beam separating means in … the direction orthogonal

to the machining feed direction“) und zum anderen eine effektive Bearbeitung

durchgeführt

wird,

indem mehrere

optische

Achsen

in

der

Bearbeitungsvorschubrichtung positioniert werden (vgl. Abs. [0014], Z. 160 – 162:

„By positioning the plurality of optical axes formed in the processing feed direction

… effective laser processing can be performed“, sowie Abs. [0013]: „Further, the

laser beam separating means is configured to position a plurality of focused spots

of the laser beam in a direction orthogonal to the processing feed direction. Further,

the laser beam separating means is configured to position a plurality of focused

spots of the laser beam in the processing feed direction.“) verwendet der Fachmann

zwar in naheliegender Weise ein zweidimensionales Array von Laserstrahlpunkten

zum Bilden der Rille im Sinne der Merkmale 1.6rest und 1.7.

Jedoch gibt es für den Fachmann weder in Druckschrift D4/D4a noch in den übrigen

Druckschriften einen Hinweis, dass nicht alle Laserstrahlpunkte dieselbe

Strahlenintensität haben und die Strahlenintensität von einem oder mehreren

Laserstrahlpunkten anpassbar ist.

Die Druckschrift D4 offenbart zur Trennung eines Laserstrahls den Einsatz von

Doppelbrechungsstrahlteilern 621b und 622b, die beispielsweise aus Wollaston-

Polarisatoren bestehen (vgl. D4, Abs. [0025], Z. 346 - 350 und Fig. 3). Dem

Fachmann ist aus seinem Fachwissen bekannt, dass ein Wollaston-Prisma eine

optische Vorrichtung ist, die Licht mithilfe eines doppelbrechenden Materials (wie

Calcit) polarisiert. Dabei wird das einfallende Licht je nach Eingangspolarisation in

zwei rechtwinklig zueinander linear polarisierte Strahlen getrennt. Ein Hinweis auf

eine unterschiedliche und anpassbare Strahlenintensität ist der Druckschrift D4/D4a

nicht zu entnehmen.

Der Druckschrift D1 kann lediglich ein diffraktives optisches Element (DOE) zum

„beam shaping“ eines Laserstrahlpunkts entnommen werden (vgl. D1, Abs. [0021],

[0053]).

Die Druckschrift D2 lehrt dem Fachmann zwar die Verwendung eines zweidimensionalen Arrays von Laserstrahlpunkten (vgl. S. 2, Z. 28-32: „Due to the

diffraction of the DOE an incoming raw laser beam can be split into an amount of M

x N split beams, leading to M x N laser spots on the surface of the work piece.

Possible amounts are for example …, 5x5, … or 15x15 split beam and laser spots.“),

jedoch ist auch der D2 kein Hinweis auf eine unterschiedliche und anpassbare

Strahlenintensität der Laserstrahlpunkte zu entnehmen.

Die Druckschrift D3 offenbart einen ersten und einen zweiten Laserstrahl ohne

weitere Hinweise zu deren Intensität (vgl. D3, Abs. [0009], [0010]).

Das Verfahren zum Strahlungsritzen des Anspruchs 1 ist daher neu gegenüber den

Druckschriften D1 bis D4, und es wird dem Fachmann durch diesen Stand der

Technik auch nicht nahegelegt, so dass es patentfähig ist.

5.2 Für die Vorrichtung zum Strahlungsritzen des Anspruchs 11 gelten die

Ausführungen zum Anspruch 1 in gleicher Weise.

6. An den Patentanspruch 1 können sich die Unteransprüche 2 bis 10 anschließen,

da sie vorteilhafte Weiterbildungen des beanspruchten Verfahrens angeben, welche

nicht platt selbstverständlich sind.

7. In der geltenden Beschreibung ist der Stand der Technik, von dem die Erfindung

ausgeht, angegeben und die Erfindung anhand der Zeichnung ausreichend

erläutert.

8. Bei dieser Sachlage war der angefochtene Beschluss der Prüfungsstelle für

Klasse H01L aufzuheben und das Patent wie beantragt zu erteilen.

III. Rechtsmittelbelehrung

Gegen diesen Beschluss steht der Anmelderin

das Rechtsmittel der

Rechtsbeschwerde zu. Da der Senat die Rechtsbeschwerde nicht zugelassen hat,

ist sie nur statthaft, wenn einer der nachfolgenden Verfahrensmängel gerügt wird,

nämlich

1. dass das beschließende Gericht nicht vorschriftsmäßig besetzt war,

2. dass bei dem Beschluss ein Richter mitgewirkt hat, der von der

Ausübung des Richteramtes kraft Gesetzes ausgeschlossen oder

wegen Besorgnis der Befangenheit mit Erfolg abgelehnt war,

3. dass einem Beteiligten das rechtliche Gehör versagt war,

4. dass ein Beteiligter im Verfahren nicht nach Vorschrift des Gesetzes

vertreten war, sofern er nicht der Führung des Verfahrens

ausdrücklich oder stillschweigend zugestimmt hat,

5. dass der Beschluss aufgrund einer mündlichen Verhandlung

ergangen ist, bei der die Vorschriften über die Öffentlichkeit des

Verfahrens verletzt worden sind, oder

6. dass der Beschluss nicht mit Gründen versehen ist.

Die Rechtsbeschwerde ist

innerhalb eines Monats nach Zustellung des

Beschlusses

schriftlich durch einen beim Bundesgerichtshof zugelassenen Rechtsanwalt als

Bevollmächtigten beim Bundesgerichtshof, Herrenstr. 45 a, 76133 Karlsruhe,

einzureichen oder

durch einen beim Bundesgerichtshof

zugelassenen Rechtsanwalt als

Bevollmächtigten in elektronischer Form. Zur Entgegennahme elektronischer

Dokumente ist die elektronische Poststelle des Bundesgerichtshofs bestimmt. Die

elektronische Poststelle des Bundesgerichtshofs ist über die auf der Internetseite

www.bundesgerichtshof.de/erv.html

bezeichneten

Kommunikationswege

erreichbar. Die Einreichung erfolgt durch die Übertragung des elektronischen

Dokuments in die elektronische Poststelle. Elektronische Dokumente sind mit einer

qualifizierten elektronischen Signatur oder mit einer

fortgeschrittenen

elektronischen Signatur zu versehen.

Dr. Strößner

Dr. Friedrich

Dr. Himmelmann

Dr. Kapels